Записи с меткой ‘light-emitting’

Другие оригинальные излучатели с ограничением фотонов

October 22, 2011

В данном разделе будут рассмотрены далеко не все типы современных излучателей, работающих на принципе ограничения фотонов. Однако полезно знать принципы работы некоторых источников света с ограничением фотонов.

Фотонные кристаллы или структуры с запреи^енной зоной для фотонов содержат двух- или трехмерные области для ограничения фотонов, сформированные либо нанесением периодического рисунка на излучающую свет активную область, либо подбором соответствующих материалов для слоев, граничащих с активной областью. Приведены примеры таких структур (Joannopoulosetal., 1995; Baba, Matsuzaki, 1996; Fanetal., 1999; Erchaketal., 2001). Представлены очень обнадеживающие результаты, свидетельствующие о шестикратном увеличении выхода света в таких устройствах в направлении, перпендикулярном к поверхности.

» Читать запись: Другие оригинальные излучатели с ограничением фотонов

Монтаж светодиодов методом перевернутых кристаллов

August 30, 2011

 

Для светодиодов с двумя верхними контактами, например InGaN/GaN, выращенных на сапфировых подложках, используют два типа монтажа: с нормальным расположением кристаллов (эпитаксиаль- ный слои сверху) и с перевернутыми кристаллами. Монтаж методом перевернутых кристаллов (флип-чип-монтаж), при котором кристалл

» Читать запись: Монтаж светодиодов методом перевернутых кристаллов

Зеркальные и диффузные отражатели

August 30, 2011

В зеркальных отражателях угол отражения лучей равен углу их падения. Зеркальные отражатели являются детерминированными устройствами, поскольку в них углы отражения всегда задаются углами падения лучей. Диффузные отражатели ведут себя противоположным образом, что показано на рис. 10.16. Интенсивность отраженного излучения в них распределена по широкому диапазону углов, независящих от углов падения лучей. Далее будут рассмотрены свойства ламбертовских источников излучения и ламбертовских отражателей, после чего перейдем к вопросам их использования в структурах светодиодов.

» Читать запись: Зеркальные и диффузные отражатели

УФ-светодиоды, излучающие на длинах волн меньше 360 нм

August 27, 2011

Активные области светодиодов, излучающих в УФ-диапазоне с длинами волн меньше 360 нм, обычно формируются из AlGaNили в виде множественных квантовых ям Al^Gai-xN/AlyGai-yN. Такие светодиоды,. как правило, обладают довольно низким внешним квантовым выходом, обычно менее 1 %, хотя в последние годы и здесь наблюдается значительный прогресс (Zhangetal., 2002а, 2003; Yasanetal., 2002; Kipshidzeetal., 2003; Fischeretal., 2004; Kimetal., 2004; Oderetal., 2004; Razeghi, Henini, 2004; Shakyaetal., 2004) 0.

» Читать запись: УФ-светодиоды, излучающие на длинах волн меньше 360 нм

Слой, ограничивающий ток

August 15, 2011

В традиционных светодиодах на основе двойных гетереструктур с малыми верхними и большими нижними контактами, носители, инжектируемые в активную область через верхний контакт, в основном под ним же и скапливаются. Очевидно, что непрозрачный металлический контакт сильно препятствует выводу излучения, возбуждаемого в активной области, что значительно снижает коэффициент оптического вывода светодиода. Для решения этой проблемы применяют либо толстый слой растекания тока, либо запирающий слой. Этот слой отводит носители тока в стороны от верхнего контакта, препятствуя их попаданию в активную область, расположенную непосредственно под ним, что позволяет существенно повысить квантовый выход излучения светодиода.

» Читать запись: Слой, ограничивающий ток

микросхемы мощности Устройство импульсов питания пример приемника провода витков генератора выходе напряжение напряжения нагрузки радоэлектроника работы сигнал сигнала сигналов управления сопротивление усилитель усилителя усиления устройства схема теория транзистора транзисторов частоты