Записи с меткой ‘density’

ТЕОРЕТИЧЕСКИЙ АНАЛИЗ АКСИАЛЬНЫХ СИСТЕМ ФОРМИРОВАНИЯ ЭЛЕКТРОННЫХ ПУЧКОВ

February 28, 2013

Аннотация – В работе представлены результаты теоретического анализа двух модификаций аксиально-симметрич- ных электронно-оптических систем со сходящейся оптикой на основе ранее разработанного алгоритма. Получена информация о профиле и распределении плотности тока электронного пучка с учетом токооседания на электродах.

» Читать запись: ТЕОРЕТИЧЕСКИЙ АНАЛИЗ АКСИАЛЬНЫХ СИСТЕМ ФОРМИРОВАНИЯ ЭЛЕКТРОННЫХ ПУЧКОВ

RECENT PROGRESS IN THE PASOTRON STUDIES

February 27, 2013

Yu. P. Bliokh, G. S. Nusinovich*, J. Felsteiner, Y. Carmel*, A. G. Shkvarunets*, J. C. Rodgers*, V. L. Granatstein* Physics Department, Technion-lsrael Institute of Technology Haifa, Israel *lnstitute for Research in Electronics and Applied Physics, University of Maryland College Park, MD, USA

» Читать запись: RECENT PROGRESS IN THE PASOTRON STUDIES

ДИАГНОСТИКА КИПЯЩЕГО СЛОЯ С ПОМОЩЬЮ РЕЗОНАНСНОГО СВЧ-ЗОНДА НА ОТРЕЗКЕ ДВУХПРОВОДНОЙ ЛИНИИ

February 9, 2013

Костров А. в., Костров В. А., Смирнов Л. И., Стриковский Л. В., Янин Д. В. Институт прикладной физики РАН г. Нижний Новгород, улица Ульянова, д. 46, 603950, Россия Тел.: +7(8312) 164853, e-mail: smimov@appl.sci-nnov.ru

Аннотация – С помощью резонансного СВЧ-зонда на отрезке двухпроводной ЛИНИИ исследована динамика изменения ПЛОТНОСТИ сыпучих сред в газовом потоке. Разработан и изготовлен промышленный высокотемпературный датчик ПЛОТНОСТИ кипящего слоя в реакторе дегидрирования.

» Читать запись: ДИАГНОСТИКА КИПЯЩЕГО СЛОЯ С ПОМОЩЬЮ РЕЗОНАНСНОГО СВЧ-ЗОНДА НА ОТРЕЗКЕ ДВУХПРОВОДНОЙ ЛИНИИ

A WAVELET-BASED TECHNIQUE TO DECREASE FULL-WAVE SIMULATION TIME OF MICRO WAVE/M M-WAVE TRANSISTORS

April 25, 2012

Masoud Movahhedi, AbdolAli Abdipour Microwave/mm-wave & Wireless communication research Lab., Electrical Engineering Department, Amirkabir University of Technology, Tehran, Iran E-mail: Movahhedi@aut.ac.ir, Abdipour@aut.ac.ir

Abstract – A new wavelet-based simulation approach for the analysis and simulation of microwave/mm-wave transistors is presented. For the first time in the literature, Daubechies-base wavelet approach is applied to semiconductor equations to generate a nonuniform mesh. This allows forming fine and coarse grids in locations where variable solutions change rapidly and slowly, respectively. The procedure of nonuniform mesh generation is described in details by simulating a MESFET. It is shown that good accuracy can be achieved while compressing the number of unknown by 70%.’

» Читать запись: A WAVELET-BASED TECHNIQUE TO DECREASE FULL-WAVE SIMULATION TIME OF MICRO WAVE/M M-WAVE TRANSISTORS

ОСОБЕННОСТИ ДИНАМИКИ НИЖНЕЙ ИОНОСФЕРЫ, ОБУСЛОВЛЕННЫЕ УТРЕННИМ СОЛНЕЧНЫМ ТЕРМИНАТОРОМ

April 23, 2012

Гоков А. М., Тырнов О. Ф. Харьковский национальный университет им. В. Н. Каразина пл. Свободы 4, Харьков – 61077, Украина Тел.: (80572) 7051251; e-mail: Alexander.M.Gokov@univer.kharkov.ua

Fig. 1. Electron density variations during terminator passage

» Читать запись: ОСОБЕННОСТИ ДИНАМИКИ НИЖНЕЙ ИОНОСФЕРЫ, ОБУСЛОВЛЕННЫЕ УТРЕННИМ СОЛНЕЧНЫМ ТЕРМИНАТОРОМ

микросхемы мощности Устройство импульсов питания пример приемника провода витков генератора выходе напряжение напряжения нагрузки радоэлектроника работы сигнал сигнала сигналов управления сопротивление усилитель усилителя усиления устройства схема теория транзистора транзисторов частоты