Записи с меткой ‘analysis’

ТЕОРЕТИЧЕСКИЙ АНАЛИЗ АКСИАЛЬНЫХ СИСТЕМ ФОРМИРОВАНИЯ ЭЛЕКТРОННЫХ ПУЧКОВ

February 28, 2013

Аннотация – В работе представлены результаты теоретического анализа двух модификаций аксиально-симметрич- ных электронно-оптических систем со сходящейся оптикой на основе ранее разработанного алгоритма. Получена информация о профиле и распределении плотности тока электронного пучка с учетом токооседания на электродах.

» Читать запись: ТЕОРЕТИЧЕСКИЙ АНАЛИЗ АКСИАЛЬНЫХ СИСТЕМ ФОРМИРОВАНИЯ ЭЛЕКТРОННЫХ ПУЧКОВ

АНАЛИЗ СВОЙСТВ СИММЕТРИЧНОГО ДВЕНАДЦАТИПОЛЮСНИКА

January 2, 2013

Трушкин А. Н. Севастопольский национальный технический университет Севастополь, 99053, Украина, Тел.: (0692) 235108, e-mail: RT.SevGTU@stel.sebastopol.ua

Аннотация – Проведен анализ электрических свойств симметричного двенадцатиполюсника. Получены соотношения, характеризующие степень фазовой асимметрии его коэффициентов матрицы рассеяния в зависимости от переходного ослабления.

» Читать запись: АНАЛИЗ СВОЙСТВ СИММЕТРИЧНОГО ДВЕНАДЦАТИПОЛЮСНИКА

ОХРАНА ОБЪЕКТОВ НЕДВИЖИМОСТИ

August 5, 2012

VIII.        Заключение

Использование системы SMART GLOBE помимо эффективной координации работы и защиты транспорта позволяет решать вопросы охраны труда и окружающей среды. Автоматизированное определение места положения ТС в составе систем комплексного обеспечения безопасности и контроля состояния ТС позволяет получить значительный экономический эффект.

» Читать запись: ОХРАНА ОБЪЕКТОВ НЕДВИЖИМОСТИ

A WAVELET-BASED TECHNIQUE TO DECREASE FULL-WAVE SIMULATION TIME OF MICRO WAVE/M M-WAVE TRANSISTORS

April 25, 2012

Masoud Movahhedi, AbdolAli Abdipour Microwave/mm-wave & Wireless communication research Lab., Electrical Engineering Department, Amirkabir University of Technology, Tehran, Iran E-mail: Movahhedi@aut.ac.ir, Abdipour@aut.ac.ir

Abstract – A new wavelet-based simulation approach for the analysis and simulation of microwave/mm-wave transistors is presented. For the first time in the literature, Daubechies-base wavelet approach is applied to semiconductor equations to generate a nonuniform mesh. This allows forming fine and coarse grids in locations where variable solutions change rapidly and slowly, respectively. The procedure of nonuniform mesh generation is described in details by simulating a MESFET. It is shown that good accuracy can be achieved while compressing the number of unknown by 70%.’

» Читать запись: A WAVELET-BASED TECHNIQUE TO DECREASE FULL-WAVE SIMULATION TIME OF MICRO WAVE/M M-WAVE TRANSISTORS

К ТЕОРИИ ПАРАМЕТРИЧЕСКИХ ЭЛЕКТРОННО-ВОЛНОВЫХ ЛАЗЕРОВ НА СВОБОДНЫХ ЭЛЕКТРОНАХ С Н-УБИТРОННОЙ НАКАЧКОЙ

April 18, 2012

Кулиш В. В., Лысенко А. В., Ромбовский М. Ю. Сумской государственный университет ул. Римского-Корсакова, д. 2, Сумы – 40007, Украина Тел.: +8(044) 4551884; e-mail: kulish2001@ukr.net

Аннотация – Построена слабосигнальная теория параметрических электронно-волновых двухпотоковых лазеров на свободных электронах с Н-убитронной накачкой. Проведен анализ для инкремента нарастания электромагнитной волны сигнала. Показана перспективность использования данных систем как малошумящих усилителей мощности мм-ИК диапазона.

» Читать запись: К ТЕОРИИ ПАРАМЕТРИЧЕСКИХ ЭЛЕКТРОННО-ВОЛНОВЫХ ЛАЗЕРОВ НА СВОБОДНЫХ ЭЛЕКТРОНАХ С Н-УБИТРОННОЙ НАКАЧКОЙ

АНАЛИЗ ПОВЫШЕНИЯ ПОМЕХОУСТОЙЧИВОСТИ БЕСПРОВОДНОЙ ИНФОРМАЦИОННОЙ СИСТЕМЫ

April 3, 2012

Кобак Н. Н., Литвин А. С., Слесаренко С. С. Национальный технический университет Украины «Киевский политехнический институт» 2230, пр. Победы 37, Киев-056, Украина e-mail: sles@slescom.kiev.ua

Аннотация – Проведен анализ и синтез системы определения средней мощности помехи, неортогональной по отношению к информационному сигналу, для увеличения отношения «сигнал/шум» (OCLLI) в беспроводной цифровой связи.

» Читать запись: АНАЛИЗ ПОВЫШЕНИЯ ПОМЕХОУСТОЙЧИВОСТИ БЕСПРОВОДНОЙ ИНФОРМАЦИОННОЙ СИСТЕМЫ

микросхемы мощности Устройство импульсов питания пример приемника провода витков генератора выходе напряжение напряжения нагрузки радоэлектроника работы сигнал сигнала сигналов управления сопротивление усилитель усилителя усиления устройства схема теория транзистора транзисторов частоты