Записи с меткой ‘концентрации’

Экспериментальное  определение коэффициентов  диффузии

May 11, 2013

Для изучения диффузии в твердых телах в настоящее время разработано большое число физических и физико-химических методов исследования. Эти методы основаны на измерении распределения концентрации диффундирующего вещества в исследуемом образце в зависимости от времени и температуры диффузионного отжига. При этом распределение концентрации определяется либо прямыми измерениями ее в различных частях исследуемого образца с помощью химических, спектроскопических, рентгеновских, электронографических, радиоактивных и других методов анализа, либо же косвенным образом — посредством изучения характера изменений некоторых физических свойств вещества, вызванных проникновением диффундирующей примеси.

» Читать запись: Экспериментальное  определение коэффициентов  диффузии

Эффекты, обусловленные ретроградной растворимостью – основы материаловедения

April 29, 2013

Представленные на рис. 8.11 температурные зависимости растворимости быстро диффундирующих примесей могут обусловливать эффекты обратимых изменений концентрации электрически активных примесей. Например, если примесь введена диффузией при достаточно высокой температуре, когда ее растворимость близка к максимальной, то последующее понижение температуры делает соответствующий твердый раствор пересыщенным. В таких условиях, как и любая неравновесная система, раствор стремится перейти в термодинамически равновесное состояние, соответствующее меньшей концентрации электрически активной примеси. Избыток ее должен выделиться во вторую фазу, то есть перейти в электрически неактивное состояние. Подобный эффект в полупроводниках носит название «осаждения примесей», а параметром, контролирующим его скорость, является коэффициент диффузии соответствующей примеси.

» Читать запись: Эффекты, обусловленные ретроградной растворимостью – основы материаловедения

Примеси в элементарных полупроводниках

April 25, 2013

Поведение примесей в элементарных полупроводниках рассмотрим на примере их поведения в германии и кремнии. Напомним, что главным образом это поведение определяется положением примесей в периодиче

» Читать запись: Примеси в элементарных полупроводниках

Коэффициент  разделения  примесей – основы материаловедения

April 25, 2013

Для оценки эффективности очистки веществ от примесей кристаллизацией из расплава служит коэффициент разделения K, представляющий собой отношение концентрации растворенного вещества в твердой фазе к его концентрации в жидкой фазе:

K = CS/CL.                                        (5.1)

» Читать запись: Коэффициент  разделения  примесей – основы материаловедения

Диффузия  примесей в кристаллах

April 23, 2013

Процессы диффузии очень распространены и играют огромную роль во многих важнейших технологических процессах получения и обработки полупроводников, а также при фазовых и структурных превращениях. Диффузия примесей лежит в основе процесса гомогенизации свойств материала при термообработках, в ряде случаев лимитирует очистку, играет огромную роль при распаде пересыщенных твердых растворов, их упорядочении и разупорядочении. Процессы диффузии используются для получения p n-переходов, для формирования базовых и эмиттерных областей и резисторов в биполярной технологии изготовления полупроводниковых приборов, для создания областей истока и стока в МОП-технологии и т. д. Поэтому знание основных законов диффузии, диффузионных параметров примесей необходимо для выбора оптимальных режимов технологических операций, а также для понимания некоторых эффектов, проявляющихся в процессе изготовления полупроводниковых схем и приборов.

» Читать запись: Диффузия  примесей в кристаллах

ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ ВАРИАЦИЙ КОНЦЕНТРАЦИИ ЭЛЕКТРОНОВ В СРЕДНЕШИРОТНОЙ D-ОБЛАСТИ ИОНОСФЕРЫ, ОБУСЛОВЛЕННЫХ СОЛНЕЧНЫМ ЗАТМЕНИЕМ

January 1, 2013

Гоков А. М., Гритчин А., И., Тырнов О. Ф. Харьковский национальный университет имени В. Н. Каразина пл. Свободы 4, г. Харьков, 61077, Украина тел.: 8057-7051251, e-mail: Alexander.M.Gokov@univer.kharkov.ua

