Аннотация – В работе представлены результаты теоретического анализа двух модификаций аксиально-симметрич- ных электронно-оптических систем со сходящейся оптикой на основе ранее разработанного алгоритма. Получена информация о профиле и распределении плотности тока электронного пучка с учетом токооседания на электродах.
» Читать запись: ТЕОРЕТИЧЕСКИЙ АНАЛИЗ АКСИАЛЬНЫХ СИСТЕМ ФОРМИРОВАНИЯ ЭЛЕКТРОННЫХ ПУЧКОВ
Yu. P. Bliokh, G. S. Nusinovich*, J. Felsteiner, Y. Carmel*, A. G. Shkvarunets*, J. C. Rodgers*, V. L. Granatstein* Physics Department, Technion-lsrael Institute of Technology Haifa, Israel *lnstitute for Research in Electronics and Applied Physics, University of Maryland College Park, MD, USA
Костров А. в., Костров В. А., Смирнов Л. И., Стриковский Л. В., Янин Д. В. Институт прикладной физики РАН г. Нижний Новгород, улица Ульянова, д. 46, 603950, Россия Тел.: +7(8312) 164853, e-mail: smimov@appl.sci-nnov.ru
Аннотация – С помощью резонансного СВЧ-зонда на отрезке двухпроводной ЛИНИИ исследована динамика изменения ПЛОТНОСТИ сыпучих сред в газовом потоке. Разработан и изготовлен промышленный высокотемпературный датчик ПЛОТНОСТИ кипящего слоя в реакторе дегидрирования.
Masoud Movahhedi, AbdolAli Abdipour Microwave/mm-wave & Wireless communication research Lab., Electrical Engineering Department, Amirkabir University of Technology, Tehran, Iran E-mail: Movahhedi@aut.ac.ir, Abdipour@aut.ac.ir
Abstract – A new wavelet-based simulation approach for the analysis and simulation of microwave/mm-wave transistors is presented. For the first time in the literature, Daubechies-base wavelet approach is applied to semiconductor equations to generate a nonuniform mesh. This allows forming fine and coarse grids in locations where variable solutions change rapidly and slowly, respectively. The procedure of nonuniform mesh generation is described in details by simulating a MESFET. It is shown that good accuracy can be achieved while compressing the number of unknown by 70%.’
Гоков А. М., Тырнов О. Ф. Харьковский национальный университет им. В. Н. Каразина пл. Свободы 4, Харьков – 61077, Украина Тел.: (80572) 7051251; e-mail: Alexander.M.Gokov@univer.kharkov.ua
Fig. 1. Electron density variations during terminator passage