Записи с меткой ‘ионности’

Химическая связь в полупроводниковых соединениях – основы материаловедения

May 21, 2013

ANB8−N

Проследим, каким образом реализуется ковалентная связь в полупроводниковых бинарных соединениях ANB8−N, у которых ∆X < 1. Было установлено, что неполярная ковалентная связь, приводящая к формированию алмазоподобной структуры (Zк = 4), наблюдается в гомеополярных кристаллах при образовании в них sp3-гибридных связей. Такие гибридные связи могут образовываться и в соединениях ANB8−N, поскольку во всех них среднее число валентных электронов на атом компонента

» Читать запись: Химическая связь в полупроводниковых соединениях – основы материаловедения

Степень ионности связи – основы материаловедения

May 8, 2013

Очевидно, что химическая связь в полупроводниковых соединениях является полярной ковалентной связью (ковалентно-ионной). Рассмотрим теперь вопрос о распределении электронной плотности между компонентами соединения.

При «чистой ковалентной» связи электронная плотность распределена совершенно симметрично между одинаковыми атомами, и ее центр симметрии располагается в середине межатомного расстояния. В «чисто ионных» соединениях распределение электронной плотности таково, что она в основном сосредоточена вокруг каждого иона и обладает (приближенно) сферической симметрией. В случае же промежуточной, ковалентно-ионной связи, логично предположить, что центр симметрии электронного облака смещен от середины межатомного расстояния к одному из соседних атомов. Величина этого смещения определяет степень ионности связи δ. Очевидно, что степень ионности связи должна быть пропорциональна разности электроотрицательностей.

» Читать запись: Степень ионности связи – основы материаловедения

Металлическая составляющая связи, ионная составляющая связи и ширина запрещенной зоны в полупроводниках

April 21, 2013

Деление веществ по преимущественному характеру межатомной связи (ионная, ковалентная, металлическая) соответствует их качественному делению на диэлектрики, полупроводники и металлы, поскольку характер химической связи определяет физические свойства материалов. Естественно, поэтому предпринимались и предпринимаются многочисленные попытки установить корреляцию между важнейшими параметрами полупроводниковых материалов (шириной запрещенной зоны Eg, подвижностью носителей заряда µ, теплопроводностью κ) и их кристаллохимиче

» Читать запись: Металлическая составляющая связи, ионная составляющая связи и ширина запрещенной зоны в полупроводниках

микросхемы мощности Устройство импульсов питания пример приемника провода витков генератора выходе напряжение напряжения нагрузки радоэлектроника работы сигнал сигнала сигналов управления сопротивление усилитель усилителя усиления устройства схема теория транзистора транзисторов частоты