Гетероструктуры AIa;Gai_a;As/GaAsбыли разработаны в 1970-е гх., а в начале 1980-е гг. на их основе были реализованы первые светодиоды, с высокой яркостью свечения (Steranka, 1997) ‘). Поскольку алюминий и галлий имеют весьма близкие атомные радиусы (1,82 А и 1,81 А), система Al^Gai-xAs(или просто AlGaAs) остается согласованной по параметрам решетки с подложкой GaAsво всем диапазоне изменений молярной доли алюминия в трехкомпонентном составе. На рис. 12.6 показаны значения ширины запрещенной зоны и постоянных решеток некоторых полупроводников типа А^^’В^ и их трех- и четырехкомпонентных твердых растворов. Видно отсутствие зависимости между постоянной решетки и молярной долей алюминия (Tien, 1988).

» Читать запись: Светодиоды на основе AlGaAs/GaAs