Существуют значительные различия между параметрами, конструкцией и технологией изготовления маломощных и мощных полевых транзисторов MOSFET (Metal—Oxide—Semiconductor Field-Effect Transistor) [15].
На рис. 2.10 представлен эскиз структуры маломощного МОП транзистора, а на рис. 2.11 — эскиз структуры мощного MOSFET транзистора.
До этого мы говорили о биполярном транзисторе Но нельзя, рассказывая о транзисторе, обойти молчанием такого прекрасного представителя семейства, как полевой или канальный транзистор
» Читать запись: Несколько слов о полевом транзисторе – для новичков в радиоделе
На рис. 2.3, а показана принципиальная конструкция я-канального МОП- транзистора. Стоком и истоком являются области n-типа, сформированные в кремниевом бруске р-типа, который называют подложкой. Затвор представляет собой металлический электрод, изолированный от кремниевого бруска слоем оксида кремния.
(ПТ) обладают большим входным сопротивлением. Обычно такие усилители используются как первые каскады предварительных усилителей, усилителей постоянного тока измерительной и другой радиоэлектронной аппаратуры.