Записи с меткой ‘Абрамов’

МОДЕЛИРОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ РАЗМЕРОВ ОСТРОВКОВ ОДНОЭЛЕКТРОННЫХ МАТРИЦ ТУННЕЛЬНЫХ ПЕРЕХОДОВ НА СТОКОВЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ

February 19, 2013

Абрамов И. И., Лавринович А. М. Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники П. Бровки 6, Минск, 220013, Беларусь E-mail: nanodev@bsuir.edu.by

Аннотация – Описаны результаты моделирования одноэлектронных матриц туннельных переходов с различным количеством островков с использованием разработанной физико-топологической модели.

» Читать запись: МОДЕЛИРОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ РАЗМЕРОВ ОСТРОВКОВ ОДНОЭЛЕКТРОННЫХ МАТРИЦ ТУННЕЛЬНЫХ ПЕРЕХОДОВ НА СТОКОВЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ

МОДЕЛИРОВАНИЕ ОДНОЭЛЕКТРОННЫХ СТРУКТУР НА ОСНОВЕ КРЕМНИЯ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ФИЗИКОТОПОЛОГИЧЕСКИХ МОДЕЛЕЙ

January 31, 2013

Абрамов И. И., Баранов А. Л. Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники П. Бровки 6., г. Минск, 220013, Беларусь e-mail: nanodev@bsuir.edu.by

Для теоретического исследования одноэлектронной приборной структуры, изображенной на рис.1, была разработана модифицированная физикотопологическая модель, распространяющая предложенный подход [2,4 – 10] на случай композиционной структуры на основе кремния. Модель базируется на численном решении уравнения Пуассона и «основного уравнения» ( «master equation« ) одноэлектро- ники [2] для рассматриваемого случая (рис.1).

» Читать запись: МОДЕЛИРОВАНИЕ ОДНОЭЛЕКТРОННЫХ СТРУКТУР НА ОСНОВЕ КРЕМНИЯ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ФИЗИКОТОПОЛОГИЧЕСКИХ МОДЕЛЕЙ

МОДЕЛИРОВАНИЕ РТД НА ОСНОВЕ GaAs/AIGaAs С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ОДНОЗОННОЙ КОМБИНИРОВАННОЙ МОДЕЛИ

January 16, 2013

Абрамов И. И., Гончаренко И. А. Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники П. Бровки 6, г. Минск, 220013, Беларусь e-mail: nanodev@bsuir.edu.by

Аннотация – С использованием комбинированной однозонной модели проведено исследование влияния концентрации примеси в приконтактных областях и формы барьеров на вольт-амперные характеристики резонанснотуннельных диодов на основе GaAs/AIGaAs.

» Читать запись: МОДЕЛИРОВАНИЕ РТД НА ОСНОВЕ GaAs/AIGaAs С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ОДНОЗОННОЙ КОМБИНИРОВАННОЙ МОДЕЛИ

ФИЗИКО-ТОПОЛОГИЧЕСКАЯ МОДЕЛЬ ОДНОЭЛЕКТРОННЫХ МАТРИЦ ТУННЕЛЬНЫХ ПЕРЕХОДОВ

August 1, 2012

Абрамов И.И., Игнатенко С.А. Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники Беларусь, 220013, Минск, П. Бровки 6. E-mail: nanodev(3>_bsuir.edu.bv

ного перехода; e заряд электрона; kB постоянная Больцмана; T -температура.

» Читать запись: ФИЗИКО-ТОПОЛОГИЧЕСКАЯ МОДЕЛЬ ОДНОЭЛЕКТРОННЫХ МАТРИЦ ТУННЕЛЬНЫХ ПЕРЕХОДОВ

ВЛИЯНИЕ ПОПЕРЕЧНЫХ РАЗМЕРОВ НА ХАРАКТЕРИСТИКИ ОДНОЭЛЕКТРОННОГО ТРАНЗИСТОРА

May 16, 2012

Абрамов И. И., Игнатенко С. А., Павленок С. Н. Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники Беларусь, 220013, Минск, П. Бровки 6

» Читать запись: ВЛИЯНИЕ ПОПЕРЕЧНЫХ РАЗМЕРОВ НА ХАРАКТЕРИСТИКИ ОДНОЭЛЕКТРОННОГО ТРАНЗИСТОРА

ВЛИЯНИЕ КОГЕРЕНТНОЙ И НЕКОГЕРЕНТНОЙ СОСТАВЛЯЮЩИХ ТОКА НА ВАХ РТД

May 10, 2012

Абрамов И. И., Гончаренко И. А. Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники П. Бровки, 6, Минск – 220013, Беларусь e-mail: nanodev@bsuir.edu.by

Источник: Материалы Международной Крымской конференции «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии»

микросхемы мощности Устройство импульсов питания пример приемника провода витков генератора выходе напряжение напряжения нагрузки радоэлектроника работы сигнал сигнала сигналов управления сопротивление усилитель усилителя усиления устройства схема теория транзистора транзисторов частоты