После того как группа Панкова закончила изучение пленок GaN, работы по созданию GaN-светодиодов были остановлены. В 1982 г. GaNбыла посвящена только одна статья. Однако Исаму Акасаки и его коллеги из Нагойи (Япония) этих работ не прекратили и в 1989 г. продемонстрировали первый светодиод GaNсо слоем р-типа, обладающий реальной проводимостью р-типа. Стойкие акцепторы магния активировались при помощи облучения электронным пучком (Amanoetal., 1989) Позднее было показано, что активировать примеси магния в слоях GaNможно также в процессе высокотемпературного отжига готовых пленок (Nakamuraetal., 1994а). Дополнительное легирование (Schubertetal., 1996) позволяет улучшать эффективность активации глубоких акцепторов. Этот прорыв в выращивании легированных слоев р-типа открыл путь к созданию светодиодов с р-n-переходами и лазерных диодов. В настоящее время на основе пленок GaN, легированных магнием, изготавливают все светодиоды и лазерные диоды, содержащие нитриды.В 1992 г. Акасаки опубликовал статью о создании первого светодиода из GaNс гомогенным р-n-переходом (Akasakietal., 1992) Светодиод излучал свет в ультрафиолетовом (УФ) и синем спектральном диапазонах и был выращен на сапфировой подложке. Он был продемонстрирован на конференции по GaAsи другим полупроводниковым материалам, проходившей в 1992 г. в г. Карусава (Японии). К. п.д. данного светодиода составлял ~ 1%. Это была очень большая величина для GaN, выращенного на сапфировой подложке с сильно отличающимися параметрами решетки. Было также показано, что на квантовый выход нитридных светодиодов не влияет большая концентрация дислокаций, в отличие от светодиодов, изготовленных из арсенидов и фосфидов.Название японской компании NichiaChemicalIndustriesCorporation (NCIC) тесно связано с светодиодами и лазерами из GaN.)1). Ее сотрудники, включая Шуджи Накамуру, внесли большой вклад в развитие технологии выращивания GaNи изготовления на его основе светодиодов и лазеров. Они разработали двухпоточную систему выращивания GaNметодом металлоорганической ГФЭ (МОГФЭ), продемонстрировали первые светодиоды InGaNголубого и зеленого свечения с двойными гетероструктурами (Nakamuraetal., 1993а, 1993b, 1994b), к. п.д которых достиг 10%, изготовили первые импульсные лазеры и лазеры непрерывного излучения InGaN/GaN, работающие при комнатной температуре в голубой области спектра (Nakamuraetal., 1996). Подробное описание достижений компании NCICприведено в книге Накамуры и Фазола (Nakamura, Fasol, 1997).
» Читать запись: История создания светодиодов голубого, зеленого и белого свечения на основе р-n-переходов в InGaN