Записи с меткой ‘materials’

МИКРОВОЛНОВАЯ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНАЯ ОБРАБОТКА МАТЕРИАЛОВ – ЧАСТЬ 2

November 23, 2014

Различия между традиционным и микроволновым нагревом могут быть описаны математически в рамках простой модели, основанной на уравнении теплопроводности с распределенным объемным источником тепла:

» Читать запись: МИКРОВОЛНОВАЯ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНАЯ ОБРАБОТКА МАТЕРИАЛОВ – ЧАСТЬ 2

РАДИОПОГЛОЩАЮЩИЕ МАТЕРИАЛЫ НА ОСНОВЕ НАПОЛНЕННЫХ ПОЛИМЕРОВ

February 9, 2013

Колесов В. В., Петрова Н. Г., Фионов А. С. Институт радиотехники и электроники РАН, ИРЭ РАН ул. Моховая, д. 11, корп. 7, г. Москва, 125009, Россия тел. .+7(495)2021046, e-mail: kvv@mail.cplire.ru Горшенев В. Н., Куликовский Э. И.

НПП «Радиострим» г. Москва, Россия

» Читать запись: РАДИОПОГЛОЩАЮЩИЕ МАТЕРИАЛЫ НА ОСНОВЕ НАПОЛНЕННЫХ ПОЛИМЕРОВ

ИССЛЕДОВАНИЕ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ МАТЕРИАЛОВ С МАЛЫМ ПОГЛОЩЕНИЕМ В ШИРОКОМ ДИАПАЗОНЕ ТЕМПЕРАТУР

January 24, 2013

Деркач В. Н., Головащенко Р. В., Горошко Е. В., НедухС. В., Таранов С. И. Институт радиофизики и электроники им. А. Я. Усикова НАН Украины ул. Ак. Проскуры, 12, Харьков, 61085, Украина тел: 8(057)-7203-463, e-mail: derkach@ire.l<harl<ov.ua

Аннотация – Описана работа криодиэлектрометра, предназначенного для измерения диэлектрических параметров материалов с малым поглощением в миллиметро- вом диапазоне длин волн. Анализируются зависимости тангенса угла потерь от температуры для ряда диэлектрических и полупроводниковых материалов в диапазоне частот 40-80 ГГц и диапазоне температур 0.85-300 К.

» Читать запись: ИССЛЕДОВАНИЕ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ МАТЕРИАЛОВ С МАЛЫМ ПОГЛОЩЕНИЕМ В ШИРОКОМ ДИАПАЗОНЕ ТЕМПЕРАТУР

ИЗМЕРЕНИЕ ПАРАМЕТРОВ МАТЕРИАЛОВ ДИЭЛЕКТРИКОВ ПО ХАРАКТЕРИСТИКАМ ВОЛНОВОДНОДИЭЛЕКТРИЧЕСКОГО РЕЗОНАТОРА

July 21, 2012

Белоус Р. И., Макеев Ю. Г., Моторненко А. П.

Институт радиофизики и электроники им. А. Я. Усикова НАН Украины ул. Ак. Проскуры, 12, Харьков 61085, Украина Тел:(0572) 448378; e-mail: raisa(o)_ire.kharkov. ua

Аннотация Рассмотрена методика измерения параметров диэлектрических материалов, основанная на резонансных характеристиках структуры, состоящей из цилиндрического запредельного волновода, частично заполненного диэлектрическим элементом. На основе полученных выражений для диэлектрической проницаемости и тангенса угла потерь, связанных с резонансными характеристиками резонатора, в качестве примера, определены значения £ , и tgd диэлектрического элемента из тефлона.

» Читать запись: ИЗМЕРЕНИЕ ПАРАМЕТРОВ МАТЕРИАЛОВ ДИЭЛЕКТРИКОВ ПО ХАРАКТЕРИСТИКАМ ВОЛНОВОДНОДИЭЛЕКТРИЧЕСКОГО РЕЗОНАТОРА

микросхемы мощности Устройство импульсов питания пример приемника провода витков генератора выходе напряжение напряжения нагрузки радоэлектроника работы сигнал сигнала сигналов управления сопротивление усилитель усилителя усиления устройства схема теория транзистора транзисторов частоты