Одной из важнейших практических задач при выращивании эпитаксиальных монокристаллических пленок является выяснение причин образования дефектов. Большая часть исследований посвящена изучению различных стадий роста эпитаксиальных пленок с целью нахождения способов, позволяющих снизить число дефектов в них.
Записи с меткой ‘эпитаксиальных’
Причины образования структурных дефектов
June 2, 2013
Эпитаксия из газообразной фазы – основы материаловедения
May 24, 2013
Процессы, происходящие при выращивании эпитаксиальных пленок методом газовой эпитаксии с помощью химических реакций, по существу, уже обсуждались при описании выращивания монокристаллов из газовой фазы (см. гл. 6). Рассматривались два основных способа выращивания эпитаксиальных пленок из газовой фазы с помощью химических реакций: 1) метод диссоциации и восстановления газообразных химических соединений и 2) метод газотранспортных реакций.
» Читать запись: Эпитаксия из газообразной фазы – основы материаловедения
Эпитаксия – основы материаловедения
May 17, 2013
Слово эпитаксия состоит из двух греческих слов: «эпи» — «над» и «таксис» — «упорядочивание». Поэтому термин эпитаксия означает наращивание кристаллографически ориентированных монокристаллических слоев на монокристаллические подложки или друг на друга. Монокристаллическая подложка в процессе выращивания играет роль затравочного кристалла.
ТОЛЩИННЫЕ ЗАВИСИМОСТИ ФМР в одноосных ГЕКСАФЕРРИТАХ БАРИЯ
January 16, 2013
Костенко В. И., Сорочак А. М., Чамор Т. Г., Чевнюк Л. В. Киевский национальный университет имени Тараса Шевченко ул. Владимирская, 64, г. Киев, 01033, Украина тел.: +38044-526-64-03, e-mail: ctamila@univ.kiev.ua
Аннотация – Экспериментально исследуется влияния толщины ферритового слоя на параметры ФМР при намагничивании вдоль легкой оси в образцах BaFei20i9. Проведено сравнение с теорией магнитостатических колебаний для структуры плоскопараллельных доменов (ППДС) в эпитаксиальных пленках и объемных монокристаллах гексаферрита бария.
» Читать запись: ТОЛЩИННЫЕ ЗАВИСИМОСТИ ФМР в одноосных ГЕКСАФЕРРИТАХ БАРИЯ
ЛЕГИРОВАННЫЕ ГЕРМАНИЕМ ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ СЛОИ КРЕМНИЯ ДЛЯ СВЧ-ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ
August 7, 2012
Бринкевич Д. И., Просолович В. С., Янковский О. Н., Янковский Ю. Н. Белорусский государственный университет пр. Ф. Скарыны, 4, Минск 220050, Беларусь Тел: 017-2095051; e-mail: brinkevich(8)_.bsu.bv
» Читать запись: ЛЕГИРОВАННЫЕ ГЕРМАНИЕМ ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ СЛОИ КРЕМНИЯ ДЛЯ СВЧ-ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ
Причины образования структурных дефектов
June 2, 2013Эпитаксия из газообразной фазы – основы материаловедения
May 24, 2013Процессы, происходящие при выращивании эпитаксиальных пленок методом газовой эпитаксии с помощью химических реакций, по существу, уже обсуждались при описании выращивания монокристаллов из газовой фазы (см. гл. 6). Рассматривались два основных способа выращивания эпитаксиальных пленок из газовой фазы с помощью химических реакций: 1) метод диссоциации и восстановления газообразных химических соединений и 2) метод газотранспортных реакций.
» Читать запись: Эпитаксия из газообразной фазы – основы материаловедения
Эпитаксия – основы материаловедения
May 17, 2013Слово эпитаксия состоит из двух греческих слов: «эпи» — «над» и «таксис» — «упорядочивание». Поэтому термин эпитаксия означает наращивание кристаллографически ориентированных монокристаллических слоев на монокристаллические подложки или друг на друга. Монокристаллическая подложка в процессе выращивания играет роль затравочного кристалла.
ТОЛЩИННЫЕ ЗАВИСИМОСТИ ФМР в одноосных ГЕКСАФЕРРИТАХ БАРИЯ
January 16, 2013Костенко В. И., Сорочак А. М., Чамор Т. Г., Чевнюк Л. В. Киевский национальный университет имени Тараса Шевченко ул. Владимирская, 64, г. Киев, 01033, Украина тел.: +38044-526-64-03, e-mail: ctamila@univ.kiev.ua
Аннотация – Экспериментально исследуется влияния толщины ферритового слоя на параметры ФМР при намагничивании вдоль легкой оси в образцах BaFei20i9. Проведено сравнение с теорией магнитостатических колебаний для структуры плоскопараллельных доменов (ППДС) в эпитаксиальных пленках и объемных монокристаллах гексаферрита бария.
» Читать запись: ТОЛЩИННЫЕ ЗАВИСИМОСТИ ФМР в одноосных ГЕКСАФЕРРИТАХ БАРИЯ
ЛЕГИРОВАННЫЕ ГЕРМАНИЕМ ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ СЛОИ КРЕМНИЯ ДЛЯ СВЧ-ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ
August 7, 2012Бринкевич Д. И., Просолович В. С., Янковский О. Н., Янковский Ю. Н. Белорусский государственный университет пр. Ф. Скарыны, 4, Минск 220050, Беларусь Тел: 017-2095051; e-mail: brinkevich(8)_.bsu.bv
» Читать запись: ЛЕГИРОВАННЫЕ ГЕРМАНИЕМ ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ СЛОИ КРЕМНИЯ ДЛЯ СВЧ-ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