Записи с меткой ‘барьера’

ИНФРАКРАСНЫЙ БАРЬЕР (ПРИЕМНИК) – Введение в электронику

August 9, 2014

При нарушении инфракрасного барьера, созданного рассмотренным в предыдущем разделе устройством, модуль приемника зарегистрирует прерывание луча. Исполнительное реле сработает и может включить сйрену, звонок, систему подсчета персонала или освещение.

» Читать запись: ИНФРАКРАСНЫЙ БАРЬЕР (ПРИЕМНИК) – Введение в электронику

МОДЕЛИРОВАНИЕ РТД НА ОСНОВЕ GaAs/AIGaAs С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ОДНОЗОННОЙ КОМБИНИРОВАННОЙ МОДЕЛИ

January 16, 2013

Абрамов И. И., Гончаренко И. А. Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники П. Бровки 6, г. Минск, 220013, Беларусь e-mail: nanodev@bsuir.edu.by

Аннотация – С использованием комбинированной однозонной модели проведено исследование влияния концентрации примеси в приконтактных областях и формы барьеров на вольт-амперные характеристики резонанснотуннельных диодов на основе GaAs/AIGaAs.

» Читать запись: МОДЕЛИРОВАНИЕ РТД НА ОСНОВЕ GaAs/AIGaAs С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ОДНОЗОННОЙ КОМБИНИРОВАННОЙ МОДЕЛИ

Барьеры на модулированном ИК излучении

September 27, 2012

   Надежность работы оптического барьера с непрерывным спектром излучения зависит от внешнего освещения. Однако инфракрасное излучение можно модулировать с частотой от 1000 до 3000 Гц, то есть прерывать его с очень высокой скоростью (от 1000 до 3000 раз в секунду). В приемнике следует предусмотреть избирательную цепь, выделяющую модулированный «сигнал» барьера, который фототранзистор трансформирует в переменное напряжение на фоне непрерывного освещения от внешних источников.

» Читать запись: Барьеры на модулированном ИК излучении

ВЛИЯНИЕ ЛАЗЕРНОЙ ОБРАБОТКИ НА АРСЕНИДГАЛЛИЕВЫЕ ПРИБОРНЫЕ СТРУКТУРЫ

April 22, 2012

Бекбергенов С. Е. Каракалпакский государственный университет им. Бердаха Нукус, Узбекистан e-mail: saparbay@rambler.ru

Аннотация – Рассмотрены некоторые аспекты применения лазерной обработки в технологии формирования арсенидгаллиевых поверхностно-барьерных структур и омических контактов к ним, основанные на анализе литературных данных и экспериментальных результатов автора.

» Читать запись: ВЛИЯНИЕ ЛАЗЕРНОЙ ОБРАБОТКИ НА АРСЕНИДГАЛЛИЕВЫЕ ПРИБОРНЫЕ СТРУКТУРЫ

Потери носителей в двойных гетероструктурах

October 26, 2011

В идеальном светодиоде барьерные слои не дают инжектированным носителям возможности покидать активную область. Это позволяет добиваться большой концентрации носителей в этой области, что ведет к повышению эффективности излучательной рекомбинации.

Энергия барьерных слоев обычно составляет ~ 102мэВ, что намного больше величины кТ. Тем не менее, некоторым носителям удается преодолеть этот потенциальный барьер и покинуть активную область. Концентрация таких носителей в барьерных слоях очень низка, поэтому квантовый выход излучения этих слоев тоже невысок.

» Читать запись: Потери носителей в двойных гетероструктурах

ЗАПОМИНАНИЕ НАПРАВЛЕНИЯ ДВИЖЕНИЯ

April 13, 2011

   Механический контакт вполне может справиться с задачей управления электрическим насосом, наполняющим резервуар с водой. Однако, если речь идет о резервуаре с углеводородом, во избежание искрения желательно найти замену такого контакта.

» Читать запись: ЗАПОМИНАНИЕ НАПРАВЛЕНИЯ ДВИЖЕНИЯ

микросхемы мощности Устройство импульсов питания пример приемника провода витков генератора выходе напряжение напряжения нагрузки радоэлектроника работы сигнал сигнала сигналов управления сопротивление усилитель усилителя усиления устройства схема теория транзистора транзисторов частоты