Записи с меткой ‘эмиттером’

Биполярный транзистор – Полупроводниковая силовая электроника

May 8, 2015

Биполярный транзистор — это полупроводниковый прибор, изготовленный в виде трехслойной полупроводниковой структуры, образующей два близко расположенных р-п-перехода. Транзистор имеет три вывода: «эмиттер», «база», «коллектор».

» Читать запись: Биполярный транзистор – Полупроводниковая силовая электроника

Введение в электронику: Транзисторы полевые и однопереходные

June 20, 2014

Кроме классических биполярных транзисторов существуют и так называемые униполярные транзисторы, например однопереходные и полевые, основанные на полевом эффекте FET (Field Effect Transistor). Как и биполярные, они бывают двух типов и имеют три электрода (рис. 1.14). Электродами полевых транзисторов являются: затвор – 3, сток – С, соответствующий коллектору, и исток – И, отождествляемый с эмиттером.

» Читать запись: Введение в электронику: Транзисторы полевые и однопереходные

Схемы включения транзистора – для новичков в радиоделе

June 19, 2014

Рассматривая схемы разных электронных устройств, можно увидеть, что транзисторы далеко не всегда включены так, как нарисовано выше Действительно, мы использовали для входного сигнала выводы транзистора база и эмиттер А для выходного  сигнала использовали выводы коллектор и эмиттер Такое включение транзистора называется включением с общим эмиттером Эмиттер служит общим выводом и для входного, и для выходного сигнала

» Читать запись: Схемы включения транзистора – для новичков в радиоделе

Рабочая точка транзистора – для новичков в радиоделе

May 2, 2014

Когда мы ранее рассчитывали номиналы резисторов для рабочего питания транзистора, мы использовали самую простую схему включения транзистора Причина в том, что эту схему легче всего рассчитать Но на протяжении рассказа я не раз упоминал, что при протекании тока через транзистор на нём рассеивается мощность в виде тепла Из чего следует, что, работая, транзистор нагревается А нагреваясь…

» Читать запись: Рабочая точка транзистора – для новичков в радиоделе

Автомат управления температурой. Линник  М.

April 12, 2014

Работа этого автомата основана на эффекте лавинного пробоя полупроводникового перехода в транзисторе Суть этого эффекта состоит в следующем Если в схеме с общим эмиттером сопротивление резистора, включенного в цепь базы, меньше сопротивления эмиттерного перехода транзистора, с увеличением напряжения коллектор-эмиттер почти весь ток протекает через этот резистор и на нем растет падение напряжения При определенном напряжении возникает пробой коллектор ного перехода Тогда сопротивление между коллектором и эмиттером зависит только от эмиттерного перехода и доходит до единиц ом, а ток может измеряться амперами Ограничение тока установкой резистора в цепь коллектора предотвращает тепловой пробой, выводящий транзистор из строя Многие биполярные транзисторы могут работать в лавинном режиме Принципиальная схема автомата на транзисторе П416Б в лавинном режиме приведена на рис 11

» Читать запись: Автомат управления температурой. Линник  М.

Транзистор – усилительный элемент

September 5, 2012

    
   

   Транзистор является трехэлектродным полупроводни­ковым прибором. Его основой (базой), как и у полупро-водникового диода, которому был посвящен третий прак­тикум, служит пластинка полупроводника, но в объеме этого полупроводника искусственно созданы две проти­воположные ему по – электропроводности области (рис. 26). Пластинка полупроводника и две области в ней образуют два р-n перехода. Если две крайние области обладают электропроводностью R-типа, а пластинка электропроводностью n-типа, такой транзистор имеет структуру р-n(рис. 26, а). Если, наоборот, электро­проводность крайних областей «-типа, а пластинки — р-типа, такой транзистор имеет структуру n-р-n (рис. 26, б).

