Записи с меткой ‘layers’

ЛЕГИРОВАННЫЕ ГЕРМАНИЕМ ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ СЛОИ КРЕМНИЯ ДЛЯ СВЧ-ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ

August 7, 2012

Бринкевич Д. И., Просолович В. С., Янковский О. Н., Янковский Ю. Н. Белорусский государственный университет пр. Ф. Скарыны, 4, Минск 220050, Беларусь Тел: 017-2095051; e-mail: brinkevich(8)_.bsu.bv

» Читать запись: ЛЕГИРОВАННЫЕ ГЕРМАНИЕМ ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ СЛОИ КРЕМНИЯ ДЛЯ СВЧ-ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ

МЕТОДИКА ОПИСАНИЯ ЭЛЕКТРОННОГО ТРАНСПОРТА ЧЕРЕЗ СИСТЕМЫ ПРЯМОУГОЛЬНЫХ, ТРЕУГОЛЬНЫХ И ПАРАБОЛИЧЕСКИХ ЯМ И БАРЬЕРОВ В СИЛЬНОМ ОДНОРОДНОМ ВЫСОКОЧАСТОТНОМ ЭЛЕКТРИЧЕСКОМ ПОЛЕ

May 21, 2012

Пашковский А. Б. ФГУП НПП «Исток» 141190, Россия, Московская обл. г.Фрязино, Вокзальная 2а Тел.: (095) 4658620, e-mail: eugenegolant@mail.ru

» Читать запись: МЕТОДИКА ОПИСАНИЯ ЭЛЕКТРОННОГО ТРАНСПОРТА ЧЕРЕЗ СИСТЕМЫ ПРЯМОУГОЛЬНЫХ, ТРЕУГОЛЬНЫХ И ПАРАБОЛИЧЕСКИХ ЯМ И БАРЬЕРОВ В СИЛЬНОМ ОДНОРОДНОМ ВЫСОКОЧАСТОТНОМ ЭЛЕКТРИЧЕСКОМ ПОЛЕ

OHMIC AND BARRIER CONTACTS TO SiC- AND GaN-BASED MICROWAVE DIODES

May 5, 2012

Boltovets N. S.1, Ivanov V. N.1, Sveshnikov Yu. N.2, Belyaev A. E.3, Avksentiev A. Yu.3, Konakova R. V.3, Kudryk Ya. Ya.3, Kurakin A. M.3, Milenin V. V.3 1 State Enterprise Research Institute “Orion”, tf, Eugene Pottier St., Kiev – 03057, Ukraine Tel.: +38044-465-0548, e-mail: bms@i.kiev.ua 2Closed Corporation “Elma-Malakhit”, Zelenograd, Russia 3V. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics of the National Academy of Sciences of Ukraine

» Читать запись: OHMIC AND BARRIER CONTACTS TO SiC- AND GaN-BASED MICROWAVE DIODES

NEW MANUFACTURING TECHNOLOGY FOR InP EPITAXIAL LAYERS AND PROPERTIES OF SCHOTTKY DIODES MADE ON THEIR BASIS

April 15, 2012

Arsentiev I. N.1, Bobyl A. V.1, Boltovets N. S.2, Ivanov V. N.2, Konakova R. V.3,

Kudryk Ya. Ya.3, Lytvyn O. S.3, Milenin V. V.3, Tarasov I. S.1, Belyaev A. E.3, Rusu E. V.4 11offe Physical-Technical Institute of the Russian Academy of Sciences 26, Polytekhnicheskaya St., Sankt-Peterburg – 194021, Russia Tel.: + (7-812) 247-91-34, e-mail: tarasa@hpld.ioffe.rssi.ru 2State Enterprise Research Institute “Orion”

» Читать запись: NEW MANUFACTURING TECHNOLOGY FOR InP EPITAXIAL LAYERS AND PROPERTIES OF SCHOTTKY DIODES MADE ON THEIR BASIS

микросхемы мощности Устройство импульсов питания пример приемника провода витков генератора выходе напряжение напряжения нагрузки радоэлектроника работы сигнал сигнала сигналов управления сопротивление усилитель усилителя усиления устройства схема теория транзистора транзисторов частоты