Записи с меткой ‘device’

ОПТИЧЕСКИЙ «РУКАВ»

January 26, 2013

Потылицын Н. п., Белоножко М. А. ООО «Бета ТВ ком» ул. Университетская, 112, г. Донецк, 83004, Украина тел./факс: (062)-381-81-85, e-mail: betatvcom@dptm.donetsk.ua

» Читать запись: ОПТИЧЕСКИЙ «РУКАВ»

УСИЛИТЕЛЬНО-ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬНЫЙ МОДУЛЬ МОНОИМПУЛЬСНОГО ПРИЕМНИКА

July 1, 2012

Бузлов А. А., Парликов В. И., Сосков Ю. А. ОАО НИЭМИ концерна "ПВО Алмаз-Антей" ул. Верейская 41, Москва 121471, Россия тел.: 095-4489475, факс: 095-4437959

Аннотация В докладе изложены результаты разработки малошумящего усилительно-преобразовательного модуля сантиметрового диапазона для моноимпульсной РЛС. Рассматриваются особенности построения модуля, приведены результаты экспериментальных измерений.

» Читать запись: УСИЛИТЕЛЬНО-ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬНЫЙ МОДУЛЬ МОНОИМПУЛЬСНОГО ПРИЕМНИКА

СЕМЕЙСТВО ВЫСОКОЧАСТОТНЫХ ДРЕЙФОВЫХ ДИОДОВ ДЛЯ ГЕНЕРАЦИИ ИМПУЛЬСНЫХ СИГНАЛОВ ПИКОСЕКУНДНОЙ ДЛИТЕЛЬНОСТИ

June 20, 2012

Козлов В. А., Смирнова И. А., Морякова С. А., Кардо-Сысоев А. Ф. Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН ул. Политехническая, 26, Санкт-Петербург 194021, Россия Тел.: (812) 2479972; e-mail: irina.smirnova@mail.ioffe.ru

Аннотация Изготовлены и исследованы дрейфовые диоды с резким восстановлением, обладающие быстродействием -100 пс и временной стабильностью момента переключения ~10 пс. Диоды предназначены для генерации мощных пикосекундных импульсных сигналов, используемых в технике сверхширокополосной беспроводной связи, радиолокации, навигации и дистанционного зондирования.

» Читать запись: СЕМЕЙСТВО ВЫСОКОЧАСТОТНЫХ ДРЕЙФОВЫХ ДИОДОВ ДЛЯ ГЕНЕРАЦИИ ИМПУЛЬСНЫХ СИГНАЛОВ ПИКОСЕКУНДНОЙ ДЛИТЕЛЬНОСТИ

СТАТИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ПЕРЕСЕКАЮЩИХСЯ КВАНТОВЫХ ПРОВОДОВ

May 2, 2012

Обухов И. А., Квяткевич И. И., Лавренчук А. А., Румянцев С. В. Интерфейс – МФГ, ул. Бардина, д. 4, корп. 3, Москва – 117334, Россия тел.: +7 (095) 105-0049, 232-29-97, e-mail: obukhov@interface-mfg.ru

Puc. 3. Потенциальный рельеф и энергия Ферми Ql/1/Y при нулевом смещении.

» Читать запись: СТАТИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ПЕРЕСЕКАЮЩИХСЯ КВАНТОВЫХ ПРОВОДОВ

НОВЫЕ ВОЗМОЖНОСТИ ФУНКЦИОНАЛЬНОГО и КОНСТРУКТОРСКОГО ПРОЕКТИРОВАНИЯ И ДИАЛОГОВОЙ ПРОГРАММЫ ПОЛЬЗОВАТЕЛЯ ДЛЯ СИСТЕМЫ СКВОЗНОГО ЦИКЛА ПРОЕКТИРОВАНИЯ ПОЛОСКОВЫХ УСТРОЙСТВ СВЧ

April 28, 2012

Сергеев А. А., Данилочкина Е. Н., Пронина Г. А. ОАО “НПО “АПМАЗ” имени академика А. А. Расплетина Москва – 125178, Россия Тел.: (095) 9439203; e-mail: sergalal@mtu-net.ru Надеждин Б. Б., Поляков Г. Б.