» Читать запись: Транзистор – усилительный элемент

Линия нагрузки и насыщения

January 23, 2012

На рис. 6.7, а показано семейство коллекторных характеристик в интервале таких значений напряжений и токов, которые характерны для рассмотренных в гл. 1 каскадов усилителей с включением транзистора по схеме с общим эмиттером. Выходная цепь такой схемы изображена на рис. 6.7, б. На характеристиках проведена прямая линия XY. Это — линия нагрузки для 9-вольтового источника питания (Vcc) и коллекторной нагрузки RL = 4,5 кОм, представляющая траекторию, в соответствии с которой должны изменяться коллекторное напряжение и ток при данном резисторе нагрузки и напряжении питания Vcc.

» Читать запись: Линия нагрузки и насыщения

УСИЛИТЕЛЬ НА ТРАНЗИСТОРЕ

January 11, 2012

Принцип работы транзистора подробно описан выше. Поэтому мы рассмотрим лишь принцип работы усилителя на транзисторе, не вдаваясь глубоко в физику процессов, происходящих в транзисторе.

Обратимся к принципиальной схеме усилителя на транзисторе типа р-п-р, который включен по схеме с общим эмиттером (рис. 70,в). Сравнивая эту схему со схемой усилителя рис. 70,а, можно заметить их большое сходство. В усилителе на транзисторе база играет как бы роль управляющей сетки лампы, сопротивление нагрузки включено в цепь коллектора, который выполняет роль анода. Эмиттер, как и катод в лампе на рис. 70,а, подключен к точке, являющейся общей как для входной, так и выходной цепи. Несмотря на то что физические процессы в транзисторе совершенно отличны от процессов в радиолампе, приведенная выше аналогия помогает лучше усвоить принцип работы усилителя на транзисторе. Для того чтобы понять принцип работы усилителя, как и в ламповом усилителе, мы используем характеристику транзистора, показывающую величину тока коллектора транзистора в" зависимости от напряжения между базой и эмиттером. Эта характеристика, называемая характеристикой прямой передачи, снятая для транзистора П14 при RK =4 ком и Ек = —10 в, приведена на рис. 73.

» Читать запись: УСИЛИТЕЛЬ НА ТРАНЗИСТОРЕ

Эквивалентная схема и коэффициент усиления для схемы с общим эмиттером

December 28, 2011

Имея в виду коллекторные характеристики, мы знаем теперь, что биполярный транзистор является почти идеальным источником тока. Этот факт облегчает вычисление выходного напряжения, развивающегося на коллекторном резисторе нагрузки в усилителе напряжения. На рис. 6.12, а показана выходная цепь каскада усилителя с нагрузкой RL в коллекторе транзис-

» Читать запись: Эквивалентная схема и коэффициент усиления для схемы с общим эмиттером

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ТРИОДЫ (ТРАНЗИСТОРЫ)

December 27, 2011

Полупроводниковые триоды, так же как и диоды, разделяются на плоскостные (слоистые) и точечные.

Плоскостной полупроводниковый триод содержит в себе пластинку, вырезанную из монокристалла германия, состоящую из трех областей с разными типами проводимости. Две крайние области всегда обладают одинаковым типом проводимости, противоположным по отношению к средней. Так, если средняя область имеет дырочную проводимость, то обе крайние области обязательно обладают электронной проводимостью. Триоды, у которых средняя область обладает электронной проводимостью, сокращенно называются триодами р-п-р типа, а у которых средняя область обладает дырочной проводимостью, — триодами п-р-п типа. Физические процессы, происходящие в триодах п-р-п типа, аналогич: ны процессам, протекающим в триодах р-п-р типа.

» Читать запись: ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ТРИОДЫ (ТРАНЗИСТОРЫ)

микросхемы мощности Устройство импульсов питания пример приемника провода витков генератора выходе напряжение напряжения нагрузки радоэлектроника работы сигнал сигнала сигналов управления сопротивление усилитель усилителя усиления устройства схема теория транзистора транзисторов частоты