Записи с меткой ‘эмиттер’

Отбор IGBT транзисторов

August 20, 2013

В силу сложности своего внутреннего устройства транзисторы IGBT требуют более тщательного и глубокого анализа информации, содержащейся в технической документации. И здесь очень важно иметь как можно более подробную техническую информацию «от производителя». Ведущие зарубежные фирмы давно научились не экономить на информационной поддержке и бесплатно предоставлять разработчику огромное количество параметров, графиков режимов, примеров типовых применений, чего не скажешь, к сожалению, о фирмах отечественных с их скудными рекламными материалами. Поэтому мы воспользуется технической информацией, предоставляемой фирмой «International Rectifier». Кстати, эта фирма не без основания гордится тем, что наиболее полно обеспечивает разработчиков справочной информацией.

» Читать запись: Отбор IGBT транзисторов

Процессы, происходящие при коммутации IGBT транзисторов

August 12, 2013

Теперь рассмотрим более подробно процессы, происходящие при коммутации IGBT транзисторов, используя такую же методику, которая применялась нами для транзисторов MOSFET, то есть при условии подачи на затвор прямоугольных импульсов с высокой крутизной фронтов и спадов. Но вначале предупредим читателя, что в составе IGBT прибора также имеются паразитные межэлектродные емкости, которые «затягивают» динамические процессы (рис. 2.1.32). Далее мы увидим, что в транзисторе IGBT также действует эффект Миллера, предпосылкой к возникновению которого является емкость Cgc.

» Читать запись: Процессы, происходящие при коммутации IGBT транзисторов

Перспективы в области создания новых модификаций транзисторов IGBT

July 21, 2013

А теперь мы поговорим о том, какие направления на сегодняшний момент являются «передним краем» области создания новых модификаций транзисторов IGBT. Поскольку рассматриваемый нами тип транзистора находит применение в направлениях электронной техники, где необходимо управлять большими токами при высоком напряжении, актуальной остается задача повышения максимально-допустимого напряжения «коллекор—эмиттер». Если работы в этом направлении пойдут успешно, то в ближайшем будущем IGBT смогут полностью вытеснить мощные высоковольтные тиристоры, которые традиционно применяются в электроэнергетическом оборудовании, где, как известно, напряжения измеряются десятками киловольт, а токи — десятками тысяч ампер.

» Читать запись: Перспективы в области создания новых модификаций транзисторов IGBT

Широтно-импульсная модуляция в силовой электронике

July 21, 2013

Если источник питания, показанный на схеме Рис. 13.1, быстро подключать к нагрузке и отключать от нее, то получатся графики напряжения, приведенные на том же рисунке внизу. Изменением рабочего цикла включено-выключено в этой схеме можно получить среднее значение напряжения на нагрузке от (почти) нуля до (почти) полного напряжения питания. Слово «почти» добавлено потому, что реальные ключи всегда имеют минимальное время включенного и выключенного состояний, которые не позволяют достичь средним напряжением на нагрузке точно нуля или точно полного выходного напряжения источника питания. Ключи могут быть полностью включены или выключены, но на краях диапазона регулировки всегда существуют маленькие зоны нарушения работы ключей.

» Читать запись: Широтно-импульсная модуляция в силовой электронике

НОВАЯ ТЕХНОЛОГИЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МОЩНЫХ СВЧ-ТРАНЗИСТОРОВ

April 7, 2012

Снитовский ю. п. Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники ул. П. Бровки, 6, Минск – 220027, Беларусь Тел.: +10-375-017-234-73-84; e-mail: travelink@nsys.by

Аннотация – Представлены результаты экспериментальной оценки параметров мощных СВЧ-транзисторов в диапазоне частот выше 1 ГГц. Конфигурация эмиттерного и коллекторного переходов воплощает новую концепцию, согласно которой коэффициент инжекции увеличивается благодаря латеральной инжекции. Облучение ионами фосфора омических контактов Mo-n+Si с последующим низкотемпературным отжигом снижает величину контактного сопротивления рк и повышает скорость рекомбинации не основных носителей в зоне контакта.

» Читать запись: НОВАЯ ТЕХНОЛОГИЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МОЩНЫХ СВЧ-ТРАНЗИСТОРОВ

Тестирование транзисторов

January 31, 2012

В экспериментальной электронике полезно иметь простой метод тестирования транзисторов. Двумя параметрами, которые лучше всего указывают на исправность транзистора, являются ток утечки коллектор—эмиттер ICEQ и коэффициент усиления постоянного тока hFE. Оба они измеряются в схеме, приведенной на рис. 1.17. Когда ключ S разомкнут, ток базы не течет, и миллиамперметр в коллекторной цепи показывает ток утечки 1СЕ0. Когда ключ замкнут, базовый ток около 10 мкА течет через резистор R (около 0,6 В падает на переходе база—эмиттер, так что 1В = (9 — 0,6)/820 ООО = 10 мкА). Таким образом, усиленный ток в коллекторной цепи равен hFE/100 мА.

» Читать запись: Тестирование транзисторов

Усилитель напряжения

January 25, 2012

Точно так же, как в телеграфе Морзе роль сигналов играет последовательность импульсов напряжения, сигналами в электронных схемах обычно являются постоянные или переменные напряжения. Такие устройства, как головка звукоснимателя или микрофон, создают переменное напряжение, которое должно быть усилено прежде, чем им можно будет воспользоваться. Некоторые источники сигналов, такие как фототранзистор и некоторые детекторы ядерного излучения, могут быть источниками тока, который, как правило, еще до усиления преобразуется в напряжение. Поэтому наиболее важны усилители напряжения и, несмотря на то что биполярный транзистор работает как устройство, усиливающее ток, основное применение он находит в усилителях напряжения.

» Читать запись: Усилитель напряжения

Транзистор

December 31, 2011

Биполярный транзистор состоит из двух /?-«-переходов, образованных слоями полупроводников с примесями. На рис. 1.13 показана самая простая конструкция «-p-n-транзистора. Тонкий слой слабо легированного полупроводника р-типа (база) расположен между двумя более толстыми слоями р-типа (эмиттер и коллектор). Толщина базы может быть меньше 1 мк.

» Читать запись: Транзистор

Коллекторные характеристики

December 18, 2011

Способ измерения и результаты

С помощью измерительной схемы, приведенной на рис. 6.4, можно построить выходные характеристики транзистора в схеме с общим эмиттером. Резистором RVX устанавливается фиксированный ток базы 1В, который измеряется микроамперметром Mv Потенциометр RV2 используется для задания ряда значений напряжения коллектор—эмиттер Vcp измеряемых вольтметром Му Результирующий ток коллектора /с измеряется миллиамперметром Мг

» Читать запись: Коллекторные характеристики

микросхемы мощности Устройство импульсов питания пример приемника провода витков генератора выходе напряжение напряжения нагрузки радоэлектроника работы сигнал сигнала сигналов управления сопротивление усилитель усилителя усиления устройства схема теория транзистора транзисторов частоты