Записи с меткой ‘квантового’

ВЛИЯНИЕ КОНТАКТНЫХ ОБЛАСТЕЙ НА ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ КВАНТОВОГО ПРОВОДА

January 27, 2013

Обухов И. А., Квяткевич И. И., Лавренчук А. А. Интерфейс – МФГ ул. Бардина, д. 4, корп. 3, г. Москва, 119334, Россия тел.: +7-(095)-105-00-49, 232-29-97, e-mail: obukhov@interface-mfg.ru

» Читать запись: ВЛИЯНИЕ КОНТАКТНЫХ ОБЛАСТЕЙ НА ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ КВАНТОВОГО ПРОВОДА

УПРАВЛЕНИЕ ТОКОМ

October 15, 2011

Светодиодные структуры выращивают на проводящих либо на диэлектрических подложках. В структурах, выращенных на проводящих подложках, ток течет практически вертикально (т. е. перпендикулярно плоскости подложки). В светодиодах на диэлектрических подложках ток, как правило, направлен горизонтально (т. е. параллельно подложке). Поскольку металлические омические контакты непрозрачные, их размеры и расположение оказывают существенное влияние на вывод излучения из устройства. В этой главе будут обсуждаться способы управления током в различных структурах светодиодов с целью повышения их квантового выхода.

» Читать запись: УПРАВЛЕНИЕ ТОКОМ

Светодиоды с кристаллами разной геометрии

August 30, 2011

Многократное отражение излучения внутри полупроводников с высокими показателями преломления является одной из наиболее важных проблем, с которой приходится сталкиваться при разработке мощных светодиодов.

На рис. 9.3 показан пример излучения, локализованного внутри полупроводника. По закону Снеллиуса луч света, испущенный в активной области, может подвергнуться полному внутреннему отражению. В случае высоких показателей преломления угол полного внутреннего

» Читать запись: Светодиоды с кристаллами разной геометрии

Двойные гетероструктуры – теория

August 18, 2011

Из выражения для времени жизни носителей, выведенного из уравнения скорости бимолекулярной рекомбинации, следует, что как при низком, так и при высоком уровне возбуждения скорость излучательной рекомбинации увеличивается с ростом концентрации свободных носителей. Поэтому для повышения внутреннего квантового выхода излучательной рекомбинации в активной области требуется поддерживать высокую концентрацию носителей. Это позволяют сделать двойные гетероструктуры (ДГС, DH).

» Читать запись: Двойные гетероструктуры – теория

микросхемы мощности Устройство импульсов питания пример приемника провода витков генератора выходе напряжение напряжения нагрузки радоэлектроника работы сигнал сигнала сигналов управления сопротивление усилитель усилителя усиления устройства схема теория транзистора транзисторов частоты