Записи с меткой ‘Mo-n+Si’

НОВАЯ ТЕХНОЛОГИЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МОЩНЫХ СВЧ-ТРАНЗИСТОРОВ

April 7, 2012

Снитовский ю. п. Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники ул. П. Бровки, 6, Минск – 220027, Беларусь Тел.: +10-375-017-234-73-84; e-mail: travelink@nsys.by

Аннотация – Представлены результаты экспериментальной оценки параметров мощных СВЧ-транзисторов в диапазоне частот выше 1 ГГц. Конфигурация эмиттерного и коллекторного переходов воплощает новую концепцию, согласно которой коэффициент инжекции увеличивается благодаря латеральной инжекции. Облучение ионами фосфора омических контактов Mo-n+Si с последующим низкотемпературным отжигом снижает величину контактного сопротивления рк и повышает скорость рекомбинации не основных носителей в зоне контакта.

» Читать запись: НОВАЯ ТЕХНОЛОГИЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МОЩНЫХ СВЧ-ТРАНЗИСТОРОВ

микросхемы мощности Устройство импульсов питания пример приемника провода витков генератора выходе напряжение напряжения нагрузки радоэлектроника работы сигнал сигнала сигналов управления сопротивление усилитель усилителя усиления устройства схема теория транзистора транзисторов частоты