» Читать запись: ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ ВАРИАЦИЙ КОНЦЕНТРАЦИИ ЭЛЕКТРОНОВ В СРЕДНЕШИРОТНОЙ D-ОБЛАСТИ ИОНОСФЕРЫ, ОБУСЛОВЛЕННЫХ СОЛНЕЧНЫМ ЗАТМЕНИЕМ

Детектор угарного газа

August 20, 2012

   В этой схеме используется линзовый оптический датчик, через который подсвечивается СО-реагент и оценивается доля отраженного от него света. Реагент для обнаружения угарного газа (СО) в нормальной атмосфере имеет окраску бледно-желтого цвета и темнеет при наличии в атмосфере оксида углерода-2 (СО). Согласно спецификации изготовителя карточек с СО-реагентом, при малой концентрации угарного газа (на уровне 100 частей на миллион) рабочий слой карточки потемнеет через 15-45 мин. При концентрации порядка 600 частей на миллион рабочий слой потемнеет всего за 1-2 мин. Реагент восстанавливает свой оригинальный цвет примерно за 10 мин пребывания в чистой атмосфере (время восстановления зависит от той концентрации СО, при которой он потемнел). Основой всего детектора является микроконтроллер Р1С16С71 (IC2), содержащий встроенный 8-разрядный 4-канальный аналого-цифровой преобразователь. Вместе с микроконтроллером главным элементом данной схемы является MODI – оптический отражательный модуль EE-SY148 производства компании Ошгоп. Модуль направляет на СО-реагент инфракрасное излучение и принимает отраженную им часть. Если в атмосфере присутствует угарный газ, то реагент темнеет и у него снижается отражательная способность. Уменьшение уровня отраженного излучения регистрируется микроконтроллером, который включает зуммер BZ1.

» Читать запись: Детектор угарного газа

Зависимость рекомбинации от температуры и легирования

October 8, 2011

Зависимость вероятности рекомбинации от температуры представлена на рис. 3.2, который показывает параболическую зависимость Е(к) при низких и высоких температурах. При ее анализе можно выявить уменьшение числа носителей в интервале значений квазиимпульсаdkс увеличением температуры. Так как при излучательной рекомбинации выполняется закон сохранения квазиимпульса и вероятность рекомбинации электронов пропорциональна количеству свободных дырок с равным значением квазиимпульса, вероятность рекомбинации уменьшается с ростом температуры. Этот факт подтверждается соотношениями (3.24) и (3.25), которые показывают, что коэффициент бимолекулярной рекомбинации зависит от температуры обратно пропорционально Т3/2.

» Читать запись: Зависимость рекомбинации от температуры и легирования

Положение р-п-перехода

October 5, 2011

В светодиодах на основе двойной гетероструктуры бывает трудно сформировать р-n-переход в барьерном слое. Обычно нижний барьерный слой является областью п-типа, а верхний — областью р-типа. Активный слой при этом либо совсем не легирован, либо слабо легирован примесями п- или р-типа. Однако при перераспределении примесей р-п- переход может быть сформирован в одном из ограничивающих барьерных слоев. Диффузия примесей в процессе формирования кристалла объясняется высокой технологической температурой, длительностью процесса выращивания и большим коэффициентом диффузии примесей. Перераспределение примесей происходит за счет их диффузии, сегрегации и дрейфа.

» Читать запись: Положение р-п-перехода

Излучательная рекомбинация при низком уровне возбуждения

September 12, 2011

Рассмотрим динамику процесса рекомбинации, т.е. опишем его в виде функций, зависящих от времени. Предположим, что образец полупроводника подвергается воздействию света. Поскольку электроны и дырки возбуждаются и исчезают в процессе рекомбинации парами, установившиеся концентрации избыточных электронов и дырок равны:

» Читать запись: Излучательная рекомбинация при низком уровне возбуждения

микросхемы мощности Устройство импульсов питания пример приемника провода витков генератора выходе напряжение напряжения нагрузки радоэлектроника работы сигнал сигнала сигналов управления сопротивление усилитель усилителя усиления устройства схема теория транзистора транзисторов частоты