Записи с меткой ‘концентрация’

Эффективный коэффициент  разделения  примесей

April 24, 2013

До сих пор мы рассматривали равновесные коэффициенты разделения, рассчитываемые из фазовых диаграмм или получаемые методом, основанным на измерении концентрации свободных носителей в легированных полупроводниках. И в том, и в другом методах коэффициент разделения определялся в условиях, близких к равновесным. Эти условия, как правило, выполняются при достаточно малых скоростях кристаллизации расплава. В этом случае концентрация примеси CL, растворенной в расплаве, одинакова во всем его объеме (рис. 5.6,а), а ее концентрация в закристаллизовавшейся части CS = K0CL.

» Читать запись: Эффективный коэффициент  разделения  примесей

Растворимость примесей – основы материаловедения

April 16, 2013

Для ряда практических применений (создание туннельных диодов, светодиодов и других полупроводниковых приборов) необходимо получать сильно легированные полупроводники. Поэтому представляется важным знание предельной растворимости CSmax примесей в материале (в твердой фазе). Под этим термином подразумевается концентрация примеси в насыщенном твердом растворе, образованном основным веществом и данной примесью. Если концентрация примеси в полупроводнике меньше CSmax, то примесь распределяется в кристаллической решетке моноатомно; если превышает CSmax, то, как показывают исследования, в выращиваемом кристалле появляются структурные нарушения, например, макроскопические частицы инородной фазы, что сопровождается резким ростом, в первую очередь, плотности дислокаций. При легировании кристаллов большими концентрациями примесей важно иметь «запас» в рас

» Читать запись: Растворимость примесей – основы материаловедения

Вольтамперные характеристики светодиодов

October 24, 2011

В этой главе обсуждаются электрические свойства р-п-переходов. Основные соотношения приводятся без подробного вывода. Рассматриваются резкие р-п-переходы с концентрациями доноровNdи акцепторовNa– Все примеси считаются полностью ионизированными, т.е. концентрация свободных электронов n =ND, а концентрация свободных дырок р =NA.Предполагается, что случайные включения и дефекты не компенсируют специально введенные примеси.

» Читать запись: Вольтамперные характеристики светодиодов

Легирование барьерных слоев

October 12, 2011

сильно влияет на квантовый выход излучения светодиодов с двойными гетероструктурами. Удельное сопротивление этих слоев определяется концентрацией в них примесей. Для предотвращения нагрева барьерных слоев их удельное сопротивление должно быть низким.

» Читать запись: Легирование барьерных слоев

Излучательная рекомбинация при высоком уровне возбуждения

September 15, 2011

При высоком уровне возбуждения концентрация носителей, образованных за счет возбуждения под воздействием света, намного больше равновесной концентрации носителей, т. е.

» Читать запись: Излучательная рекомбинация при высоком уровне возбуждения

Излучательная рекомбинация при низком уровне возбуждения

September 12, 2011

Рассмотрим динамику процесса рекомбинации, т.е. опишем его в виде функций, зависящих от времени. Предположим, что образец полупроводника подвергается воздействию света. Поскольку электроны и дырки возбуждаются и исчезают в процессе рекомбинации парами, установившиеся концентрации избыточных электронов и дырок равны:

» Читать запись: Излучательная рекомбинация при низком уровне возбуждения

Пожарный датчик

February 3, 2011

«На турбазе близ немецкого города Бюзум сработал ложный сигнал о пожарной тревоге. Прибывшие на место пожарные выяснили, что причиной стало большое количество дезодо­ранта, которое вылили на себя девушки в душевой.

Пары дезодоранта были настолько интенсивными, что поднялись к потолку и на них сработал детектор», – сказал полицейский Буттгерайт. В полиции были удивлены тем, что пары дезодоранта могут замкнуть пожарный датчик».

» Читать запись: Пожарный датчик

микросхемы мощности Устройство импульсов питания пример приемника провода витков генератора выходе напряжение напряжения нагрузки радоэлектроника работы сигнал сигнала сигналов управления сопротивление усилитель усилителя усиления устройства схема теория транзистора транзисторов частоты