Записи с меткой ‘implantation’

ИССЛЕДОВАНИЕ НАНОМАСШТАБНОЙ СТРУКТУРЫ БЛИЖНЕГО ПОЛЯ ИЗЛУЧЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ЛАЗЕРА

July 31, 2012

Гайкович К. П., Дряхлушин В. Ф., Жилин А. В. Институт физики микроструктур РАН ГСП-105, Н. Новгород 603950, Россия Тел.: (8312)675037; факс: (8312)675553; e-mail: gaitfbjpm.sci-nnov.ru

Аннотация Представлены результаты исследования структуры ближнего поля полупроводникового лазера по данным сканирующей ближнепольной оптической микроскопии (СБОМ). Достигнутое высокое разрешение позволило зарегистрировать тонкую наномасштабную структуру неоднородностей излучения, которая может быть обусловлена наномасштабными неоднородностями излучающей поверхности лазера.. Разрешающая способность системы СБОМ, определяемая эффективным размером апертуры зонда, составляла ~50-100 нм, т.е. много меньше рабочей длины волны. Дальнейшее увеличение разрешения (до 2030 нм) достигалось путём учёта формы аппаратной функции с помощью деконволюции получаемых двумерных изображений методом Тихонова. Обнаруженные в результате анализа вариации излучения с амплитудой 3-4% имели характерный размер ~50 нм, сравнимый с наблюдавшимися одновременно с помощью атомно-силового микроскопа неоднородностями излучающей поверхности лазера.

» Читать запись: ИССЛЕДОВАНИЕ НАНОМАСШТАБНОЙ СТРУКТУРЫ БЛИЖНЕГО ПОЛЯ ИЗЛУЧЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ЛАЗЕРА

микросхемы мощности Устройство импульсов питания пример приемника провода витков генератора выходе напряжение напряжения нагрузки радоэлектроника работы сигнал сигнала сигналов управления сопротивление усилитель усилителя усиления устройства схема теория транзистора транзисторов частоты