Абрамов И. И., Баранов А. Л. Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники П. Бровки 6., г. Минск, 220013, Беларусь e-mail: nanodev@bsuir.edu.by
Для теоретического исследования одноэлектронной приборной структуры, изображенной на рис.1, была разработана модифицированная физикотопологическая модель, распространяющая предложенный подход [2,4 – 10] на случай композиционной структуры на основе кремния. Модель базируется на численном решении уравнения Пуассона и «основного уравнения» ( «master equation« ) одноэлектро- ники [2] для рассматриваемого случая (рис.1).