Записи с меткой ‘коллектор’

Биполярный транзистор – Цифровая техника – ЧАСТЬ 1

May 31, 2015

Биполярный транзистор — полупроводниковый прибор, который управляется током и имеет коэффициент усиления больше единицы. Он имеет два р п-перехода и три вывода Эмиттер (Э), база (Б) и коллектор (К). Биполярные транзисторы бывают двух структурр-п р и п p-η. Транзисторы структуры π р п применяются гораздо чаще, чем структуры p-η р. поэтому дальше будут рассматриваться только они. Для транзисторов структуры р-п р справедливо все то. что относится и к структуре п-р п, отличая только в полярности источника питания («плюс» и «минус» нужно поменять местами). Упрощенная структурная схема транзистора нарисована на рис. 1.10. Вывод базы располагается между эмиттером и коплектором, толщина базы очень мала — десятки микрометров (1000 мкм = 1 мм). Бпагодаря наличию двух р-п переходов, любой транзистор (биполярный) можно представить в виде двух диодов: с большим напряжением

» Читать запись: Биполярный транзистор – Цифровая техника – ЧАСТЬ 1

Схемы включения транзистора – для новичков в радиоделе

June 19, 2014

Рассматривая схемы разных электронных устройств, можно увидеть, что транзисторы далеко не всегда включены так, как нарисовано выше Действительно, мы использовали для входного сигнала выводы транзистора база и эмиттер А для выходного  сигнала использовали выводы коллектор и эмиттер Такое включение транзистора называется включением с общим эмиттером Эмиттер служит общим выводом и для входного, и для выходного сигнала

» Читать запись: Схемы включения транзистора – для новичков в радиоделе

Отбор IGBT транзисторов

August 20, 2013

В силу сложности своего внутреннего устройства транзисторы IGBT требуют более тщательного и глубокого анализа информации, содержащейся в технической документации. И здесь очень важно иметь как можно более подробную техническую информацию «от производителя». Ведущие зарубежные фирмы давно научились не экономить на информационной поддержке и бесплатно предоставлять разработчику огромное количество параметров, графиков режимов, примеров типовых применений, чего не скажешь, к сожалению, о фирмах отечественных с их скудными рекламными материалами. Поэтому мы воспользуется технической информацией, предоставляемой фирмой «International Rectifier». Кстати, эта фирма не без основания гордится тем, что наиболее полно обеспечивает разработчиков справочной информацией.

» Читать запись: Отбор IGBT транзисторов

Процессы, происходящие при коммутации IGBT транзисторов

August 12, 2013

Теперь рассмотрим более подробно процессы, происходящие при коммутации IGBT транзисторов, используя такую же методику, которая применялась нами для транзисторов MOSFET, то есть при условии подачи на затвор прямоугольных импульсов с высокой крутизной фронтов и спадов. Но вначале предупредим читателя, что в составе IGBT прибора также имеются паразитные межэлектродные емкости, которые «затягивают» динамические процессы (рис. 2.1.32). Далее мы увидим, что в транзисторе IGBT также действует эффект Миллера, предпосылкой к возникновению которого является емкость Cgc.

» Читать запись: Процессы, происходящие при коммутации IGBT транзисторов

Радиомикрофон (жучок) с дальностью действия 5 километров

September 1, 2012

L1 – 5 витков провода ПЭЛ-0.5 на оправке диаметром 5 мм.
L2 – 3 витка.
L3,L6 – 3+3 витка.
L5 – 25 витков.
L7,L8 – 2 витка.
Все подстроечные конденсаторы 5..25 пФ

   Схема хорошо работает только после подгона всех деталей,
помеченных *. Желательно заэкранировать задающий генератор с
предусилителем от оконечного каскада.
   Если будет сильно плавать частота, то необходимо коллектор
транзистора в задающем генераторе пересадить на середину L1 так, как это
сделано с L3. При этом подстроечный конденсатор по прежнему должен
соединять коллектор и эмиттер.
   Транзисторы КТ 315 желательно заменить на КТ 368 с более
высоким коэфициентом передачи тока.
   От себя хотим добавить. Помните, что повышенная мощность
сопровождается высоким токопотреблением. Обратите внимание при выборе
элементов питания для данной схемы.
» Читать запись: Радиомикрофон (жучок) с дальностью действия 5 километров

Ток утечки между коллектором и базой

January 28, 2012

Хотя переход коллектор—база смещен в обратном направлении, все же существует очень небольшой ток утечки из коллектора в базу, обозначаемый 1СВ0, поскольку он измеряется с разомкнутой цепью эмиттера. В кремниевом транзисторе при комнатной температуре /сдо очень мал, обычно менее 0,01 мкА. Однако в случае, когда транзистор включен в схему с общим эмиттером и цепь базы разорвана, как показано на рис. 1.14, а, ток 1СВ0, протекающий по переходу коллектор—база, должен течь в эмиттер, для которого он неотличим от внешнего тока базы. Таким образом, 1СВ0 усиливается транзистором, и ток утечки между коллектором и эмиттером возрастает до значения 1СЕ0 = hFEICB0, которое может доходить до 1 мкА. Поскольку ток 1СВ0 в значительной степени является результатом теплового нарушения связей, он увеличивается приблизительно вдвое с ростом температуры на каждые 18 °С. Когда ICBQ становится сравнимым с нормальным током коллекторной цепи, транзистор обычно считается слишком горячим. Кремниевые /?-и-переходы могут работать до 200 °С, а германиевые, имеющие много больший ток утечки, только до 85 °С.

» Читать запись: Ток утечки между коллектором и базой

Транзистор

December 31, 2011

Биполярный транзистор состоит из двух /?-«-переходов, образованных слоями полупроводников с примесями. На рис. 1.13 показана самая простая конструкция «-p-n-транзистора. Тонкий слой слабо легированного полупроводника р-типа (база) расположен между двумя более толстыми слоями р-типа (эмиттер и коллектор). Толщина базы может быть меньше 1 мк.

» Читать запись: Транзистор

Оптоэлектронные приборы

December 21, 2011

Обратный ток утечки в р-n-переходе обусловлен, как мы видели, неосновными носителями.

Обычно пары электрон—дырка возникают только за счет тепловой энергии. Но если на р-п-переход падает свет, то это приводит к значительному увеличению плотности неосновных носителей. Электроны и дырки, освобожденные энергией падающих фотонов, вызывают значительное увеличение обратного тока утечки.

» Читать запись: Оптоэлектронные приборы

Коллекторные характеристики

December 18, 2011

Способ измерения и результаты

С помощью измерительной схемы, приведенной на рис. 6.4, можно построить выходные характеристики транзистора в схеме с общим эмиттером. Резистором RVX устанавливается фиксированный ток базы 1В, который измеряется микроамперметром Mv Потенциометр RV2 используется для задания ряда значений напряжения коллектор—эмиттер Vcp измеряемых вольтметром Му Результирующий ток коллектора /с измеряется миллиамперметром Мг

» Читать запись: Коллекторные характеристики

УКВ ЧМ передатчик с радиусом действия 5 км

June 30, 2010

Схема хорошо работает только после подгона всех деталей, помеченных *. Желательно заэкранировать задающий генератор с предусилителем от оконечного каскада.

» Читать запись: УКВ ЧМ передатчик с радиусом действия 5 км

микросхемы мощности Устройство импульсов питания пример приемника провода витков генератора выходе напряжение напряжения нагрузки радоэлектроника работы сигнал сигнала сигналов управления сопротивление усилитель усилителя усиления устройства схема теория транзистора транзисторов частоты