Записи с меткой ‘эпитаксиальных’

Причины образования структурных дефектов

June 2, 2013

Одной из важнейших практических задач при выращивании эпитаксиальных монокристаллических пленок является выяснение причин образования дефектов. Большая часть исследований посвящена изучению различных стадий роста эпитаксиальных пленок с целью нахождения способов, позволяющих снизить число дефектов в них.

» Читать запись: Причины образования структурных дефектов

Эпитаксия из газообразной фазы – основы материаловедения

May 24, 2013

Процессы, происходящие при выращивании эпитаксиальных пленок методом газовой эпитаксии с помощью химических реакций, по существу, уже обсуждались при описании выращивания монокристаллов из газовой фазы (см. гл. 6). Рассматривались два основных способа выращивания эпитаксиальных пленок из газовой фазы с помощью химических реакций: 1) метод диссоциации и восстановления газообразных химических соединений и 2) метод газотранспортных реакций.

» Читать запись: Эпитаксия из газообразной фазы – основы материаловедения

Эпитаксия – основы материаловедения

May 17, 2013

Слово эпитаксия состоит из двух греческих слов: «эпи» — «над» и «таксис» — «упорядочивание». Поэтому термин эпитаксия означает наращивание кристаллографически ориентированных монокристаллических слоев на монокристаллические подложки или друг на друга. Монокристаллическая подложка в процессе выращивания играет роль затравочного кристалла.

» Читать запись: Эпитаксия – основы материаловедения

ТОЛЩИННЫЕ ЗАВИСИМОСТИ ФМР в одноосных ГЕКСАФЕРРИТАХ БАРИЯ

January 16, 2013

Костенко В. И., Сорочак А. М., Чамор Т. Г., Чевнюк Л. В. Киевский национальный университет имени Тараса Шевченко ул. Владимирская, 64, г. Киев, 01033, Украина тел.: +38044-526-64-03, e-mail: ctamila@univ.kiev.ua

Аннотация – Экспериментально исследуется влияния толщины ферритового слоя на параметры ФМР при намагничивании вдоль легкой оси в образцах BaFei20i9. Проведено сравнение с теорией магнитостатических колебаний для структуры плоскопараллельных доменов (ППДС) в эпитаксиальных пленках и объемных монокристаллах гексаферрита бария.

» Читать запись: ТОЛЩИННЫЕ ЗАВИСИМОСТИ ФМР в одноосных ГЕКСАФЕРРИТАХ БАРИЯ

ЛЕГИРОВАННЫЕ ГЕРМАНИЕМ ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ СЛОИ КРЕМНИЯ ДЛЯ СВЧ-ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ

August 7, 2012

Бринкевич Д. И., Просолович В. С., Янковский О. Н., Янковский Ю. Н. Белорусский государственный университет пр. Ф. Скарыны, 4, Минск 220050, Беларусь Тел: 017-2095051; e-mail: brinkevich(8)_.bsu.bv

» Читать запись: ЛЕГИРОВАННЫЕ ГЕРМАНИЕМ ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ СЛОИ КРЕМНИЯ ДЛЯ СВЧ-ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ

микросхемы мощности Устройство импульсов питания пример приемника провода витков генератора выходе напряжение напряжения нагрузки радоэлектроника работы сигнал сигнала сигналов управления сопротивление усилитель усилителя усиления устройства схема теория транзистора транзисторов частоты