Записи с меткой ‘дефектов’

Точечные дефекты – основы материаловедения

June 7, 2013

Точечный дефект — это нарушение кристаллической структуры, размеры которого во всех трех измерениях сравнимы с одним или несколькими межатомными расстояниями. Точечный дефект может иметь простую или сложную структуру.

Вакансия — это простейший структурный дефект, представляющий собой свободный узел решетки, который должен быть занят атомом или ионом в совершенном кристалле. Вакансии обозначаются VA, VB, … , где индексы A, B … указывают тип отсутствующего атома. Например, в GaAs VGa и VAs — вакансии Ga и As, соответственно. Образование вакансий сопровождается упругой деформацией решетки. Соседние с вакансией атомы сближаются, смещаясь в направлении центра пустого узла.

» Читать запись: Точечные дефекты – основы материаловедения

Причины образования структурных дефектов

June 2, 2013

Одной из важнейших практических задач при выращивании эпитаксиальных монокристаллических пленок является выяснение причин образования дефектов. Большая часть исследований посвящена изучению различных стадий роста эпитаксиальных пленок с целью нахождения способов, позволяющих снизить число дефектов в них.

» Читать запись: Причины образования структурных дефектов

Дефекты в полупроводниковых материалах

May 18, 2013

Все природные и синтезированные монокристаллы и в еще большей степени кристаллиты поликристаллов отличаются от идеальных тем, что содержат различные нарушения структуры кристалла. Нарушения идеальной трансляционной симметрии кристалла называются структурными дефектами. Дефекты оказывают существенное влияние на многие параметры твердых тел. К таким параметрам относятся электропроводность, фотопроводимость, теплопроводность, скорость диффузии, магнетизм, твердость, прочность и пластичность, плотность и т. д. Зависимость этих параметров твердого тела от дефектов может оказаться настолько велика, что в итоге они будут определяться не столько исходной структурой материала, сколько типом и числом дефектов в нем. Параметров, не чувствительных к структурным дефектам, строго говоря, нет, но практически такие параметры, как температура плавления, диэлектрическая проницаемость, парамагнитные и диамагнитные характеристики, упругие модули, можно отнести к параметрам, менее чувствительным к дефектам.

» Читать запись: Дефекты в полупроводниковых материалах

АНАЛИЗ ПРОПУСКНОЙ СПОСОБНОСТИ ОПТИЧЕСКИХ ВОЛОКОН В УСЛОВИЯХ СПЕКТРАЛЬНОГО УПЛОТНЕНИЯ

February 15, 2013

Игнатьев Ф. Н. Московский авиационный институт (Государственный технический университет) Москва, 125871, Россия e-mail: f. п.ignatiev@mtu-net.ru

Аннотация – Обсуждаются фазовые эффекты, инициируемые поглощением излучения рабочих частот в оптическом волокне в условиях спектрального уплотнения.

» Читать запись: АНАЛИЗ ПРОПУСКНОЙ СПОСОБНОСТИ ОПТИЧЕСКИХ ВОЛОКОН В УСЛОВИЯХ СПЕКТРАЛЬНОГО УПЛОТНЕНИЯ

ПАРАМАГНИТНЫЕ СВОЙСТВА МИКРОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ПОРОШКОВ СИНТЕТИЧЕСКОГО АЛМАЗА

February 9, 2013

Азарко И. И., Дутов А. Г., Оджаев В. Б., Толстых П. В., Янковский О. Н. Белорусский государственный университет пр. Независимости, 4, г. Минск, 220050, Беларусь e-mail: azarko@bsu.by

Аннотация – Исследовано влияние условий синтеза микрокристаллических порошков алмаза на процессы образования парамагнитных дефектов. Установлено уменьшение количества одиночных атомов азота, находящихся в узлах решетки алмаза (ПЦ Р1) на порядок и более в кристаллах, синтезированных с добавлением бора в шихту.

» Читать запись: ПАРАМАГНИТНЫЕ СВОЙСТВА МИКРОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ПОРОШКОВ СИНТЕТИЧЕСКОГО АЛМАЗА

ВЛИЯНИЕ ДЕФЕКТОВ ИСХОДНОГО КРЕМНИЯ НА ПРОЦЕССЫ ДЕФЕКТООБРАЗОВАНИЯ В ДИОКСИДАХ КРЕМНИЯ

January 29, 2013

Смынтына В. А., Кулинич О. А., Глауберман М. А., Чемересюк Г. Г., Яцунский И. Р., Свиридова О. В. Одесский национальный университет им. И. И. Мечникова ул. Дворянская, 2, Одесса, Украина e-mail: eltech@elaninet.com

Аннотация – Испольауя современные методы исследования определено влияние дефектов исходного кремния на процессы дефектообразования в высокотемпературных и низкотемпературных диоксидах кремния. Установлено, что примеси, и структурные дефекты исходного кремния служат центрами конденсации кристаллических фаз, в окрестностях которых наблюдалась повышенная скорость химического травления диоксида. На пористость диоксидов основное влияние оказывают такие параметры их изготовления как температура и влажность.

» Читать запись: ВЛИЯНИЕ ДЕФЕКТОВ ИСХОДНОГО КРЕМНИЯ НА ПРОЦЕССЫ ДЕФЕКТООБРАЗОВАНИЯ В ДИОКСИДАХ КРЕМНИЯ

ИССЛЕДОВАНИЕ ПРИЧИН КАТАСТРОФИЧЕСКОЙ ДЕГРАДАЦИИ ПАРАМЕТРОВ КРЕМНИЕВЫХ МОП-ТРАНЗИСТОРОВ

April 28, 2012

Кулинич О. А., Глауберман М. А., Чемересюк Г. Г., Яцунский И. Р. Учебно-научно-производственный центр Одесский Национальный Университет им. И. И. Мечникова ул. Маршала Говорова, 4, Одесса – 65063, Украина Тел.: 80482-6072-52, факс: 80482-544491, e-mail: eltech@elaninet.com

» Читать запись: ИССЛЕДОВАНИЕ ПРИЧИН КАТАСТРОФИЧЕСКОЙ ДЕГРАДАЦИИ ПАРАМЕТРОВ КРЕМНИЕВЫХ МОП-ТРАНЗИСТОРОВ

Безызлучательная рекомбинация

November 1, 2011

Очень важно, чтобы для формирования активной области использовались высококачественные материалы, в которых мало точечных дефектов, нежелательных примесей, дислокаций и прочих дефектов, способных привести к созданию глубоких примесных уровней.

» Читать запись: Безызлучательная рекомбинация

микросхемы мощности Устройство импульсов питания пример приемника провода витков генератора выходе напряжение напряжения нагрузки радоэлектроника работы сигнал сигнала сигналов управления сопротивление усилитель усилителя усиления устройства схема теория транзистора транзисторов частоты