Записи с меткой ‘heterostructures’

МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВАЯ ЭПИТАКСИЯ ГЕТЕРОСТРУКТУР НА ОСНОВЕ МАТЕРИАЛОВ ТИПА А3В5 ДЛЯ СВЧ-ТРАНЗИСТОРОВ

January 12, 2013

Журавлев К. С., Торопов А. И., Мансуров В. Г. Институт физики полупроводников, Сибирское отделение Российской Академии наук пр. Ак. Лаврентьева, 13, г. Новосибирск, 603950, Россия тел.: 383-304474, e-mail: zhur@thermo.isp.nsc.ru

» Читать запись: МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВАЯ ЭПИТАКСИЯ ГЕТЕРОСТРУКТУР НА ОСНОВЕ МАТЕРИАЛОВ ТИПА А3В5 ДЛЯ СВЧ-ТРАНЗИСТОРОВ

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ ДЛЯ ЛАЗЕРОВ И ПОЛЕВЫХ СВЧ-ТРАНЗИСТОРОВ

June 27, 2012

Ж. И. Алферов, Н. А. Малеев, Н. Н. Леденцов, В. М. Устинов Физико-технический институт им. Иоффе РАН 194021, г. С-Петербург, Политехничская, 26 * тел. (+7-812) 247-91-32, e-mail: maleev@beam.ioffe.rssi.ru


Аннотация Представлены результаты по разработке конструкций и технологии изготовления эпитаксиальных гетероструктур для полевых СВЧ-транзисторов и полупроводниковых лазеров различного типа. Разработана технология получения гетероструктур в системах материалов AIGaAs/lnGaAs/GaAs, InAIAs/lnGaAs/lnP и AIGaN/GaN для полевых СВЧ-транзисторов. На основе псевдоморфных гетероструктур AIGaAs/lnGaAs/GaAs изготовлены полевые СВЧтранзисторы с коэффициентом шума 0,6-0,8 дБ при коэффициенте усиления свыше 11 дБ на частоте 12 ГГц. Методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках арсенида галлия получены гетероструктуры с квантовыми точками InAs/lnGaAs, на основе которых созданы одномодовые лазерные диоды и вертикально-излучающие лазеры (ВИЛ) диапазона длин волн 1300 нм. Разработана технология изготовления ВИЛ диапазона длин волн 960-980 нм с пороговыми токами менее 1 мА и максимальной выходной мощностью в непрерывном режиме при комнатной температуре более 3 мВт, пригодных для использования в монолитных матричных излучателях.

» Читать запись: ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ ДЛЯ ЛАЗЕРОВ И ПОЛЕВЫХ СВЧ-ТРАНЗИСТОРОВ

микросхемы мощности Устройство импульсов питания пример приемника провода витков генератора выходе напряжение напряжения нагрузки радоэлектроника работы сигнал сигнала сигналов управления сопротивление усилитель усилителя усиления устройства схема теория транзистора транзисторов частоты