Записи с меткой ‘активной’

Монтаж датчиков тока в силовых преобразователях

September 12, 2013

Места установки датчиков напряжения и тока в преобразовательной технике обычно выбираются с учетом минимально-возможного уровня помех, удобства монтажа (и демонтажа), отсутствия вблизи корпусов датчиков значительно нагревающихся элементов. В ряде случаев — таких, например, как работа преобразователей в условиях сильных постоянных магнитных полей — может потребоваться магнитная экранировка корпусов датчиков. Выполнить экранировку можно с помощью замкнутого пермаллоевого или стального экранирующего корпуса, в который помещается соответствующий датчик.

» Читать запись: Монтаж датчиков тока в силовых преобразователях

Растворимость примесей – основы материаловедения

April 16, 2013

Для ряда практических применений (создание туннельных диодов, светодиодов и других полупроводниковых приборов) необходимо получать сильно легированные полупроводники. Поэтому представляется важным знание предельной растворимости CSmax примесей в материале (в твердой фазе). Под этим термином подразумевается концентрация примеси в насыщенном твердом растворе, образованном основным веществом и данной примесью. Если концентрация примеси в полупроводнике меньше CSmax, то примесь распределяется в кристаллической решетке моноатомно; если превышает CSmax, то, как показывают исследования, в выращиваемом кристалле появляются структурные нарушения, например, макроскопические частицы инородной фазы, что сопровождается резким ростом, в первую очередь, плотности дислокаций. При легировании кристаллов большими концентрациями примесей важно иметь «запас» в рас

» Читать запись: Растворимость примесей – основы материаловедения

ГЕНЕРАЦИЯ КОЛЕБАНИЙ ММ- И СУБММ-ДИАПАЗОНОВ ДИОДАМИ ГАННА НА ОСНОВЕ ВАРИЗОННЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ А3В5

February 16, 2013

Аркуша Ю. В., Прохоров Э. Д., Стороженко И. П. Харьковский национальный университет имени В. Н. Каразина пл. Свободы, 4, г. Харьков, 61077, Украина тел.: (057) 705-12-62

Аннотация – Представлены результаты исследования энергетических и частотных характеристик диодов Ганна на ос-нове трех различных варизонных соединений ΑΙχ (ζ) Gai.* (z)As, lnx(z)Gai-x(z)As и lnPi.x(z)ASx(z) с η-η и η*-η~η катодами при раз-личной длине активной области и толщине вари- зонного слоя. Показана возможность получения генерации такими диодами в субмиллиметровом диапазоне.

» Читать запись: ГЕНЕРАЦИЯ КОЛЕБАНИЙ ММ- И СУБММ-ДИАПАЗОНОВ ДИОДАМИ ГАННА НА ОСНОВЕ ВАРИЗОННЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ А3В5

Питание стационарной радиостанции от автоаккумулятора

August 29, 2012

   Самые хорошие связи (QSO) с минимумом помех мне удавалось проводить именно из загородного дома, расположенного в 200 км от областного центра. Однако удаленность от центров цивилизации играет в данном случае как положительную, так и отрицательную роль. В частности, перепады напряжения осветительной сети и периодическое ее обесточивание накладывают в данных условиях на радиолюбителя новые проблемы, которые приходится решать подручными методами.

» Читать запись: Питание стационарной радиостанции от автоаккумулятора

Активные линейные цепи

March 31, 2012

                                        Литература: [Л.1], стр. 205-206, 226-228                                                                                       

Типичным примером активной цепи является усилитель, собранный на n-p-n транзисторе с общим эмиттером. Если нагрузкой усилителя служит R-цепь, то такой усилитель является апериодической активной цепью, а если нагрузкой служит колебательный контур – частотно-избирательной активной цепью.

» Читать запись: Активные линейные цепи

Безызлучательная рекомбинация

November 1, 2011

Очень важно, чтобы для формирования активной области использовались высококачественные материалы, в которых мало точечных дефектов, нежелательных примесей, дислокаций и прочих дефектов, способных привести к созданию глубоких примесных уровней.

» Читать запись: Безызлучательная рекомбинация

Внутренний и внешний квантовый выход излучения, коэффициент полезного действия (к. п. д.)

October 28, 2011

Активная область идеального светодиода испускает один фотон на каждый инжектированный в нее электрон, т.е. каждый электрон генерирует один световой квант (фотон). Поэтому квантовый выход излучения активной области идеального светодиода равен единице. Внутренний квантовый выход излучения светодиода (или его внутренняя эффективность) определяется отношением числа рожденных в его активной области фотонов к числу инжектированных в нее электронов в единицу времени (секунду), т. е.

» Читать запись: Внутренний и внешний квантовый выход излучения, коэффициент полезного действия (к. п. д.)

Потери носителей в двойных гетероструктурах

October 26, 2011

В идеальном светодиоде барьерные слои не дают инжектированным носителям возможности покидать активную область. Это позволяет добиваться большой концентрации носителей в этой области, что ведет к повышению эффективности излучательной рекомбинации.

Энергия барьерных слоев обычно составляет ~ 102мэВ, что намного больше величины кТ. Тем не менее, некоторым носителям удается преодолеть этот потенциальный барьер и покинуть активную область. Концентрация таких носителей в барьерных слоях очень низка, поэтому квантовый выход излучения этих слоев тоже невысок.

» Читать запись: Потери носителей в двойных гетероструктурах

Легирование барьерных слоев

October 12, 2011

сильно влияет на квантовый выход излучения светодиодов с двойными гетероструктурами. Удельное сопротивление этих слоев определяется концентрацией в них примесей. Для предотвращения нагрева барьерных слоев их удельное сопротивление должно быть низким.

» Читать запись: Легирование барьерных слоев

Поверхностно-излучающие светодиоды, работающие на длине волны 1300 нм

October 11, 2011

В волоконно-оптических системах связи на основе кварцевых световодов с градиентным профилем показателя преломления, позволяющих передавать информацию с высокой скоростью, используют светодиоды, излучающие свет на длине волны 1300 нм. На рис. 23.2 показана структура такого светодиода (Sauletal., 1985). Излучение проходит через подложку InP, прозрачную на длине волны 1300 нм. Соответственно кристалл в корпусе светодиода монтируется эпитаксиальным слоем вниз.

» Читать запись: Поверхностно-излучающие светодиоды, работающие на длине волны 1300 нм

микросхемы мощности Устройство импульсов питания пример приемника провода витков генератора выходе напряжение напряжения нагрузки радоэлектроника работы сигнал сигнала сигналов управления сопротивление усилитель усилителя усиления устройства схема теория транзистора транзисторов частоты