Записи с меткой ‘биполярных’

Введение в электронику: Транзисторы полевые и однопереходные

June 20, 2014

Кроме классических биполярных транзисторов существуют и так называемые униполярные транзисторы, например однопереходные и полевые, основанные на полевом эффекте FET (Field Effect Transistor). Как и биполярные, они бывают двух типов и имеют три электрода (рис. 1.14). Электродами полевых транзисторов являются: затвор – 3, сток – С, соответствующий коллектору, и исток – И, отождествляемый с эмиттером.

» Читать запись: Введение в электронику: Транзисторы полевые и однопереходные

Однотранзисторные биполярные ключи в схемах на микроконтроллере

May 11, 2014

Транзистор — это основной активный элемент в электронной технике. «Активный», поскольку с его помощью можно усиливать сигнал по мощности. Для сравнения, трансформатор тоже может увеличивать амплитуду сигнала, но только по напряжению или по току, мощность всегда будет теряться. Следовательно, трансформаторы (а также, резисторы, конденсаторы, индуктивности, диоды, кварцевые резонаторы, громкоговорители, реле) относятся к пассивным ЭРИ.

» Читать запись: Однотранзисторные биполярные ключи в схемах на микроконтроллере

«Цифровые» транзисторы

February 13, 2014

В биполярных транзисторных ключах, как ни старайся, но приходится ставить резисторы, ограничивающие базовый ток. Напрашивается идея — имплантировать миниатюрные резисторы внутрь корпуса транзистора и получить трёхвыводной компонент, не требующий внешней «обвязки». Первыми идею реализовали специалисты японской фирмы ROHM, затем появились аналогичные изделия фирм Motorola и Siemens. Новые ЭРИ назвали «цифровыми» транзисторами (англ. «digital transistor»), поскольку на их входы можно подавать сигналы непосредственно с выходов цифровых логических микросхем.

» Читать запись: «Цифровые» транзисторы

IGBT транзисторы для силовых преобразователей

August 17, 2013

Ранее мы называли транзисторы MOSFET почти идеальными приборами для использования в изделиях силовой электроники. Сейчас настало время повторить одну существенную оговорку, также сделанную нами выше: справедливость слов об идеальности транзисторов MOSFET не ставится под сомнение, если рабочее напряжение силовых цепей преобразователей не превышает 250…300 (максимум — 400) В. При дальнейшем повышении рабочего напряжения приходится выбирать транзисторы с более высокой величиной напряжения «сток-исток», а это означает, что нам будет затруднительно найти в номенклатуре серийно выпускаемых приборов такой типономинал, который при высоких допустимых напряжениях «сток—исток» будет иметь низкое сопротивление канала в открытом состоянии, и, соответственно, высокий ток стока. Максимальная величина допустимого напряжения «сток—исток» большинства серийных транзисторов MOSFET сегодня составляет порядка 800 В, но сопротивление канала в открытом состоянии у них измеряется уже единицами Ом. Справедливости ради отметим, что иногда все-таки можно встретить приборы с допустимым напряжением «сток—исток» порядка 1000… 1200 В, но это — опять же «штучный товар», не находящий практического применения, а потому потихоньку исчезающий с рынка силовых полупроводников. Как же поступить разработчику в случае разработки высоковольтного мощного статического преобразователя? Опять возвращаться к биполярным транзисторам? Ни в коем случае!

» Читать запись: IGBT транзисторы для силовых преобразователей

Обзор импульсных устройств на негатронах

February 25, 2012

Вскоре после появления биполярных и полевых транзисторов было создано множество полупроводниковых приборов с S- и N-образными вольт-амперными характеристиками (ВАХ), имеющими участки с отрицательным дифференциальным сопротивлением или отрицательной проводимостью. Их называют негатронами [20]. Негатроны принципиально и прекрасно приспособлены для построения релаксационных генераторов.

» Читать запись: Обзор импульсных устройств на негатронах

Измеритель коэффициента передачи тока

January 22, 2011

 

   А.В. Артемчук, Киевская обл.

 

 

   Мостовая схема (рис.1) является основой измерителя коэффициентов передачи тока биполярных транзисторов [1]. Как только мостовая схема устанавливается в равновесие, светятся оба светодиода. В противном случае светится только один светодиод, чтобы показать, в каком направлении нужно вращать потенциометр R2.

» Читать запись: Измеритель коэффициента передачи тока

микросхемы мощности Устройство импульсов питания пример приемника провода витков генератора выходе напряжение напряжения нагрузки радоэлектроника работы сигнал сигнала сигналов управления сопротивление усилитель усилителя усиления устройства схема теория транзистора транзисторов частоты