Записи с меткой ‘diodes’

SELF-OSCILLATING MIXER EHF OF THE MEZA-PLANAR GUNN DIODES

February 23, 2013

Votoropin S. D. Joint-Stock Company «Research institute of semiconductor devices» Tomsk, Russia e-mail: votoropin@mail. tomsknet. ru

Abstract-Tbe design simplicity, high sensitivity and low cost of self-oscillating mixer (SOM, autodyne) Gunn diode modules result in their preferable use in widely employed radio devices compared to modules with homodyne circuit designs. These advantages of autodyne modules are particularly appreciated in a millimeter-wave Band and are also implemented in their integral circuit designs [1-5].

» Читать запись: SELF-OSCILLATING MIXER EHF OF THE MEZA-PLANAR GUNN DIODES

PHYSICS-TECHNOLOGICAL FABRICATION FEATURES AND PARAMETERS OF InP MM-WAVE GUNN DIODES

February 6, 2013

I. N. Arsentiev\ A. E. Belyaev^, A. V. Bobyl\ N. S. Boltovets^, V. N. Ivanov^, V. M. Kovtonyuk^,

R. V. Konakova^, Ya. Ya. Kudryk , V. V. Milenin^, I. S. Tarasov\ E. P. Markovskyi^, R. A. Red’ko^, E. V. Russu^

^Ioffe Physico-Technical Institute RAN 26 Politekhnicheskaya St., Sankt-Peterburg, 194021 Russia e-mail: arsentyev@mail.ioffe.ru; Ph.: +{7-812) 247-91-34 ^V. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics of the National Academy of Sciences of Ukraine

» Читать запись: PHYSICS-TECHNOLOGICAL FABRICATION FEATURES AND PARAMETERS OF InP MM-WAVE GUNN DIODES

ДЕТЕКТОРЫ С НИЗКОБАРЬЕРНЫМИ ДИОДАМИ ШОТТКИ ДЛЯ МАТРИЧНЫХ СИСТЕМ ВИДЕНИЯ МИЛЛИМЕТРОВОГО ДИАПАЗОНА

January 23, 2013

Шашкин В. И., Дрягин Ю. А.*, Закамов В. Р., Кривов С. В.*, Кукин Л. М.*, Мурель А. В., Чеченин Ю. И. Институт физики микроструктур Российской Академии Наук *Институт прикладной физики Российской Академии Наук г. Нижний Новгород, ГСП-120, 603950, Россия тел.: +7(8312) 38-55-36; e-mail: sha@ipm.sci-nnov.ru

» Читать запись: ДЕТЕКТОРЫ С НИЗКОБАРЬЕРНЫМИ ДИОДАМИ ШОТТКИ ДЛЯ МАТРИЧНЫХ СИСТЕМ ВИДЕНИЯ МИЛЛИМЕТРОВОГО ДИАПАЗОНА

ОДИННАДЦАТИКАНАЛЬНЫИ ШИРОКОПОЛОСНЫМ СВЧ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ

July 29, 2012

Владимиров В. М., Кулинич С. Н., Савин А. К., Шихов Ю. Г., Югай* В. В. Красноярский научный центр СО РАН, ФГУП* «НПП «Радиосвязь» Академгородок, Красноярск 660036, Россия, тел.: 3912-494494, e-mail: kulinich(8)_ksc.krasn.ru

Аннотация Разработан одиннадцатиканальный переключатель лучевого типа с Гобразными элементарными ключами на основе p-i-n диодов. Показан простой способ увеличения развязок в каналах, заключающийся в применении оптимизированных управляющих токов смещения параллельных p-i-n-диодов. Проведена оптимизация основных параметров переключателя с использованием полной электродинамической компьютерной модели. Определены диссипативные потери, КСВ и верхняя граница частотного диапазона одиннадцатиканального переключателя.

» Читать запись: ОДИННАДЦАТИКАНАЛЬНЫИ ШИРОКОПОЛОСНЫМ СВЧ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ

ММ WAVES BAND RADIOMETRIC SENSOR FOR ARRAY RECEVER

July 11, 2012

Kuzmin S. E., Radzikhovsky V. N.

