Записи с меткой ‘биполярного’

Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) – Полупроводниковая силовая электроника

June 4, 2015

В биполярном транзисторе с изолированным затвором (IGBT — Isolated Gate Bipolar Transistor) соединены в одном кристалле по схеме составного фактически два типа транзисторов: мощный биполярный транзистор и управляющий MOSFET (рис. 2.13).

» Читать запись: Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) – Полупроводниковая силовая электроника

Мощные биполярные транзисторы и каскады Дарлингтона

May 29, 2015

Мощный биполярный транзистор является прибором с вертикальной структурой: с коллектором на подложке и выводами базы и эмиттера сверху (рис. 2.7) [15].

» Читать запись: Мощные биполярные транзисторы и каскады Дарлингтона

Изменение крутизны полевого транзистора

January 16, 2012

Таким образом, как и в случае биполярного транзистора, коэффициент усиления напряжения равен

В разд. 6.3 мы видели, что крутизна биполярного транзистора является чрезвычайно устойчивым параметром, равным 40 /с мА/В при комнатной температуре, если /с выражен в миллиамперах. Если пренебречь эффектами второго порядка, такими как сопротивление базы, то это простое соотношение справедливо для всех типов биполярных транзисторов, не изменяясь от одного экземпляра к другому, в отличие от коэффициента усиления тока hfe. У полевого транзистора крутизна изменяется от одного типа транзистора к другому, находясь обычно между 0,5 и 5 мА/В (у современных транзисторов крутизна достигает величины 100 мА/В. — Примеч. перев.), кроме того, как сейчас будет показано, крутизна меняется при изменении тока стока.

» Читать запись: Изменение крутизны полевого транзистора

Входное сопротивление и крутизна биполярного транзистора

January 10, 2012

Как мы уже видели в разд. 1.4, биполярный транзистор, по существу, является устройством, управляемым током. Током коллектора управляет главным образом базовый ток, поэтому первым шагом в изучении поведения транзисторного усилителя напряжения является выяснение того, какой базовый ток создается напряжением нашего входного сигнала. Другими ело- вами, нам нужно знать динамическое сопротивление перехода база—эмиттер, измеряемое со стороны базы. Этот параметр обычно обозначают символом h.e; если vbe представляет собой малое переменное напряжение на входе, a ib вызванный им переменный ток базы, то

» Читать запись: Входное сопротивление и крутизна биполярного транзистора

Биполярные транзисторы и их характеристики

May 19, 2011
Оглавление
Характеристики биполярного транзистора

Страница 2 из 2

 

 
» Читать запись: Биполярные транзисторы и их характеристики

микросхемы мощности Устройство импульсов питания пример приемника провода витков генератора выходе напряжение напряжения нагрузки радоэлектроника работы сигнал сигнала сигналов управления сопротивление усилитель усилителя усиления устройства схема теория транзистора транзисторов частоты