Записи с меткой ‘алюминия’

ОСОБЕННОСТИ ПОЛУЧЕНИЯ ДИЭЛЕКТРИКА НА ОСНОВЕ АНОДНОГО ОКСИДА АЛЮМИНИЯ В РАСТВОРАХ СУЛЬФОСАЛИЦИЛОВОЙ КИСЛОТЫ

February 23, 2013

Клещенко И. В., Резванова М. О., Позняк А. Л.

Учреждение образования «Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники» ул. П. Бровки, 6, г. Минск, 220013, Республика Беларусь тел.:+375-017-2938957, e-mail: poznyak@bsuir.unibel.by

» Читать запись: ОСОБЕННОСТИ ПОЛУЧЕНИЯ ДИЭЛЕКТРИКА НА ОСНОВЕ АНОДНОГО ОКСИДА АЛЮМИНИЯ В РАСТВОРАХ СУЛЬФОСАЛИЦИЛОВОЙ КИСЛОТЫ

ОСОБЕННОСТИ ПОЛУЧЕНИЯ В РАСТВОРЕ МАЛОНОВОЙ КИСЛОТЫ ДИЭЛЕКТРИКА НА ОСНОВЕ АНОДНОГО ОКСИДА АЛЮМИНИЯ

February 21, 2013

Головатая С. В., Мозалев А. М., Позняк А. А. Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники ул. П. Бровки, 6, Минск, 220013, Республика Беларусь тел.: +375-017-2938957, e-mail: poznyak@bsuir.unibel.by

Аннотация — Экспериментально определены скорость и эффективность электрохимического анодирования алюминия и объёмный рост его пористого анодного оксида в растворе малоновой кислоты в широком интервале значений плотности анодного тока.

» Читать запись: ОСОБЕННОСТИ ПОЛУЧЕНИЯ В РАСТВОРЕ МАЛОНОВОЙ КИСЛОТЫ ДИЭЛЕКТРИКА НА ОСНОВЕ АНОДНОГО ОКСИДА АЛЮМИНИЯ

ВЛИЯНИЕ АЛЮМИНИЯ НА ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЮ ЭРБИЯ В КСЕРОГЕЛЕ ОКСИДА ТИТАНА

February 10, 2013

Циркунов д. А. Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники (БГУИР) ул. П. Бровки, 6, г. Минск, 220013, Беларусь тел./факс: +375(017)2938869, e-mail: miad@nano.bsuir.edu.by

диапазоне (рис. 1) с максимумом в зеленой области (~ 500 нм) с плавным спадом в длинноволновой области спектра.

» Читать запись: ВЛИЯНИЕ АЛЮМИНИЯ НА ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЮ ЭРБИЯ В КСЕРОГЕЛЕ ОКСИДА ТИТАНА

СИНТЕЗ И ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ ЛЕГИРОВАННЫХ ЛАНТАНОИДАМИ КСЕРОГЕЛЕЙ В МЕЗОПОРИСТЫХ МАТРИЦАХ

January 19, 2013

Гапоненко Н. В., Борисенко В. Е., Унучек Д. Н., Маляревич Г. К. Белорусский гсударственный университет информатики и радиоэлектроники, П. Бровки, д. 6, г. Минск, 220013, Беларусь тел.: +375 (017) 2938869, e-mail: nik@nano.bsuir.edu.by Степихова М. В., Красильникова Л. В.

» Читать запись: СИНТЕЗ И ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ ЛЕГИРОВАННЫХ ЛАНТАНОИДАМИ КСЕРОГЕЛЕЙ В МЕЗОПОРИСТЫХ МАТРИЦАХ

Приспособление для гравировальных работ

October 17, 2012

    (рис. 127) состоит из основания 1, выполненного из гетинакса или текстолита (можно использовать авиационную фанеру) толщиной 15—18 мм, размером 180 X X 200 мм, на котором установлен электродвигатель 2 типа МШ, МШ-;267 (от швейной машины), используемый в качестве привода. Опорная стойка 3 прикреплена к основанию болтами. Гибкий рукав от борма-шины 4 можно взять от старой бормашины. На конце гибкого рукава 4 ^креплен наконечник 5, в котором закрепляют необходимые для гравировки зубоврачебные боры (фрезы). На осн электродвигателя 2 насажен ролик 6, а на оси гибкого рукава бормашины 4—’ролик 7. Ролики 6 и 7 соединены между собой гибким пассиком 8, посредством которого вращение электродвигателя передается на ось гибкого рукава бормашины. С помощью такого простого устройства можно гравировать по латуни, дюралюминию, мягкой стали и пластмассам.

» Читать запись: Приспособление для гравировальных работ

Светодиоды на основе AlGaAs/GaAs

October 25, 2011

Гетероструктуры AIa;Gai_a;As/GaAsбыли разработаны в 1970-е гх., а в начале 1980-е гг. на их основе были реализованы первые светодиоды, с высокой яркостью свечения (Steranka, 1997) ‘). Поскольку алюминий и галлий имеют весьма близкие атомные радиусы (1,82 А и 1,81 А), система Al^Gai-xAs(или просто AlGaAs) остается согласованной по параметрам решетки с подложкой GaAsво всем диапазоне изменений молярной доли алюминия в трехкомпонентном составе. На рис. 12.6 показаны значения ширины запрещенной зоны и постоянных решеток некоторых полупроводников типа А^^’В^ и их трех- и четырехкомпонентных твердых растворов. Видно отсутствие зависимости между постоянной решетки и молярной долей алюминия (Tien, 1988).

» Читать запись: Светодиоды на основе AlGaAs/GaAs

УФ-светодиоды, излучающие на длинах волн меньше 360 нм

August 27, 2011

Активные области светодиодов, излучающих в УФ-диапазоне с длинами волн меньше 360 нм, обычно формируются из AlGaNили в виде множественных квантовых ям Al^Gai-xN/AlyGai-yN. Такие светодиоды,. как правило, обладают довольно низким внешним квантовым выходом, обычно менее 1 %, хотя в последние годы и здесь наблюдается значительный прогресс (Zhangetal., 2002а, 2003; Yasanetal., 2002; Kipshidzeetal., 2003; Fischeretal., 2004; Kimetal., 2004; Oderetal., 2004; Razeghi, Henini, 2004; Shakyaetal., 2004) 0.

» Читать запись: УФ-светодиоды, излучающие на длинах волн меньше 360 нм

Анодирование алюминиевых панелей

January 21, 2011

Часто после изготовления корпуса из алюминия и его сплавов встает задача придания ему законченного вида. Существует вариант с анодированием поверхности, после которого поверхности обладают красивым внешним видом светло-серого цвета.

В промышленных условиях анодирование выполняют в растворе серной кислоты, что в домашних условиях проблематично. Однако известен радиолюбительский способ, когда электролит изготавливается из всегда имеющихся в домашнем хозяйстве химических веществ – питьевой соды (углекислый натрий) и поваренной соли (хлористый натрий).
» Читать запись: Анодирование алюминиевых панелей

микросхемы мощности Устройство импульсов питания пример приемника провода витков генератора выходе напряжение напряжения нагрузки радоэлектроника работы сигнал сигнала сигналов управления сопротивление усилитель усилителя усиления устройства схема теория транзистора транзисторов частоты