Записи с меткой ‘единичного’

-преобразование и системная функция дискретной цепи

April 25, 2012

Литература: [Л.1], стр. 396-399, 404-405

[Л.2], стр. 256-261, 270-271

                                                                 [Л.3], стр. 207-212, 215-217

В выражение (8.41) входят функции ответствует точке с координатами ,  (рис. 8.9). При движении точки на плос-кости вдоль оси  соответствующая ей точка описывает окружность единичного радиуса на -плоскости. При этом один оборот точки соответствует изменению частоты от  до . Точки, лежащие в левой полуплоскости внутри области  однозначно отображаются внутри круга единичного радиуса – плоскости.

» Читать запись: -преобразование и системная функция дискретной цепи

Высокие частоты и биполярный транзистор

December 27, 2011

Емкость база—эмиттер

В подразд. 1.3.10 было показано, что смещенный в обратном направлении p-n-переход, такой как переход коллектор—база, ведет себя подобно конденсатору, у которого емкость зависит от площади перехода и глубины обедненного слоя. Смещенный в прямом направлении р-п-переход, такой как переход база-эмиттер, также обладает емкостью СЬе, которая оказывается включенной параллельно с обычным сопротивлением в прямом направлении. У эффективной емкости р-п-перехода, смещенного в прямом направлении, имеются две основные составляющие. Первая из них — это просто емкость обедненного слоя, который у перехода, смещенного в прямом направлении, уже, чем у перехода, смещенного в обратном направлении, и поэтому при смещении в прямом направлении емкость больше; вторая составляющая полной емкости является результатом конечной скорости диффузии неосновных носителей по /?-и-переходу. Из-за сравнительно медленной диффузии этих носителей они оказываются как бы временно скопившимися в полупроводниковом материале, тогда как приложенный извне сигнал меняется быстро; этот запас заряда ведет себя по отношению к внешнему сигналу подобно заряду на пластинах обычного конденсатора. Когда напряжение в поданном извне сигнале мгновенно уменьшается, изменению коллекторного тока должно предшествовать удаление носителей из базы. Типичное значение эффективной емкости перехода база—эмиттер у маломощного кремниевого транзистора — примерно от 100 до 1000 пФ; на высоких частотах эта емкость оказывает существенное шунтирующее действие в отношении базового тока, приводя к падению коэффициента усиления тока hfe для переменных составляющих.

» Читать запись: Высокие частоты и биполярный транзистор

микросхемы мощности Устройство импульсов питания пример приемника провода витков генератора выходе напряжение напряжения нагрузки радоэлектроника работы сигнал сигнала сигналов управления сопротивление усилитель усилителя усиления устройства схема теория транзистора транзисторов частоты