Записи с меткой ‘галлия’

Примеси в полупроводниковых соединениях – основы материаловедения

May 27, 2013

Рассмотрим поведение примесей в полупроводниковых соединениях на примере соединений типа AIIIBV. Поведение примесей в соединениях типа AIIIBV так же, как и в элементарных полупроводниках, определяется положением примеси в периодической системе, однако оно становится более сложным из-за усложнения строения основного вещества. В соединениях возрастает число различных позиций, которые могут занимать примесные атомы.

» Читать запись: Примеси в полупроводниковых соединениях – основы материаловедения

монолитный СВЧ АТТЕНЮАТОР С БОЛЬШОЙ ГЛУБИНОЙ РЕГУЛИРОВКИ ВНОСИМОГО ЗАТУХАНИЯ ДЛЯ ДИАПАЗОНА ЧАСТОТ 0-3 ГГц

January 21, 2013

Попов м. А., Толстолуцкий С. И., Синявский Г. П., Лерер А. М., Лабунько О. С. Ростовский государственный университет ул. Зорге, 5, г. Ростов-на-Дону, Россия

Аннотация – Разработана и изготовлена монолитная интегральная схема СВЧ аттенюатора на арсениде галлия с большой глубиной регулировки модуля коэффициента передачи. Экспериментально исследованы S-параметры в диапазоне частот от О до 3,0 ГГц.

» Читать запись: монолитный СВЧ АТТЕНЮАТОР С БОЛЬШОЙ ГЛУБИНОЙ РЕГУЛИРОВКИ ВНОСИМОГО ЗАТУХАНИЯ ДЛЯ ДИАПАЗОНА ЧАСТОТ 0-3 ГГц

твердотельный управляемый фазовращатель 0-45 град. для ДИАПАЗОНА 3-4,5 ГГц

January 18, 2013

Толстолуцкий с. и., Попов М. А., Толстолуцкая А. В., Ли А. И., Казачков В. В. Ростовский НИИ радиосвязи ул. Нансена, 130, г. Ростов-на-Дону, 344038, Россия тел.: (863)-2340133

Аннотация – Представлены результаты разработки твердотельного СВЧ фазовращателя, изготовленного в виде монолитной интегральной схемы на арсениде галлия размером 3,2×1,7×0,125 мм^. Исследованы характеристики в широком диапазоне частот. В диапазоне частот 3-4,5 ГГц получены вносимые потери менее 3,0 дБ при изменении фазы на 45° (на частоте 4,5 ГГц) и КСВН не более 2,4.

» Читать запись: твердотельный управляемый фазовращатель 0-45 град. для ДИАПАЗОНА 3-4,5 ГГц

ТВЕРДОТЕЛЬНЫЙ ДВУХКАНАЛЬНЫЙ СВЧ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ НА АРСЕНИДЕ ГАЛЛИЯ ДЛЯ ДИАПАЗОНА 0-6 ГГц

January 7, 2013

С. И. Толстолуцкий, м. А. Попов, А. В. Толстолуцкая, А. И. Ли, В. В. Казачков, В. П. Комор Ростовский НИИ радиосвязи ул. Нансена, 130, г. Ростов-на-Дону, 344038, Россия тел.: 863-2340133

Аннотация – Представлены результаты разработки широкополосного твердотельного СВЧ переключателя 1×2, изготовленного в виде монолитной интегральной схемы на арсениде галлия размером 1,7×1,1×0,125 мм^. Исследованы характеристики в диапазоне частот от О до 6 ГГц. Получены вносимые потери в открытом канале менее 2,2 дБ, в закрытом канале более 35 дБ.

» Читать запись: ТВЕРДОТЕЛЬНЫЙ ДВУХКАНАЛЬНЫЙ СВЧ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ НА АРСЕНИДЕ ГАЛЛИЯ ДЛЯ ДИАПАЗОНА 0-6 ГГц

микросхемы мощности Устройство импульсов питания пример приемника провода витков генератора выходе напряжение напряжения нагрузки радоэлектроника работы сигнал сигнала сигналов управления сопротивление усилитель усилителя усиления устройства схема теория транзистора транзисторов частоты