Все современные светодиоды разрабатываются на основе гетеропереходов. Устройства на гетеропереходах состоят из полупроводников двух типов: с узкой запрещенной зоной для создания активной области и с широкой запрещенной зоной для формирования барьерных слоев. Если в состав структуры входят два барьерных слоя, она называется двойной гетероструктурой (часто используется сокращение ДГС или DH).

» Читать запись: Распределение носителей в р-n-гетеропереходах