Записи с меткой ‘кремния’

Биполярные технологии изготовления ИМС – Полупроводниковая силовая электроника

May 25, 2015

Биполярные технологии рассмотрим на примере так называемой «сорокавольтовой» биполярной технологии с изоляцией p-η переходом, которая была исторически первой технологией для производства кристаллов ИМС силовой электроники. На рис. 4.1 представлен вертикальный срез типовой полупроводниковой структуры биполярной силовой микросхемы.

» Читать запись: Биполярные технологии изготовления ИМС – Полупроводниковая силовая электроника

КМОП технология изготовления ИМС силовой электроники

May 10, 2015

Рассмотрим двенадцативольтовую КМОП технологию изготовления кристаллов ИМС стабилизаторов напряжения. В дополнение к обычной КМОП технологии для ИМС силовой электроники необходимо создать пМОП транзистор со встроенным каналом для получения температуронезависимого источника опорного напряжения. Кроме того, чтобы обеспечить преимущество КМОП технологии перед биполярными, необходимо создать высокоомные резисторы с удельным сопротивлением порядка 10 кОм/кв.

» Читать запись: КМОП технология изготовления ИМС силовой электроники

Введение в электронику: Общие сведения о полупроводниках

July 13, 2014

Принцип действия диодов, транзисторов и других так называемых активных компонентов основан на свойствах полупроводниковых материалов. В электронике традиционно использовались два класса

материалов – изоляторы и проводники. Первые оказывают сильное сопротивление прохождению через них электрического тока, через вторые он протекает практически беспрепятственно. Промежуточным вариантом являются полупроводниковые материалы, или полупроводники, по свойствам аналогичные изоляторам, но способные при особых условиях пропускать электрический ток.

» Читать запись: Введение в электронику: Общие сведения о полупроводниках

Введение в электронику: Диоды

July 11, 2014

Полупроводниковый диод образуется простым соединением кристалла типа η с кристаллом типа р. Электроны в таком p-η переходе могут перемещаться из кристалла п, где их избыток, к кристаллу р, где они в дефиците, но исключительно в одном направлении. В полупроводниковых приборах процессы перемещения зарядов происходят в кристалле (твердом теле), а в электронных лампах – в вакууме.

» Читать запись: Введение в электронику: Диоды

Модификация метода очистки зонной плавкой. Контроль чистоты материала и оценка содержания в нем примесей

June 3, 2013

На степень очистки материала методом зонной плавки влияют такие параметры, как ее скорость, чистота контейнера, в котором она производится, и температура плавления очищаемого материала.

В реальных условиях фронт кристаллизации может двигаться со скоростью большей, чем скорость диффузии примеси в расплаве. В этих неравновесных условиях связь между концентрациями в твердой и жидкой фазах описывается с помощью эффективного коэффициента разделения K. Для повышения эффективности процесса очистки необходимо предельно приблизить значение K к K0. Это может быть достигнуто за

» Читать запись: Модификация метода очистки зонной плавкой. Контроль чистоты материала и оценка содержания в нем примесей

Электрически  неактивные  примеси

May 21, 2013

К электрически неактивным примесям в германии и кремнии относятся изоэлектронные примеси, а также такие примеси, как водород, кислород, азот.

Для германия и кремния изоэлектронными примесями являются элементы из IVA подгруппы — Pb, Sn и C. Примеси подобного рода не изменяют концентрацию носителей заряда, однако могут влиять на времена жизни свободных носителей заряда и вносить вклад в излучательную рекомбинацию.

» Читать запись: Электрически  неактивные  примеси

ВЛИЯНИЕ ДЕФЕКТОВ ИСХОДНОГО КРЕМНИЯ НА ПРОЦЕССЫ ДЕФЕКТООБРАЗОВАНИЯ В ДИОКСИДАХ КРЕМНИЯ

January 29, 2013

Смынтына В. А., Кулинич О. А., Глауберман М. А., Чемересюк Г. Г., Яцунский И. Р., Свиридова О. В. Одесский национальный университет им. И. И. Мечникова ул. Дворянская, 2, Одесса, Украина e-mail: eltech@elaninet.com

Аннотация – Испольауя современные методы исследования определено влияние дефектов исходного кремния на процессы дефектообразования в высокотемпературных и низкотемпературных диоксидах кремния. Установлено, что примеси, и структурные дефекты исходного кремния служат центрами конденсации кристаллических фаз, в окрестностях которых наблюдалась повышенная скорость химического травления диоксида. На пористость диоксидов основное влияние оказывают такие параметры их изготовления как температура и влажность.

» Читать запись: ВЛИЯНИЕ ДЕФЕКТОВ ИСХОДНОГО КРЕМНИЯ НА ПРОЦЕССЫ ДЕФЕКТООБРАЗОВАНИЯ В ДИОКСИДАХ КРЕМНИЯ

Виды и характеристики солнечных батарей

August 16, 2012

Солнечная батарея состоит из отдельных элементов, соединенных последовательно-параллельно (рис. 1.3, 1.4).

Элементы применяются в портативных устройствах радиоэлект­ронной техники, для миниатюрных светильников (на светодиодах) и зарядных устройств сотовых телефонов.

» Читать запись: Виды и характеристики солнечных батарей

МЕТОД ФОРМИРОВАНИЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ МЕМБРАН

July 18, 2012

А.                              И. Демченко, С. В. Корякин, Н. И. Завадская, Э. В. Лобко УП “Минский НИИ радиоматериалов” ул. Кижеватова, 86, Минск-220024, Беларусь тел.: 017-2782305, e-mail: irma(cbinfonet.bv

Аннотация Приведены результаты исследования корректировки механических напряжений в диэлектрической мембране Si3N4Si02Si3N4. Метод корректировки заключается в ионно-лучевом травлении пленки нитрида кремния или пленки оксида кремния в зависимости от преимущественного прогиба мембраны в планарную или обратную сторону. Разработанная диэлектрическая система может использоваться в широком классе мембранных датчиков.

» Читать запись: МЕТОД ФОРМИРОВАНИЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ МЕМБРАН

МНОГОСЛОЙНЫЕ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ СХЕМЫ СВЧ-ФИЛЬТРОВ И ДИПЛЕКСЕРОВ НА ОСНОВЕ КЕРАМИКИ С НИЗКОЙ ТЕМПЕРАТУРОЙ ОБЖИГА

July 8, 2012

Симин А. В., Лапшин А. В., Холодняк Д. В., Вендик И. Б.

Санкт-Петербургский Государственный Электротехнический Университет "ЛЭТИ" им. В. И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург 197376, Россия Тел.: +7 (812) 346-08-67; e-mail: MWLab@eltech.ru

» Читать запись: МНОГОСЛОЙНЫЕ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ СХЕМЫ СВЧ-ФИЛЬТРОВ И ДИПЛЕКСЕРОВ НА ОСНОВЕ КЕРАМИКИ С НИЗКОЙ ТЕМПЕРАТУРОЙ ОБЖИГА

микросхемы мощности Устройство импульсов питания пример приемника провода витков генератора выходе напряжение напряжения нагрузки радоэлектроника работы сигнал сигнала сигналов управления сопротивление усилитель усилителя усиления устройства схема теория транзистора транзисторов частоты