Главная » барьера
При нарушении инфракрасного барьера, созданного рассмотренным в предыдущем разделе устройством, модуль приемника зарегистрирует прерывание луча. Исполнительное реле сработает и может включить сйрену, звонок, систему подсчета персонала или освещение.
» Читать запись: ИНФРАКРАСНЫЙ БАРЬЕР (ПРИЕМНИК) – Введение в электронику
В рубрике Автоматика
Метки: барьера выходе инфракрасного конденсатор попадает приемника фотодиод
Абрамов И. И., Гончаренко И. А. Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники П. Бровки 6, г. Минск, 220013, Беларусь e-mail: nanodev@bsuir.edu.by
Аннотация – С использованием комбинированной однозонной модели проведено исследование влияния концентрации примеси в приконтактных областях и формы барьеров на вольт-амперные характеристики резонанснотуннельных диодов на основе GaAs/AIGaAs.
В рубрике Радиосвязь, СВЧ
Метки: Абрамов барьера барьеров Гончаренко областей областях примеси
Надежность работы оптического барьера с непрерывным спектром излучения зависит от внешнего освещения. Однако инфракрасное излучение можно модулировать с частотой от 1000 до 3000 Гц, то есть прерывать его с очень высокой скоростью (от 1000 до 3000 раз в секунду). В приемнике следует предусмотреть избирательную цепь, выделяющую модулированный «сигнал» барьера, который фототранзистор трансформирует в переменное напряжение на фоне непрерывного освещения от внешних источников.
В рубрике Инфракрасные лучи
Метки: барьера излучателя конденсатора оптического пленочный приемника сигнала
Бекбергенов С. Е. Каракалпакский государственный университет им. Бердаха Нукус, Узбекистан e-mail: saparbay@rambler.ru
Аннотация – Рассмотрены некоторые аспекты применения лазерной обработки в технологии формирования арсенидгаллиевых поверхностно-барьерных структур и омических контактов к ним, основанные на анализе литературных данных и экспериментальных результатов автора.
» Читать запись: ВЛИЯНИЕ ЛАЗЕРНОЙ ОБРАБОТКИ НА АРСЕНИДГАЛЛИЕВЫЕ ПРИБОРНЫЕ СТРУКТУРЫ
В идеальном светодиоде барьерные слои не дают инжектированным носителям возможности покидать активную область. Это позволяет добиваться большой концентрации носителей в этой области, что ведет к повышению эффективности излучательной рекомбинации.
Энергия барьерных слоев обычно составляет ~ 102мэВ, что намного больше величины кТ. Тем не менее, некоторым носителям удается преодолеть этот потенциальный барьер и покинуть активную область. Концентрация таких носителей в барьерных слоях очень низка, поэтому квантовый выход излучения этих слоев тоже невысок.
» Читать запись: Потери носителей в двойных гетероструктурах
В рубрике Освещение, Светодиоды, Справочная информация, Теория
Метки: активной барьера барьерных носителей области область Ферми-Дирака
Механический контакт вполне может справиться с задачей управления электрическим насосом, наполняющим резервуар с водой. Однако, если речь идет о резервуаре с углеводородом, во избежание искрения желательно найти замену такого контакта.
В рубрике Автоматика и управление
Метки: барьера диапазона запуск-перезапуск приемник такого Только фототранзисторов
ВЫСОКОЧАСТОТНЫЕ ГЕНЕРАТОРЫ В УСТРОЙСТВАХ НА МИКРОСХЕМАХ (11)
Трехполосный УМЗЧ (574УД1А, на выходе – КП904) (8)
Электромагнитный импульсный генератор – ЧАСТЬ 1 (9)
Умножители напряжения схема (13)
Назначение и вид микросхемы XR-2206 (8)
Спектральный анализ осциллограмм в MATLAB (6)
Пример поиска неисправностей в усилителе (6)
БАЛАНСНЫЕ СМЕСИТЕЛИ, ПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ, МОДУЛЯТОРЫ, ПЕРЕМНОЖИТЕЛИ В УСТРОЙСТВАХ НА МИКРОСХЕМАХ (11)
Схемы управления MOSFET и IGBT – Полупроводниковая силовая электроника (8)
ФИЛЬТРЫ НА МИКРОСХЕМАХ ОУ (16)
ФУНКЦИОНАЛЬНЫЕ ГЕНЕРАТОРЫ НА ОУ В УСТРОЙСТВАХ НА МИКРОСХЕМАХ (11)
Назначение и принципы работы ГИР (8)
КАТУШЕЧНЫЙ СТЕРЕОМАГНИТОФОН-ПРИСТАВКА (7)
Введение в язык программирования Arduino (11)
Основные идеи, лежащие в основе резонансного режима работы (9)
Применение микросхемы КР1006ВИ1 (10)
ПРЕЦИЗИОННЫЕ ВЫПРЯМИТЕЛИ НА ОУ в устройствах на микросхемах (9)
Антенна «волновой канал» с двумя активными элементами (6)
САМОДЕЛЬНЫЕ ГРОМКОГОВОРИТЕЛИ (27)
Микросхемы маломощного высоковольтного импульсного преобразователя серии TNY2xx (17)