Записи с меткой ‘кристалла’

Схемы защиты от превышения температуры кристалла – Полупроводниковая силовая электроника

May 26, 2015

Установлено, что предельно допустимая температура кремниевого кристалла ИМС — плюс 150 °С. Данная температура задается не только внешней средой, но и нагреванием активной структуры кристалла в процессе работы микросхемы. Для маломощных микросхем данный нагрев несущественен и температура кристалла ненамного превышает температуру окружающей среды. Для мощных схем при неправильно выбранном тепловом режиме эксплуатации температура кристалла может достичь этой и большей величины при температуре окружающей среды плюс 25 °С и даже минус 60 °С.

» Читать запись: Схемы защиты от превышения температуры кристалла – Полупроводниковая силовая электроника

Измерение тепловых сопротивлений силовых полупроводниковых приборов

March 9, 2015

Как было отмечено выше, на практике необходимо знатьчисленные значения как минимум двух типов тепловых сопротивлений, которые вы

» Читать запись: Измерение тепловых сопротивлений силовых полупроводниковых приборов

Проблема отвода тепла. Тепловое сопротивление. Способы уменьшения теплового сопротивления

March 8, 2015

Силовые полупроводниковые приборы и силовые интегральные микросхемы (ИМС) рассеивают сравнительно большую мощность. Поэтому одной из важнейших задач разработчика силового прибора является поиск и реализация соответствующего технического решения, обеспечивающего эффективный отвод избыточной тепловой энергии от активной структуры полупроводникового кристалла. Все современные мощные силовые полупроводниковые устройства выпускаются в корпусах, обеспечивающих эффективный тепловой контакт между их металлической поверхностью и специально для этих целей предназначенным внешним радиатором. Во многих случаях эта металлическая поверхность силового устройства электрически связана с одним из выводов устройства (например, у мощного п-р-п-транзистора она связана с его коллектором, у ИМС стабилизатора напряжения — с отрицательным выводом источника питания).

» Читать запись: Проблема отвода тепла. Тепловое сопротивление. Способы уменьшения теплового сопротивления

Введение в электронику: Диоды

July 11, 2014

Полупроводниковый диод образуется простым соединением кристалла типа η с кристаллом типа р. Электроны в таком p-η переходе могут перемещаться из кристалла п, где их избыток, к кристаллу р, где они в дефиците, но исключительно в одном направлении. В полупроводниковых приборах процессы перемещения зарядов происходят в кристалле (твердом теле), а в электронных лампах – в вакууме.

» Читать запись: Введение в электронику: Диоды

Программа HEXRISE – для расчета тепловых характеристик транзисторов типа MOSFET

August 16, 2013

Вторая программа расчета тепловых характеристик транзисторов типа MOSFET представлена фирмой «International Rectifier» под названием HEXRISE [62]. В отличие от программного обеспечения фирмы «Semikron», инсталляционный файл можно скачать с сайта и работать с программой в автономном режиме, однако для ее корректной работы необходимо, чтобы на компьютере был установлен Microsoft Access 2000. Эта программа позволяет произвести динамический расчет изменения температуры кристалла при разной форме тока, проходящего через его силовую цепь. Здесь применена обычная процедура линейной экстраполяции функции тока на элементарных участках, для которых вычисляется значение текущего теплового сопротивления (с учетом тепловой массы) и мгновенная тепловая мощность. Далее вычисляются мгновенные значения температуры кристалла в виде температурных приращений, которые суммируются на элементарных участках. В расчетах также используется линейная экстраполяция нормированного значения теплового сопротивления «переход—корпус» Zthjc. Следует учесть, что адекватные результаты работы программы можно ожидать только в линейной области нормированного теплового сопротивления «переход—корпус», поэтому прежде чем производить расчеты, нужно справиться с этим графиком, приведенным в технической документации.

» Читать запись: Программа HEXRISE – для расчета тепловых характеристик транзисторов типа MOSFET

Метод сублимации–конденсации – основы материаловедения

June 9, 2013

Метод сублимации–конденсации можно применять для выращивания конгруэнтно испаряющихся полупроводниковых соединений и твердых растворов на их основе, компоненты которых обладают достаточно высокими давлениями паров (≈1 мм рт. ст.), а также в случаях, когда кристаллы материалов сложно вырастить другими методами. Выращивание

» Читать запись: Метод сублимации–конденсации – основы материаловедения

Первая группа методов выравнивания состава кристаллов

June 8, 2013

Механическая подпитка расплава твердой фазой

Возможны два способа:

Рис. 7.2. Схема метода механической подпитки расплава твердой фазой: 1 — питающий кристалл; 2 — нагреватель  для  подогрева  питающего  кристалла; 3 — тигель; 4 — выращиваемый кристалл; 5 — расплав; 6 — основной нагреватель.

» Читать запись: Первая группа методов выравнивания состава кристаллов

Точечные дефекты – основы материаловедения

June 7, 2013

Точечный дефект — это нарушение кристаллической структуры, размеры которого во всех трех измерениях сравнимы с одним или несколькими межатомными расстояниями. Точечный дефект может иметь простую или сложную структуру.

Вакансия — это простейший структурный дефект, представляющий собой свободный узел решетки, который должен быть занят атомом или ионом в совершенном кристалле. Вакансии обозначаются VA, VB, … , где индексы A, B … указывают тип отсутствующего атома. Например, в GaAs VGa и VAs — вакансии Ga и As, соответственно. Образование вакансий сопровождается упругой деформацией решетки. Соседние с вакансией атомы сближаются, смещаясь в направлении центра пустого узла.

» Читать запись: Точечные дефекты – основы материаловедения

Выращивание монокристаллов из раствора

June 7, 2013

В технологии полупроводников наряду с кристаллизацией веществ из собственных расплавов широко используются процессы, основанные на кристаллизации из растворов. Основным преимуществом этого метода выращивания кристаллов является то, что процесс проводят при значительно более низких температурах, чем кристаллизация из расплавов. Выращивание из растворов зачастую является единственным методом, позволяющим получать объемные полупроводниковые монокристаллы с очень высокими температурами плавления (Tпл  > 2000◦C, например, алмазы), кристаллы соединений, имеющие при температуре плавления высокое давление паров компонентов (GaP, GaAs, InP и др.), а также инконгруэнтно плавящиеся полупроводниковые соединения (GaTe3 и др.). Основой такой возможности являются особенности фазовых диаграмм системы растворяемое вещество–растворитель: зависимость температуры начала кристаллизации от процентного содержания компонентов в сплаве.

» Читать запись: Выращивание монокристаллов из раствора

Образование центров новой фазы – основы материаловедения

June 3, 2013

Механизм образования центров новой фазы может быть гомогенным или гетерогенным.

Гомогенное образование центров новой фазы

Гомогенным называется образование зародыша новой фазы в объеме исходной фазы, сопровождающееся образованием всей поверхности, ограничивающей зародыш. Гиббс впервые показал, что зародыш новой фазы становится устойчивым лишь при условии, что его размер превосходит определенное критическое значение. Области новой фазы, размер которых меньше критического, называются зародышами, а размер которых больше критического, — центрами новой фазы (в случае кристаллизации центры новой фазы  часто называют центрами кристаллизации). Френкель подробнее рассмотрел условия зарождения частиц новой фазы и определил размер критического зародыша.

» Читать запись: Образование центров новой фазы – основы материаловедения

микросхемы мощности Устройство импульсов питания пример приемника провода витков генератора выходе напряжение напряжения нагрузки радоэлектроника работы сигнал сигнала сигналов управления сопротивление усилитель усилителя усиления устройства схема теория транзистора транзисторов частоты