Записи с меткой ‘коллекторной’

Тестирование транзисторов

January 31, 2012

В экспериментальной электронике полезно иметь простой метод тестирования транзисторов. Двумя параметрами, которые лучше всего указывают на исправность транзистора, являются ток утечки коллектор—эмиттер ICEQ и коэффициент усиления постоянного тока hFE. Оба они измеряются в схеме, приведенной на рис. 1.17. Когда ключ S разомкнут, ток базы не течет, и миллиамперметр в коллекторной цепи показывает ток утечки 1СЕ0. Когда ключ замкнут, базовый ток около 10 мкА течет через резистор R (около 0,6 В падает на переходе база—эмиттер, так что 1В = (9 — 0,6)/820 ООО = 10 мкА). Таким образом, усиленный ток в коллекторной цепи равен hFE/100 мА.

» Читать запись: Тестирование транзисторов

Линия нагрузки и насыщения

January 23, 2012

На рис. 6.7, а показано семейство коллекторных характеристик в интервале таких значений напряжений и токов, которые характерны для рассмотренных в гл. 1 каскадов усилителей с включением транзистора по схеме с общим эмиттером. Выходная цепь такой схемы изображена на рис. 6.7, б. На характеристиках проведена прямая линия XY. Это — линия нагрузки для 9-вольтового источника питания (Vcc) и коллекторной нагрузки RL = 4,5 кОм, представляющая траекторию, в соответствии с которой должны изменяться коллекторное напряжение и ток при данном резисторе нагрузки и напряжении питания Vcc.

» Читать запись: Линия нагрузки и насыщения

микросхемы мощности Устройство импульсов питания пример приемника провода витков генератора выходе напряжение напряжения нагрузки радоэлектроника работы сигнал сигнала сигналов управления сопротивление усилитель усилителя усиления устройства схема теория транзистора транзисторов частоты