Архив рубрики ‘Справочная информация’

Диоды IR-Vishay для корректоров коэффициента мощности

June 9, 2012

Наименование

Корпус

Исполнение

Rth(JC)

» Читать запись: Диоды IR-Vishay для корректоров коэффициента мощности

Понижающие (Buck) преобразователи со встроенным ключом National Semiconductor

June 8, 2012

Возможности: CS — возможность синхронизации, ЕВ — демонстрационная плата, PG — флаг исправности питания, SD — блокировка, SR — синхронное выпрямление, SS — мягкий запуск, EF — вывод флага ошибки, LLC — цепь исключения сквозных токов.

Исполнение: С (Commercial) = 0…+70°С; I (Industrial) = —40…+85°С; Е (Extended)= —40… + 125°С; М (Military) = —55…+125°С.

» Читать запись: Понижающие (Buck) преобразователи со встроенным ключом National Semiconductor

Микросхемы управления DC/DC Vishay

June 4, 2012

Серия

прибо

ров

Описание

Мин,

входное

» Читать запись: Микросхемы управления DC/DC Vishay

Силовые микросборки (драйвер + ключи) для построения многофазного Buck-преобразователя

June 3, 2012

Наименование

Корпус

Диапазон входного напряжения

» Читать запись: Силовые микросборки (драйвер + ключи) для построения многофазного Buck-преобразователя

Сдвоенные преобразователи National Semiconductor

June 1, 2012

Наиме

нее.

Особенности

VIN [В]

» Читать запись: Сдвоенные преобразователи National Semiconductor

Транзисторы Infineon CoolMOS на рабочее напряжение 500, 600, 650, 800 В

May 20, 2012

S5 — 1-е поколение общего применения, СЗ — 3-е поколение со способностью выдерживать импульсный ток с более высокими амплитудами (в 1,5 раза больше) благодаря большей переходной электрической проводимости gfs (крутизна характеристики ID = f(VDS)) и более прямоугольной форме области безопасной работы; совместимость с любыми ИМС управления: меньше падение напряжения на затворе при насыщении транзистора до 5,5 В и порог включения транзистора — 3 В; выше рабочая частота за счет более малого значения времени переключения — время переключения уменьшено более, чем в 1,5 раза. СР — последнее поколение приборов с предельной эффективностью. Значительно снижено статическое сопротивление канала и увеличены допустимые токи. Высокая скорость переключения — крутизна фронта до 50 В/нс. Малый заряд затвора и лучший характеристический коэффициент качества RDSon*QG среди аналогичных мировых образцов.

» Читать запись: Транзисторы Infineon CoolMOS на рабочее напряжение 500, 600, 650, 800 В

Повышающие (Boost) преобразователи со встроенным ключом National Semiconductor

May 16, 2012

Наиме

нование

VIN [В]

V0UT [В]

» Читать запись: Повышающие (Boost) преобразователи со встроенным ключом National Semiconductor

серия WE-PD3 – ЧАСТЬ 1

May 15, 2012

Тип

А (мм)

В (мм)

С (мм)

» Читать запись: серия WE-PD3 – ЧАСТЬ 1

Дроссели Wurth Elektronik для построения маломощных DC/DC-преобразователей серии WE-PD4

May 14, 2012

Тип

А (мм)

» Читать запись: Дроссели Wurth Elektronik для построения маломощных DC/DC-преобразователей серии WE-PD4

Дроссели для подавления помех Murata

May 13, 2012

Источник: КОМПОНЕНТЫ ДЛЯ ПОСТРОЕНИЯ ИСТОЧНИКОВ ПИТАНИЯ, ГРУППА КОМПАНИЙ СИММЕТРОН

Устройство витков выходе генератора импульсов микросхемы мощности нагрузки напряжение напряжения питания приемника пример провода работы радоэлектроника сигнал сигнала сигналов сопротивление схема теория транзистора транзисторов управления усиления усилитель усилителя устройства частоты