Записи с меткой ‘атомов’

Возможные  механизмы  диффузии  в  твердых телах

June 11, 2013

Для совершения элементарного акта диффузии атом должен преодолеть энергетический барьер, величина которого определяется энергией активации диффузии Q. Последняя зависит от прочности связи атомов в кристаллической решетке вещества. В зависимости от конкретного механизма диффузии Q по порядку величины может составить от долей до нескольких эВ.

» Читать запись: Возможные  механизмы  диффузии  в  твердых телах

Точечные дефекты – основы материаловедения

June 7, 2013

Точечный дефект — это нарушение кристаллической структуры, размеры которого во всех трех измерениях сравнимы с одним или несколькими межатомными расстояниями. Точечный дефект может иметь простую или сложную структуру.

Вакансия — это простейший структурный дефект, представляющий собой свободный узел решетки, который должен быть занят атомом или ионом в совершенном кристалле. Вакансии обозначаются VA, VB, … , где индексы A, B … указывают тип отсутствующего атома. Например, в GaAs VGa и VAs — вакансии Ga и As, соответственно. Образование вакансий сопровождается упругой деформацией решетки. Соседние с вакансией атомы сближаются, смещаясь в направлении центра пустого узла.

» Читать запись: Точечные дефекты – основы материаловедения

Химические связи в полупроводниках, производных от ANB8−N

June 5, 2013

Для развития прикладной полупроводниковой электроники требуется получение полупроводниковых материалов с заданными свойствами. В рамках обычного эмпирического подхода с этой целью синтезируют большое число кристаллов разного состава, изучают их свойства и находят тот

» Читать запись: Химические связи в полупроводниках, производных от ANB8−N

Подгруппа IIIA: бор – основы материаловедения

June 2, 2013

Бор — единственный элементарный полупроводник, расположенный левее IVA подгруппы в периодической системе. Структура его валентной оболочки — 2s2p1. В большинстве соединений он трехвалентен, поэтому распределение электронов по валентным орбиталям в нем можно представить в виде 2s12p2. Однако при образовании простых sp2-гибридных связей в боре валентная оболочка атомов бора не заполняется полностью, тем не менее бор, как полупроводник, должен иметь полностью заполненную валентную зону. По-видимому, заполнение происходит при участии в гибридизации, помимо 2s-электронов, еще и 1s-электронов.

» Читать запись: Подгруппа IIIA: бор – основы материаловедения

Обменный  механизм – основы материаловедения

May 29, 2013

На рис. 8.3,а схематически показана диффузия по кольцевому механизму. В ходе такой диффузии в едином активационном процессе соседние атомы 1, 2, 3 и 4 обмениваются местами.

Этот механизм энергетически наименее выгоден для плотноупакованных решеток. Среди случаев обменного механизма наименее вероятен парный обмен (рис. 8.3,б), так как в этом случае обменивающиеся местами атомы создают очень сильные локальные искажения в решетке в переходных состояниях (атомы, соседние с теми, которые обмениваются местами, должны раздвинуться на расстояния, равные двум атомным диаметрам). Расчеты показали, что потенциальный барьер при диффузии по кольцу из четырех атомов меньше, чем при парном обмене, так

» Читать запись: Обменный  механизм – основы материаловедения

Экспериментальное  изучение  процессов зародышеобразования,  роста и совершенства эпитаксиальных пленок в зависимости от условий роста

May 26, 2013

Экспериментальное изучение процессов зародышеобразования, роста эпитаксиальных пленок и их качества в зависимости от условий выращивания сейчас проводится с помощью самой современной аппаратуры непосредственно в процессе конденсации. На основании этих исследований можно сделать выводы о местах преимущественной адсорбции атомов, изучить влияние загрязняющих газов на образование зародышей, оценить плотность, совершенство и ориентацию зародышей, а также количественно оценить Eдиф и Eдес.

» Читать запись: Экспериментальное  изучение  процессов зародышеобразования,  роста и совершенства эпитаксиальных пленок в зависимости от условий роста

Типы химической связи- основы материаловедения

May 25, 2013

При сближении изолированных атомов и образовании кристалла их электронные оболочки перекрываются. Взаимодействие электронов, принадлежащих разным атомам, вызывает расщепление атомных дискретных энергетических уровней изолированных атомов. Первыми начинают расщепляться уровни, соответствующие электронам, наиболее удаленным от ядра, то есть находящимся на внешних оболочках атома. При равновесном межатомном расстоянии r0 расщеплены уровни всех орбиталей, участвующих в образовании химической связи. Число расщепленных уровней равно числу атомов в кристалле. Каждый тип атомных ор

» Читать запись: Типы химической связи- основы материаловедения

Вакансионный  механизм – основы материаловедения

May 25, 2013

При наличии вакансии  в объеме или в  поверхностном слое решетки какой-либо из соседних с ней атомов может скачком занять ее место. Это равносильно тому, что вакансия скачком переместится на место атома. Многократное повторение такого акта и будет представлять собой миграцию вакансий и соответственно диффузию атомов в обратном направлении. Однако даже при переходе атома из своего узла в соседнюю вакансию он должен преодолеть определенный энергетический барьер. Переход связан с необходимостью частичного разрыва связей с атомами, соседними в исходном состоянии, и с необходимостью упругого смещения атомов, соседних со стороны вакансии.

» Читать запись: Вакансионный  механизм – основы материаловедения

Молекулярно-лучевая эпитаксия (МЛЭ) – основы материаловедения

May 25, 2013

МЛЭ или MBE6 представляет собой процесс эпитаксиального роста слоев различных соединений, происходящий за счет реакций между термически создаваемыми молекулярными или атомными пучками соответствующих компонентов на поверхности подложки, находящейся в сверхвысоком вакууме при повышенной температуре. В основе этой технологии лежит возможность роста эпитаксиальных пленок, по существу, в динамическом режиме в отличие от более традиционных методов, где рост идет в условиях, близких к термодинамическому равновесию. МЛЭ характеризуется:

» Читать запись: Молекулярно-лучевая эпитаксия (МЛЭ) – основы материаловедения

Конденсация из паровой фазы

May 23, 2013

Выше нами были рассмотрены некоторые методы газовой эпитаксии, использующие обратимые химические реакции. Следующая группа методов эпитаксии основана на кристаллизации пленок из паровой фазы. Выращивание пленок из паровой фазы, образованной из атомов и молекул выращиваемого материала, производится преимущественно в откачанных вакуумных камерах (рис. 9.13). Процесс сводится к созданию потока паров, испускаемых источником, нагретым до выбранной температуры возгонки или испарения. Пары, пройдя некоторый путь, конденсируются на подложке. Давление насыщенного пара элементарного вещества, образующего одноатомные молекулы, как функция температуры описывается уравнением Клаузиуса-Клапейрона. Однако поскольку процесс проводится в динамическом режиме, реальное давление паров над поверхностью источника несколько ниже и описывается выражением

» Читать запись: Конденсация из паровой фазы

микросхемы мощности Устройство импульсов питания пример приемника провода витков генератора выходе напряжение напряжения нагрузки радоэлектроника работы сигнал сигнала сигналов управления сопротивление усилитель усилителя усиления устройства схема теория транзистора транзисторов частоты