Записи с меткой ‘группы’

Универсальные осциллографы группы С1

January 10, 2015

Развитие этой группы приборов на новой полупроводниковой и микроэлектронной базе проходило в направлении расширения полосы пропускания при высокой чувствительности, а также повышения эксплуатационных характеристик (масса, габариты, потребляемая мощность). Одновременно для этих приборов, регистрирующих сигналы в реальном масштабе времени, были разработаны новые ЭЛТ с большим экраном, внутренней шкалой и высокой фотографической скоростью записи.

» Читать запись: Универсальные осциллографы группы С1

Влияние состава сплава и природы диффундирующего вещества на скорость и параметры диффузии

June 11, 2013

Диффузия в полупроводниковых материалах имеет ряд особенностей. Важнейшей из этих особенностей является наличие в полупроводниках электрически активных примесей и собственных дефектов, прежде всего вакансий. Кулоновское взаимодействие между ними изменяет подвижность, концентрацию и характер распределения дефектов и соответственно условия и скорость диффузии. Важно также, что влияние примесей в полупроводниках проявляется при весьма малых концентрациях. Кроме того, на процессы диффузии в полупроводниках сказывается и низкая компактность решеток последних.

» Читать запись: Влияние состава сплава и природы диффундирующего вещества на скорость и параметры диффузии

Диффузия в германии и кремнии – основы материаловедения

June 9, 2013

К настоящему времени наиболее полные данные о коэффициентах диффузии различных примесей получены для германия и кремния. Первоначально основное внимание при исследовании диффузии было сосредоточено на определении коэффициентов диффузии тех примесей, которые существенно изменяли электрические свойства этих полупроводников и приводили к возникновению p n-переходов. К таким примесям прежде всего относятся элементы IIIA и VA подгрупп таблицы Менделеева, которые образуют с германием и кремнием, как правило, твердые растворы замещения и создают в запрещенной зоне «мелкие» водородоподобные энергетические уровни. Эти примеси сравнительно легко ионизуются, поэтому в широком интервале температур являются основными источниками носителей тока; при этом приводимость Ge и Si изменяется в большом диапазоне (на несколько порядков).

» Читать запись: Диффузия в германии и кремнии – основы материаловедения

Степень ионности связи – основы материаловедения

May 8, 2013

Очевидно, что химическая связь в полупроводниковых соединениях является полярной ковалентной связью (ковалентно-ионной). Рассмотрим теперь вопрос о распределении электронной плотности между компонентами соединения.

При «чистой ковалентной» связи электронная плотность распределена совершенно симметрично между одинаковыми атомами, и ее центр симметрии располагается в середине межатомного расстояния. В «чисто ионных» соединениях распределение электронной плотности таково, что она в основном сосредоточена вокруг каждого иона и обладает (приближенно) сферической симметрией. В случае же промежуточной, ковалентно-ионной связи, логично предположить, что центр симметрии электронного облака смещен от середины межатомного расстояния к одному из соседних атомов. Величина этого смещения определяет степень ионности связи δ. Очевидно, что степень ионности связи должна быть пропорциональна разности электроотрицательностей.

» Читать запись: Степень ионности связи – основы материаловедения

Основные группы полупроводниковых материалов

April 23, 2013

В настоящее время известно 104 химических элемента, из них 79 металлов и 25 неметаллов. Среди последних 13 элементов проявляют полупроводниковые, а остальные 12 — диэлектрические свойства (см. табл. 1.1).

Но кроме элементарных полупроводников насчитываются сотни и даже тысячи соединений, твердых растворов, обладающих полупроводниковыми свойствами. Поэтому было бы целесообразно классифицировать полупроводниковые материалы.

» Читать запись: Основные группы полупроводниковых материалов

Поляризационные эффекты в нитридах П1 группы

October 13, 2011

Наиболее распространенной при эпитаксиальном выращивании нитридов III группы является плоскость с гексагональной структуры типа вюрцита. На каждой из двух поверхностей слоя нитрида в процессе выращивания формируются поляризационные заряды, что приводит к появлению в слое внутреннего электрического поля, оказывающего сильное влияние на оптические и электрические свойства этого класса полупроводников.

» Читать запись: Поляризационные эффекты в нитридах П1 группы

198УТ1А 198УТ1Б,К198УТ1А, К198УТ1Б, КР198УТ1 А, КР198УТ1Б

October 5, 2011

Микросхемы представляют собой многофункциональный дифференциальный усилитель общего назначения.

» Читать запись: 198УТ1А 198УТ1Б,К198УТ1А, К198УТ1Б, КР198УТ1 А, КР198УТ1Б

Дислокации в нитридах III группы

September 29, 2011

Наиболее распространенным материалом подложек для эпитаксиального выращивания GaNявляется сапфир, обладающий постоянны-

‘) См. приоритетные работы [4, 5].

ми термическими, химическими и механическими характеристиками. Однако у сапфира кристаллическая структура корунда, в то время как нитриды третьей группы имеют структуру вюрцита. К тому же различаются и значения постоянных решеток сапфира и GaN. Все это ведет к возникновению в эпитаксиальных пленках GaN, выращенных на сапфировых подложках, проникающих и краевых дислокаций несоответствия, плотности которых обычно составляют

» Читать запись: Дислокации в нитридах III группы

Активация примесей в нитридах III группы

September 2, 2011

При работе с материалами на основе нитридов III группы возникают дополнительные трудности, вызванные необходимостью активации примесей, что связано с двумя особенностями таких полупроводников.

—   В рассматриваемых материалах происходит химическая компенсация акцепторов за счет присоединения к ним атомов водорода. Отрицательный заряд ионизированных акцепторов компенсируется положительно заряженными ионами водорода, в избытке присутствующими при эпитаксиальном выращивании. Другими возможными источниками водорода являются метиловые (-СНз) и этиловые (-С2Н5) группы металлоорганических соединений, аммиак (NH3)и водород из газа-носителя Н2.

» Читать запись: Активация примесей в нитридах III группы

микросхемы мощности Устройство импульсов питания пример приемника провода витков генератора выходе напряжение напряжения нагрузки радоэлектроника работы сигнал сигнала сигналов управления сопротивление усилитель усилителя усиления устройства схема теория транзистора транзисторов частоты