Записи с меткой ‘германии’

Оборудование компании «Телефункен»

January 17, 2014

Появлению немецкой компании «Телефункен» на российском рынке беспроводной связи способствовали сложившиеся за долгие годы экономические контакты России и Германии. Предпочтение немецкой компании, оказываемое различными российскими ведомствами при размещении радиотехнических заказов, объяснялось тем, что представители Германии вели свою деятельность в России в области телеграфии с середины XIX в. Начиная с 1853 г. в течение нескольких десятилетий, это был «Торговый дом «Сименс и Гальске». В 1898 г. его преемником стало «АО Русских электротехнических заводов «Сименс и Гальске»», которое в 1903 г., заключив соответствующий договор с компанией «Телефункен», превратилось в его филиал (с сохранением своего названия). К тому же, многие русские инженеры либо учились, либо совершенствовали свои знания в Германии. Да и в целом, немецкое влияние на все стороны российской жизни в те годы было очень велико.

» Читать запись: Оборудование компании «Телефункен»

Эффекты, обусловленные ретроградной растворимостью – основы материаловедения

April 29, 2013

Представленные на рис. 8.11 температурные зависимости растворимости быстро диффундирующих примесей могут обусловливать эффекты обратимых изменений концентрации электрически активных примесей. Например, если примесь введена диффузией при достаточно высокой температуре, когда ее растворимость близка к максимальной, то последующее понижение температуры делает соответствующий твердый раствор пересыщенным. В таких условиях, как и любая неравновесная система, раствор стремится перейти в термодинамически равновесное состояние, соответствующее меньшей концентрации электрически активной примеси. Избыток ее должен выделиться во вторую фазу, то есть перейти в электрически неактивное состояние. Подобный эффект в полупроводниках носит название «осаждения примесей», а параметром, контролирующим его скорость, является коэффициент диффузии соответствующей примеси.

» Читать запись: Эффекты, обусловленные ретроградной растворимостью – основы материаловедения

Примеси в элементарных полупроводниках

April 25, 2013

Поведение примесей в элементарных полупроводниках рассмотрим на примере их поведения в германии и кремнии. Напомним, что главным образом это поведение определяется положением примесей в периодиче

Таблица 3.2. Термическая энергия ионизации примесей элементов VA, IIIA подгрупп и Li в Si и Ge [32].

» Читать запись: Примеси в элементарных полупроводниках

микросхемы мощности Устройство импульсов питания пример приемника провода витков генератора выходе напряжение напряжения нагрузки радоэлектроника работы сигнал сигнала сигналов управления сопротивление усилитель усилителя усиления устройства схема теория транзистора транзисторов частоты