Записи с меткой ‘матрицы’

Интегральные светодиодные матрицы на микроконтроллере

March 19, 2014

Буквы и символы произвольной формы можно формировать не только многосегментными индикаторами-«снежинками», но и точечными матрицами светодиодных излучателей. Если имеется выбор, то второй вариант предпочтительнее. Дело в том, что матрицы незаменимы при визуализации шрифтов любых алфавитов, что в обычных 7-, 1 16-сегментных индикаторах недостижимо.

» Читать запись: Интегральные светодиодные матрицы на микроконтроллере

ДАТЧИКИ ИЗОБРАЖЕНИЯ В ПОЛИГРАФИЧЕСКОМ ОБОРУДОВАНИИ

March 13, 2014

Датчиками изображения называются полупроводниковые устройства, преобразующие световой поток (фотоны) в электрическое напряжение с последующим получением его значения в цифровом виде. Твердотельным датчиком изображения является полупроводниковый фоточувствительный прибор – фотосканер. На основе физических эффектов, возникающих в полупроводниках под действием светового излучения, появился Charge Coupled Device (CCD) – прибор с зарядовой связью (ПЗС). Функционально ПЗС – это прибор, воспринимающий изображение и осуществляющий его разложение на элементарные фрагменты, сканирование (поэлементное электронное считывание) и формирование на выходе видеосигнала, адекватного изображению. Современные датчики изображения создаются на основе ПЗС- и КМОП-технологии. Основным отличием между ними является способ переноса электронов в матрице, а также возможность КМОП реализовывать дополнительные функции непосредственно на кристалле. Область применения КМОП- устройств намного шире области использования ПЗС-устройств. КМОП- устройства имеют ряд дополнительных преимуществ:

» Читать запись: ДАТЧИКИ ИЗОБРАЖЕНИЯ В ПОЛИГРАФИЧЕСКОМ ОБОРУДОВАНИИ

МЕТОДИКА ИЗМЕРЕНИЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ПРОНИЦАЕМОСТИ ЖИДКИХ КРИСТАЛЛОВ В ПОЛИКАПИЛЛЯРНЫХ МАТРИЦАХ

February 10, 2013

Дрокин Н. А., Тимашов В. А. Институт физики им. Л. В. Киренского СО РАН г. Красноярск, Академгородок, 660036, Россия тел.: (3912) 494591, e-mail: drokin@iph.krasn.ru

Аннотация – Приведена методика измерений диэлектрической проницаемости (ДП) полярных жидких кристаллов (ЖК), помещенных в макропористые поликапиллярные матрицы в дециметровом диапазоне длин волн. Определены эффективные значения ДП пористой матрицы и вычислены истинные значения ДП жидкого кристалла в порах.

» Читать запись: МЕТОДИКА ИЗМЕРЕНИЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ПРОНИЦАЕМОСТИ ЖИДКИХ КРИСТАЛЛОВ В ПОЛИКАПИЛЛЯРНЫХ МАТРИЦАХ

РАСЧЕТ МАТРИЦЫ РАССЕЯНИЯ ЧЕТЫРЕХПОРТОВОГО ПЕРЕСЕЧЕНИЯ МИКРОПОЛОСКОВАЯ – ЩЕЛЕВАЯ ЛИНИИ ПЕРЕДАЧИ

January 27, 2013

Крыжановский В. Г.,* Рассохина Ю. В* *Донецкий национальный университет ул. Университетская, 24, г. Донецк, 83055, Украина тел: +380 62 302 92 61, e-mail: radio@dongu.donetsk.ua

Аннотация – В общем виде решена задача о рассеянии волн на взаимно-перпендикулярном пересечении микрополосковой и щелевой линий передачи. С учетом симметрии такого соединения решаются три краевые задачи для по- лосково-щелевого резонатора с различными комбинациями стенок в плоскостях симметрии. Из решения этих задач методом поперечного резонанса находятся компоненты матрицы рассеяния в виде восьмиполюсника.

» Читать запись: РАСЧЕТ МАТРИЦЫ РАССЕЯНИЯ ЧЕТЫРЕХПОРТОВОГО ПЕРЕСЕЧЕНИЯ МИКРОПОЛОСКОВАЯ – ЩЕЛЕВАЯ ЛИНИИ ПЕРЕДАЧИ

ПОВЫШЕНИЕ ЭФФЕКТИВНОСТИ МОДЕЛИРОВАНИЯ ПРОВОЛОЧНЫХ АНТЕНН С ФРАКТАЛЬНОЙ СТРУКТУРОЙ

January 26, 2013

Аннотация – В работе рассмотрено применение вейвлетов для повышения эффективности решения интегральных уравнений, описывающих задачу излучения. На примерах расчетов проволочных антенн с фрактальной структурой показана целесообразность применения таких базисных функций. Проведена оценка точности полученных результатов.

» Читать запись: ПОВЫШЕНИЕ ЭФФЕКТИВНОСТИ МОДЕЛИРОВАНИЯ ПРОВОЛОЧНЫХ АНТЕНН С ФРАКТАЛЬНОЙ СТРУКТУРОЙ

ММ ДИАПАЗОНА ДЛИН ВОЛН ДЛЯ МАТРИЧНЫХ ПРИЕМНЫХ СИСТЕМ

July 17, 2012

Кузьмин С. Е., Радзиховский В. Н. Государственный научно-исследовательский центр "Айсберг", Киев, Украина Тел.: (044)4783145; e-mail: iceberg@ukrpack.net


Аннотация Разработан радиометрический датчик для многоканальной системы формирования изображений. Датчик построен по гетеродинной схеме, работает в диапазоне частот 87,5…92,5 ГГц и имеет температурную чувствительность 0,05 К/Гц1/2. Конструкция датчиков удобна для построения двухрядной сканируемой матрицы. В составе матрицы предполагается работа всех датчиков с общим гетеродином.

» Читать запись: ММ ДИАПАЗОНА ДЛИН ВОЛН ДЛЯ МАТРИЧНЫХ ПРИЕМНЫХ СИСТЕМ

Активный режекторный фильтр с электронной перестройкой

November 15, 2010

    

   Первый каскад фильтра выполнен на транзисторе V1, представляет собой истоковый повторитель с большим входным и малым выходным сопротивлениями. Сигнал с выхода повторителя поступает на входы ОУ А1: на инвентирующий через делитель напряжения R7R6, а на неинвертирующий – через мост Вина, образованный конденсаторами С3, С4 и сопротивлениями каналов полевых транзисторов V2, V3. Резисторы R8, R9 выравнивают сопротивления плеч моста на низких частотах.

» Читать запись: Активный режекторный фильтр с электронной перестройкой

микросхемы мощности Устройство импульсов питания пример приемника провода витков генератора выходе напряжение напряжения нагрузки радоэлектроника работы сигнал сигнала сигналов управления сопротивление усилитель усилителя усиления устройства схема теория транзистора транзисторов частоты