State Research Center “Iceberg”, Kiev, Ukraine Phone: (044) 4783145, E-mail: iceberq@ukrpack.net

In 3 mm wavelengths band the small-sized radiometric sensor has been developed as a base element for design of multichannel receiving array. The heterodyne circuit with input mixer has been chosen for sensor design. The block diagram of the sensor (Fig. 1) includes the following: the mixer operating in a double-sideband (DSB) mode, intermediate frequency amplifier (IFA), square-law detector and low frequency amplifier (LFA). The conical horn is used at sensor’s input as a feed of the main antenna.

» Читать запись: ММ WAVES BAND RADIOMETRIC SENSOR FOR ARRAY RECEVER

ГЕНЕРАТОР ММ-ДИАПАЗОНА НА ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНО ВКЛЮЧЁННЫХ GaAs-ДИОДДХ ГАННА

May 11, 2012

Прохоров Э. Д., Дядченко А. В., Мишнёв А. А., Боцула О. В. Харьковский национальный университет им. В. Н. Каразина Украина, 61077, Харьков, пл. Свободы 4 Тел.: (057) 705-12-62

Аннотация – Экспериментально исследована совместная работа последовательно включенных диодов Ганна в резонаторе 8-мм диапазона. Определены условия, при которых возможно увеличение мощности при работе связки диодов и увеличение коэффициента полезного действия связки диодов. Экспериментально в 8мм-диапазоне на частотах 37,2 ГГц получены мощности ~ 120 мВт от 2-х диодов Ганна, включенных последовательно.

» Читать запись: ГЕНЕРАТОР ММ-ДИАПАЗОНА НА ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНО ВКЛЮЧЁННЫХ GaAs-ДИОДДХ ГАННА

КВЧ-ГЕНЕРАТОР С УМНОЖЕНИЕМ ЧАСТОТЫ

April 21, 2012

Перфильев В. И. НИИ полупроводниковых приборов г. Томск – 634048, Россия Плаксин С. В., Соколовский И. И. Институт транспортных систем и технологий НАН Украины «Трансмаг» ул. Писаржевского, 5, г. Днепропетровск – 49005, Украина Тел.: +8(056) 3702182; e-mail: svp@westa-inter.com

» Читать запись: КВЧ-ГЕНЕРАТОР С УМНОЖЕНИЕМ ЧАСТОТЫ

Монтаж светодиодов методом перевернутых кристаллов

August 30, 2011

 

Для светодиодов с двумя верхними контактами, например InGaN/GaN, выращенных на сапфировых подложках, используют два типа монтажа: с нормальным расположением кристаллов (эпитаксиаль- ный слои сверху) и с перевернутыми кристаллами. Монтаж методом перевернутых кристаллов (флип-чип-монтаж), при котором кристалл

» Читать запись: Монтаж светодиодов методом перевернутых кристаллов

Зеркальные и диффузные отражатели

August 30, 2011

В зеркальных отражателях угол отражения лучей равен углу их падения. Зеркальные отражатели являются детерминированными устройствами, поскольку в них углы отражения всегда задаются углами падения лучей. Диффузные отражатели ведут себя противоположным образом, что показано на рис. 10.16. Интенсивность отраженного излучения в них распределена по широкому диапазону углов, независящих от углов падения лучей. Далее будут рассмотрены свойства ламбертовских источников излучения и ламбертовских отражателей, после чего перейдем к вопросам их использования в структурах светодиодов.

» Читать запись: Зеркальные и диффузные отражатели

УФ-светодиоды, излучающие на длинах волн меньше 360 нм

August 27, 2011

Активные области светодиодов, излучающих в УФ-диапазоне с длинами волн меньше 360 нм, обычно формируются из AlGaNили в виде множественных квантовых ям Al^Gai-xN/AlyGai-yN. Такие светодиоды,. как правило, обладают довольно низким внешним квантовым выходом, обычно менее 1 %, хотя в последние годы и здесь наблюдается значительный прогресс (Zhangetal., 2002а, 2003; Yasanetal., 2002; Kipshidzeetal., 2003; Fischeretal., 2004; Kimetal., 2004; Oderetal., 2004; Razeghi, Henini, 2004; Shakyaetal., 2004) 0.

» Читать запись: УФ-светодиоды, излучающие на длинах волн меньше 360 нм

микросхемы мощности Устройство импульсов питания пример приемника провода витков генератора выходе напряжение напряжения нагрузки радоэлектроника работы сигнал сигнала сигналов управления сопротивление усилитель усилителя усиления устройства схема теория транзистора транзисторов частоты