ФГУП ЦНИРТИ, Москва – 105066, Россия Тел.: (095) 2639800; e-mail: bornad@ok.ru

» Читать запись: НОВЫЕ ВОЗМОЖНОСТИ ФУНКЦИОНАЛЬНОГО и КОНСТРУКТОРСКОГО ПРОЕКТИРОВАНИЯ И ДИАЛОГОВОЙ ПРОГРАММЫ ПОЛЬЗОВАТЕЛЯ ДЛЯ СИСТЕМЫ СКВОЗНОГО ЦИКЛА ПРОЕКТИРОВАНИЯ ПОЛОСКОВЫХ УСТРОЙСТВ СВЧ

A WAVELET-BASED TECHNIQUE TO DECREASE FULL-WAVE SIMULATION TIME OF MICRO WAVE/M M-WAVE TRANSISTORS

April 25, 2012

Masoud Movahhedi, AbdolAli Abdipour Microwave/mm-wave & Wireless communication research Lab., Electrical Engineering Department, Amirkabir University of Technology, Tehran, Iran E-mail: Movahhedi@aut.ac.ir, Abdipour@aut.ac.ir

Abstract – A new wavelet-based simulation approach for the analysis and simulation of microwave/mm-wave transistors is presented. For the first time in the literature, Daubechies-base wavelet approach is applied to semiconductor equations to generate a nonuniform mesh. This allows forming fine and coarse grids in locations where variable solutions change rapidly and slowly, respectively. The procedure of nonuniform mesh generation is described in details by simulating a MESFET. It is shown that good accuracy can be achieved while compressing the number of unknown by 70%.’

» Читать запись: A WAVELET-BASED TECHNIQUE TO DECREASE FULL-WAVE SIMULATION TIME OF MICRO WAVE/M M-WAVE TRANSISTORS

АВТОМАТИЧЕСКАЯ КАЛИБРОВКА ВЕКТОРНОГО АНАЛИЗАТОРА ЦЕПЕЙ

April 9, 2012

Свирид М. С., Гусинский А. В., Кострикин А. М. Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники Минск – 220013, Респудлика Беларусь Тел.: +375-17-2398496, e-mail:gusin@cit.org.by, http://www.mwmlab.com

» Читать запись: АВТОМАТИЧЕСКАЯ КАЛИБРОВКА ВЕКТОРНОГО АНАЛИЗАТОРА ЦЕПЕЙ

ВЛИЯНИЕ МЕЖДОЛИННОГО РАССЕЯНИЯ НА ВАХ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ С ОДНИМ ТУННЕЛЬНЫМ ПЕРЕХОДОМ И ПРОТЯЖЕННЫМИ ПРИКОНТАКТНЫМИ ОБЛАСТЯМИ

April 1, 2012

Абрамов И. И., Гончаренко И. А., Коломейцева Н. В. Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники П. Бровки, 6, Минск – 220013, Беларусь e-mail: nanodev@bsuir.edu.by

где

V, В

Рис. 1. Сравнение рассчитанных ВАХ прибора для различных констант взаимодействия a .

» Читать запись: ВЛИЯНИЕ МЕЖДОЛИННОГО РАССЕЯНИЯ НА ВАХ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ С ОДНИМ ТУННЕЛЬНЫМ ПЕРЕХОДОМ И ПРОТЯЖЕННЫМИ ПРИКОНТАКТНЫМИ ОБЛАСТЯМИ

микросхемы мощности Устройство импульсов питания пример приемника провода витков генератора выходе напряжение напряжения нагрузки радоэлектроника работы сигнал сигнала сигналов управления сопротивление усилитель усилителя усиления устройства схема теория транзистора транзисторов частоты