Записи с меткой ‘дислокаций’

Двумерные дефекты – основы материаловедения

May 29, 2013

Под двумерными дефектами понимают такие нарушения в идеальном расположении атомов в кристалле, которые обладают большой протяженностью в двух измерениях при незначительной (в несколько межатомных расстояний) протяженности в третьем.

Малоугловые границы. Бюргерс предположил, что граница соединения двух монокристаллических блоков, разориентированных друг от

» Читать запись: Двумерные дефекты – основы материаловедения

Свойства  дислокаций – основы материаловедения

May 14, 2013

1. Дислокации не могут обрываться внутри кристалла и должны либо замыкаться сами на себя, либо разветвляться на  другие  дислокации, либо выходить на поверхность кристалла. Это свойство является следствием того, что линия дислокации представляет собой кривую, вдоль которой вектор Бюргерса b остается постоянным. Для узла разветвляющихся дислокаций справедлива теорема, аналогичная теореме Кирхгофа для разветвляющихся линий токов: если все дислокации соединяются в одной точке пересечения, то сумма их векторов Бюргерса должна быть равна нулю, например, b1 + b2 + b3 = 0. Разветвляясь и снова сливаясь, дислокации образуют в кристалле плоские и пространственные сетки, определяющие мозаичную структуру кристалла.

» Читать запись: Свойства  дислокаций – основы материаловедения

Особенности   гетероэпитаксии – основы материаловедения

May 12, 2013

До сих пор мы не разделяли гомои гетероэпитаксию. Однако при гетероэпитаксиальном выращивании пленок существуют специфические проблемы. Одна из них — это вопрос о характере сопряжения кристаллических решеток выращиваемой пленки и подложки на границе раздела. Приведем основные из существующих представлений по этому вопросу.

» Читать запись: Особенности   гетероэпитаксии – основы материаловедения

Дислокации – основы материаловедения

May 4, 2013

Дислокации — линейные дефекты кристаллической решетки типа обрыва или сдвига атомных плоскостей, нарушающие правильность их чередования. Энергия образования дислокаций существенно выше энергии образования точечных дефектов, поэтому они не могут существовать в измеримых концентрациях как термодинамически устойчивые дефекты. Они легко образуются при выращивании монокристаллов или эпитаксиальных пленок, сопровождающемся термическими, механическими и концентрационными напряжениями, приводящими к пластической деформации кристалла. Часть дислокаций может сохраняться в кристалле даже после самого тщательного отжига. Более подробно вопрос о причинах возникновения дислокаций будет рассмотрен при обсуждении методов выращивания монокристаллов и эпитаксиальных пленок (см. гл. 6

» Читать запись: Дислокации – основы материаловедения

Эффекты, обусловленные ретроградной растворимостью – основы материаловедения

April 29, 2013

Представленные на рис. 8.11 температурные зависимости растворимости быстро диффундирующих примесей могут обусловливать эффекты обратимых изменений концентрации электрически активных примесей. Например, если примесь введена диффузией при достаточно высокой температуре, когда ее растворимость близка к максимальной, то последующее понижение температуры делает соответствующий твердый раствор пересыщенным. В таких условиях, как и любая неравновесная система, раствор стремится перейти в термодинамически равновесное состояние, соответствующее меньшей концентрации электрически активной примеси. Избыток ее должен выделиться во вторую фазу, то есть перейти в электрически неактивное состояние. Подобный эффект в полупроводниках носит название «осаждения примесей», а параметром, контролирующим его скорость, является коэффициент диффузии соответствующей примеси.

» Читать запись: Эффекты, обусловленные ретроградной растворимостью – основы материаловедения

Влияние дислокаций на некоторые физические свойства кристалла

April 25, 2013

Дислокации влияют не только на механические свойства кристаллов (пластичность, прочность),9 для которых наличие дислокаций является определяющим, но и на другие физические свойства кристаллов, например, на электрические.

Дислокации подобно примесным атомам и собственным точечным дефектам могут создавать дополнительные электронные состояния в запрещенной зоне. Например, при наличии краевой дислокации атомы, образующие край атомной полуплоскости (линию дислокации), имеют ненасыщенные связи. Неспаренные электроны атомов с оборванными связями приводят к появлению дополнительных состояний. При этом возможны два случая:

» Читать запись: Влияние дислокаций на некоторые физические свойства кристалла

Дислокации в нитридах III группы

September 29, 2011

Наиболее распространенным материалом подложек для эпитаксиального выращивания GaNявляется сапфир, обладающий постоянны-

‘) См. приоритетные работы [4, 5].

ми термическими, химическими и механическими характеристиками. Однако у сапфира кристаллическая структура корунда, в то время как нитриды третьей группы имеют структуру вюрцита. К тому же различаются и значения постоянных решеток сапфира и GaN. Все это ведет к возникновению в эпитаксиальных пленках GaN, выращенных на сапфировых подложках, проникающих и краевых дислокаций несоответствия, плотности которых обычно составляют

» Читать запись: Дислокации в нитридах III группы

микросхемы мощности Устройство импульсов питания пример приемника провода витков генератора выходе напряжение напряжения нагрузки радоэлектроника работы сигнал сигнала сигналов управления сопротивление усилитель усилителя усиления устройства схема теория транзистора транзисторов частоты