Записи с меткой ‘devices’

SELF-OSCILLATING MIXER EHF OF THE MEZA-PLANAR GUNN DIODES

February 23, 2013

Votoropin S. D. Joint-Stock Company «Research institute of semiconductor devices» Tomsk, Russia e-mail: votoropin@mail. tomsknet. ru

Abstract-Tbe design simplicity, high sensitivity and low cost of self-oscillating mixer (SOM, autodyne) Gunn diode modules result in their preferable use in widely employed radio devices compared to modules with homodyne circuit designs. These advantages of autodyne modules are particularly appreciated in a millimeter-wave Band and are also implemented in their integral circuit designs [1-5].

» Читать запись: SELF-OSCILLATING MIXER EHF OF THE MEZA-PLANAR GUNN DIODES

ОСОБЕННОСТИ ВАРЬИРОВАНИЯ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТИ СВЕРХПРОВОДНИКОВЫХ ДАТЧИКОВ-ОГРАНИЧИТЕЛЕЙ

January 8, 2013

д.                             Б. Кучер, С. А. Зайцев, А. И.Харланов, М. В. Степанова СВМИ им. П. С. Нахимова ул. Дыбенко, 1а, г. Севастополь, 99035, Украина тел.:8(0692)-533606, e-mail: 244257@rambler.ru

Аннотация – В работе рассматривается возможность применения тонких пленок высокотемпературных сверхпроводников ДЛЯ реализации быстродействующей защиты систем передачи информации от мощных электромагнитных излучений искусственного происхождения и возможность уменьшения времени срабатывания приборов, построенных на основе данных пленок, в случае помещения их в постоянное магнитное поле.

» Читать запись: ОСОБЕННОСТИ ВАРЬИРОВАНИЯ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТИ СВЕРХПРОВОДНИКОВЫХ ДАТЧИКОВ-ОГРАНИЧИТЕЛЕЙ

ИСТОРИЯ, СОСТОЯНИЕ И ТЕНДЕНЦИИ РАЗВИТИЯ ТЕМАТИКИ АКТИВНЫХ СВЧ УСТРОЙСТВ В ЦНИРТИ – ЧАСТЬ 3

June 13, 2012

•        Быстрое становление и развитие твердотельного направления в Истоке с конца 60-х годов привело к серийному выпуску многих типов полупроводниковых приборов, ГИС и МИС на их основе. Была создана технология ГИС, принятая за основу во всей отрасли, впервые в мире предложен лавинно-пролетный диод (открытие 1959 г.), изобретен транзистор с высокой подвижностью носителей (НЕМТ 1980 г.), предложены новые виды транзисторов и резонансно-туннельных диодов (А. С. Тагер, С. А. Перегонов, Г. А. Крысов,

» Читать запись: ИСТОРИЯ, СОСТОЯНИЕ И ТЕНДЕНЦИИ РАЗВИТИЯ ТЕМАТИКИ АКТИВНЫХ СВЧ УСТРОЙСТВ В ЦНИРТИ – ЧАСТЬ 3

НАЛИЧИЕ МИКРОВОЛНОВОЙ КОМПОНЕНТЫ В ИЗЛУЧЕНИИ СВЕТОТЕРАПЕВТИЧЕСКИХ АППАРАТОВ

April 11, 2012

Гуляр С. А., Куценко В. П., Лиманский Ю. П., Мацибура А. П., Тамарова 3. А., Руденко И. В., Яненко А. Ф. Научно-исследовательский центр квантовой медицины “Bidayк” М3 Украины Ул. Владимирская 61 «б», Киев-01033, Украина Тел. +38 (044) 2271126; e-mail: sitko@i.kiev.ua Институт физиологии им. А. А. Богомольца НАН Украины Ул. Богомольца, 4, Киев-01024, Украина Тел.: +38 (044) 2358335; e-mail: guiyar@zepterua.com

» Читать запись: НАЛИЧИЕ МИКРОВОЛНОВОЙ КОМПОНЕНТЫ В ИЗЛУЧЕНИИ СВЕТОТЕРАПЕВТИЧЕСКИХ АППАРАТОВ

микросхемы мощности Устройство импульсов питания пример приемника провода витков генератора выходе напряжение напряжения нагрузки радоэлектроника работы сигнал сигнала сигналов управления сопротивление усилитель усилителя усиления устройства схема теория транзистора транзисторов частоты