Записи с меткой ‘concentration’

OHMIC AND BARRIER CONTACTS TO SiC- AND GaN-BASED MICROWAVE DIODES

May 5, 2012

Boltovets N. S.1, Ivanov V. N.1, Sveshnikov Yu. N.2, Belyaev A. E.3, Avksentiev A. Yu.3, Konakova R. V.3, Kudryk Ya. Ya.3, Kurakin A. M.3, Milenin V. V.3 1 State Enterprise Research Institute “Orion”, tf, Eugene Pottier St., Kiev – 03057, Ukraine Tel.: +38044-465-0548, e-mail: bms@i.kiev.ua 2Closed Corporation “Elma-Malakhit”, Zelenograd, Russia 3V. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics of the National Academy of Sciences of Ukraine

» Читать запись: OHMIC AND BARRIER CONTACTS TO SiC- AND GaN-BASED MICROWAVE DIODES

микросхемы мощности Устройство импульсов питания пример приемника провода витков генератора выходе напряжение напряжения нагрузки радоэлектроника работы сигнал сигнала сигналов управления сопротивление усилитель усилителя усиления устройства схема теория транзистора транзисторов частоты