Записи с меткой ‘дефекты’

Причины образования структурных дефектов

June 2, 2013

Одной из важнейших практических задач при выращивании эпитаксиальных монокристаллических пленок является выяснение причин образования дефектов. Большая часть исследований посвящена изучению различных стадий роста эпитаксиальных пленок с целью нахождения способов, позволяющих снизить число дефектов в них.

» Читать запись: Причины образования структурных дефектов

Дефекты в полупроводниковых материалах

May 18, 2013

Все природные и синтезированные монокристаллы и в еще большей степени кристаллиты поликристаллов отличаются от идеальных тем, что содержат различные нарушения структуры кристалла. Нарушения идеальной трансляционной симметрии кристалла называются структурными дефектами. Дефекты оказывают существенное влияние на многие параметры твердых тел. К таким параметрам относятся электропроводность, фотопроводимость, теплопроводность, скорость диффузии, магнетизм, твердость, прочность и пластичность, плотность и т. д. Зависимость этих параметров твердого тела от дефектов может оказаться настолько велика, что в итоге они будут определяться не столько исходной структурой материала, сколько типом и числом дефектов в нем. Параметров, не чувствительных к структурным дефектам, строго говоря, нет, но практически такие параметры, как температура плавления, диэлектрическая проницаемость, парамагнитные и диамагнитные характеристики, упругие модули, можно отнести к параметрам, менее чувствительным к дефектам.

» Читать запись: Дефекты в полупроводниковых материалах

ВЛИЯНИЕ ДЕФЕКТОВ ИСХОДНОГО КРЕМНИЯ НА ПРОЦЕССЫ ДЕФЕКТООБРАЗОВАНИЯ В ДИОКСИДАХ КРЕМНИЯ

January 29, 2013

Смынтына В. А., Кулинич О. А., Глауберман М. А., Чемересюк Г. Г., Яцунский И. Р., Свиридова О. В. Одесский национальный университет им. И. И. Мечникова ул. Дворянская, 2, Одесса, Украина e-mail: eltech@elaninet.com

Аннотация – Испольауя современные методы исследования определено влияние дефектов исходного кремния на процессы дефектообразования в высокотемпературных и низкотемпературных диоксидах кремния. Установлено, что примеси, и структурные дефекты исходного кремния служат центрами конденсации кристаллических фаз, в окрестностях которых наблюдалась повышенная скорость химического травления диоксида. На пористость диоксидов основное влияние оказывают такие параметры их изготовления как температура и влажность.

» Читать запись: ВЛИЯНИЕ ДЕФЕКТОВ ИСХОДНОГО КРЕМНИЯ НА ПРОЦЕССЫ ДЕФЕКТООБРАЗОВАНИЯ В ДИОКСИДАХ КРЕМНИЯ

микросхемы мощности Устройство импульсов питания пример приемника провода витков генератора выходе напряжение напряжения нагрузки радоэлектроника работы сигнал сигнала сигналов управления сопротивление усилитель усилителя усиления устройства схема теория транзистора транзисторов частоты