Записи с меткой ‘инжекции’

ВИРТУАЛЬНЫЙ АНОД КАК ИСТОЧНИК НИЗКОЧАСТОТНЫХ КОЛЕБАНИЙ СИЛЬНОТОЧНОГО ЭЛЕКТРОННОГО ПУЧКА

July 20, 2012

Марков П. И., Онищенко И. Н., Сотников Г. В. Национальный Научный Центр «Харьковский физико-технический институт» 61108, Академическая 1, Харьков, Украина Тел.: (0572) 35-66-23; e-mail: pmarkov@kipt.kharkov.ua

где М — масса, у, — релятивистский фактор, г, — радиус пучка ионов.

» Читать запись: ВИРТУАЛЬНЫЙ АНОД КАК ИСТОЧНИК НИЗКОЧАСТОТНЫХ КОЛЕБАНИЙ СИЛЬНОТОЧНОГО ЭЛЕКТРОННОГО ПУЧКА

НЕЛИНЕЙНЫЕ РЕЖИМЫ В КОАКСИАЛЬНОЙ ГИРО-ЛОВ

May 7, 2012

Бородкин А. В., Онищенко И. Н., Сотников Г. В., Хоружий В. М. ННЦ «Харьковский физико-технический институт» ул. Академическая, 1, Харьков 61108, Украина Тел.: (0572) 356623

» Читать запись: НЕЛИНЕЙНЫЕ РЕЖИМЫ В КОАКСИАЛЬНОЙ ГИРО-ЛОВ

НОВАЯ ТЕХНОЛОГИЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МОЩНЫХ СВЧ-ТРАНЗИСТОРОВ

April 7, 2012

Снитовский ю. п. Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники ул. П. Бровки, 6, Минск – 220027, Беларусь Тел.: +10-375-017-234-73-84; e-mail: travelink@nsys.by

Аннотация – Представлены результаты экспериментальной оценки параметров мощных СВЧ-транзисторов в диапазоне частот выше 1 ГГц. Конфигурация эмиттерного и коллекторного переходов воплощает новую концепцию, согласно которой коэффициент инжекции увеличивается благодаря латеральной инжекции. Облучение ионами фосфора омических контактов Mo-n+Si с последующим низкотемпературным отжигом снижает величину контактного сопротивления рк и повышает скорость рекомбинации не основных носителей в зоне контакта.

» Читать запись: НОВАЯ ТЕХНОЛОГИЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МОЩНЫХ СВЧ-ТРАНЗИСТОРОВ

Избыточная концентрация носителей в активной области двойных гетероструктур

August 11, 2011

Другим источником потерь квантового выхода излучения в двойных гетероструктурах является избыточная концентрация носителей в активной области, что происходит при высоких плотностях инжекционного тока. При увеличении тока инжекции происходит рост концентрации носителей в активной области и подъем уровня Ферми. При достаточно высоких плотностях тока положение уровня Ферми достигает верхнего края потенциального барьера. При этом активная область вся заполняется носителями и дальнейшее увеличение плотности инжекционного тока не приводит к росту концентрации носителей в ней. В результате этого интенсивность излучения выходит на насыщение. Даже при довольно высоких потенциальных барьерах сильное повышение плотности тока инжекции вызывает заполнение активной области носителями заряда. В таких случаях утечками носителей в барьерные слои при малых плотностях инжекционного тока можно пренебречь.

» Читать запись: Избыточная концентрация носителей в активной области двойных гетероструктур

микросхемы мощности Устройство импульсов питания пример приемника провода витков генератора выходе напряжение напряжения нагрузки радоэлектроника работы сигнал сигнала сигналов управления сопротивление усилитель усилителя усиления устройства схема теория транзистора транзисторов частоты