Записи с меткой ‘кристаллов’

Принцип действия ЖК-дисплея tinyAVR

January 18, 2015

Как уже упоминалось, существуют три типа LCD: отражающие, пропускающие и комбинированные. Структура отражающего дисплея изображена на рис. 4.2. Снизу расположено зеркало, которое отражает падающий свет. Между поляризаторами (В и F) и двумя электродами (С и Е) находится слой жидких кристаллов (D). При отсутствии напряжения на электродах жидкий кристалл пропускает свет, который отражается от зеркала и возвращается обратно. После-приложения к электродам электрического потенциала (рис. 4.3) жидкие кристаллы ориентируются таким образом, что перекрывают прохождение света и наблюдателю становится виден черный квадрат, нанесенный на верхнем электроде. Отражающему дисплею для работы нужно внешнее освещение (или подсветка). Для подсветки над ЖК- дисплеем или рядом с ним размещают белые светодиоды, обеспечивающие равномерное освещение.

» Читать запись: Принцип действия ЖК-дисплея tinyAVR

Первая группа методов выравнивания состава кристаллов

June 8, 2013

Механическая подпитка расплава твердой фазой

Возможны два способа:

Рис. 7.2. Схема метода механической подпитки расплава твердой фазой: 1 — питающий кристалл; 2 — нагреватель  для  подогрева  питающего  кристалла; 3 — тигель; 4 — выращиваемый кристалл; 5 — расплав; 6 — основной нагреватель.

» Читать запись: Первая группа методов выравнивания состава кристаллов

Выращивание монокристаллов из раствора

June 7, 2013

В технологии полупроводников наряду с кристаллизацией веществ из собственных расплавов широко используются процессы, основанные на кристаллизации из растворов. Основным преимуществом этого метода выращивания кристаллов является то, что процесс проводят при значительно более низких температурах, чем кристаллизация из расплавов. Выращивание из растворов зачастую является единственным методом, позволяющим получать объемные полупроводниковые монокристаллы с очень высокими температурами плавления (Tпл  > 2000◦C, например, алмазы), кристаллы соединений, имеющие при температуре плавления высокое давление паров компонентов (GaP, GaAs, InP и др.), а также инконгруэнтно плавящиеся полупроводниковые соединения (GaTe3 и др.). Основой такой возможности являются особенности фазовых диаграмм системы растворяемое вещество–растворитель: зависимость температуры начала кристаллизации от процентного содержания компонентов в сплаве.

» Читать запись: Выращивание монокристаллов из раствора

Образование центров новой фазы – основы материаловедения

June 3, 2013

Механизм образования центров новой фазы может быть гомогенным или гетерогенным.

Гомогенное образование центров новой фазы

Гомогенным называется образование зародыша новой фазы в объеме исходной фазы, сопровождающееся образованием всей поверхности, ограничивающей зародыш. Гиббс впервые показал, что зародыш новой фазы становится устойчивым лишь при условии, что его размер превосходит определенное критическое значение. Области новой фазы, размер которых меньше критического, называются зародышами, а размер которых больше критического, — центрами новой фазы (в случае кристаллизации центры новой фазы  часто называют центрами кристаллизации). Френкель подробнее рассмотрел условия зарождения частиц новой фазы и определил размер критического зародыша.

» Читать запись: Образование центров новой фазы – основы материаловедения

Пассивные методы выравнивания состава – основы материаловедения

June 2, 2013

Однородные кристаллы полупроводников проще всего получить, используя без всяких изменений обычные кристаллизационные процессы: нормальную направленную кристаллизацию и зонную плавку. В этом случае используют приблизительно однородно легированную часть кристалла. Анализ кривых распределения примесей (см. гл. 5) в этих процессах показывает, что наиболее равномерно легированная часть кристалла примыкает к одному из его концов, поэтому целесообразно для дальнейшей работы использовать именно эти части.

» Читать запись: Пассивные методы выравнивания состава – основы материаловедения

Легирование полупроводниковых материалов

May 27, 2013

Для изготовления многих полупроводниковых приборов необходим легированный материал. Возможны следующие способы легирования: 1) легирование уже выращенных кристаллов; 2) легирование кристаллов в процессе выращивания из жидкой фазы; 3) легирование кристаллов в процессе выращивания из газовой фазы.

» Читать запись: Легирование полупроводниковых материалов

Выращивание кристаллов из расплава

May 25, 2013

Выращивание кристаллов из расплава в настоящее время является наиболее распространенным промышленным процессом, так как по сравнению с другими методами методы выращивания из расплава обладают наивысшей производительностью. Это обусловлено тем, что в расплавах диффузионные процессы в жидкой фазе (диффузия к фронту кристаллизации компонентов кристаллизующейся фазы) не являются лимитирующей стадией процесса. С помощью этих методов можно получать достаточно чистые кристаллы Ge и Si с высокими скоростями роста (до 10 мм/ч), более чем в сто раз превышающими скорости роста кристаллов при выращивании другими методами. Применительно к многокомпонентным полупроводникам рост из расплава является сравнительно простым

» Читать запись: Выращивание кристаллов из расплава

Объемные нарушения – основы материаловедения

May 20, 2013

Зональные упругие напряжения. При макроскопически неоднородном характере поля внешних сил, действующих на кристалл, в нем могут возникать напряжения, которые называются зональными. Эти напряжения, уравновешивающиеся в макрообъемах кристалла, существенно влияют на его свойства, а при определенных условиях могут вызывать пластическую деформацию, трещинообразование и даже разрушение кристалла.

» Читать запись: Объемные нарушения – основы материаловедения

Легирование объемных кристаллов в процессе выращивания из жидкой фазы (общие принципы)

May 15, 2013

Рассмотрим особенности легирования кристаллов в процессе их выращивания из жидкой фазы. Широко применяемым методом получения легированных монокристаллов полупроводников является выращивание их из расплава, к которому добавлена нужная примесь.

Общие принципы такого легирования заключаются в следующем. Навеска примеси pi, подлежащая введению в расплав или жидкую зону для получения в твердом кристалле концентрации Ni, рассчитывается по формуле, определяющей коэффициент разделения примеси (см. гл. 5).

» Читать запись: Легирование объемных кристаллов в процессе выращивания из жидкой фазы (общие принципы)

Вторая группа методов выравнивания состава кристаллов (изменение условий выращивания)

May 7, 2013

Выравнивание состава выращиваемого кристалла с помощью программного изменения условий роста можно построить исходя из двух принципов.

Процессы, основанные на первом принципе, сводятся к программному изменению скорости вытягивания и вращения кристалла. Эта методика получила достаточно широкое распространение и имеет много модификаций. Суть методов, основанных на этом принципе, сводится к следующему. Если легирование кристалла проводится нелетучей примесью с K < 1, то по мере вытягивания монокристалла концентрация примеси в расплаве непрерывно увеличивается и для получения равномерно легированного кристалла режим выращивания должен быть построен так, чтобы по мере роста кристалла коэффициент разделения примеси непрерывно уменьшался. Управлять изменением K от Kmax до Kmin можно изменением скорости выращивания кристалла V , частоты его вращения ω, а также выбором кристаллографической ориентации затравки и, соответственно, направлением выращивания.

» Читать запись: Вторая группа методов выравнивания состава кристаллов (изменение условий выращивания)

микросхемы мощности Устройство импульсов питания пример приемника провода витков генератора выходе напряжение напряжения нагрузки радоэлектроника работы сигнал сигнала сигналов управления сопротивление усилитель усилителя усиления устройства схема теория транзистора транзисторов частоты