Записи с меткой ‘MOSFET’

Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) – Полупроводниковая силовая электроника

June 4, 2015

В биполярном транзисторе с изолированным затвором (IGBT — Isolated Gate Bipolar Transistor) соединены в одном кристалле по схеме составного фактически два типа транзисторов: мощный биполярный транзистор и управляющий MOSFET (рис. 2.13).

» Читать запись: Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) – Полупроводниковая силовая электроника

Быстродействующие драйверы MOSFET и IGBT – Полупроводниковая силовая электроника

May 19, 2015

Драйверы — это специальные микросхемы управления, связывающие выходы различных контроллеров или логических схем со входами мощных транзисторов выходных каскадов преобразователей или устройств управления двигателем.

» Читать запись: Быстродействующие драйверы MOSFET и IGBT – Полупроводниковая силовая электроника

Драйверы MOSFET и IGBT с расширенными функциональными возможностями

May 13, 2015

Для построения целого ряда приборов бытовой и промышленной техники необходимы драйверы, которые могут работать как с нижним, так и с верхним ключом стойки (полумостом). Поскольку напряжение питания транзисторного полумоста может составлять несколько сотен вольт, такое же напряжения должна выдерживать и конструкция самого драйвера.

» Читать запись: Драйверы MOSFET и IGBT с расширенными функциональными возможностями

Требования к входным сигналам MOSFET и IGBT – Полупроводниковая силовая электроника

May 11, 2015

По определению MOSFET и IGBT представляют собой переключающие устройства, управляемые напряжением. В электрической цепи управления они не потребляют ток в статическом режиме. Однако непосредственно в моменты переключения в мощных транзисторах протекают значительные импульсы («броски») тока, обусловленные наличием паразитных элементов в структуре (главным образом емкости затвора). Обычно при включении MOSFET ток стока нарастает быстрее, чем происходит спад напряжения в канале транзистора. В результате могут наблюдаться существенные потери мощности при переключении, вызывающие также увеличение тока управления затвором. Оптимальная форма кривой зарядного тока при включении MOSFET приведена на рис. 3.95 [58], на котором изображены временные диаграммы изменения напряжения на затворе ί/^Κ^, напряжения сток — исток ί/Η(Κ^), тока стока /(/^, тока затвора. На практике реализовать такие эпюры очень сложно, но этого и не требуется. Важно, чтобы время нарастания тока затвора было равно сумме времен нарастания тока стока и падения напряжения 1/и. Величина тока затвора должна быть достаточной для заряда емкости затвора. Цепи управления MOSFET являются более простыми и дешевыми, легко воспроизводимыми по сравнению с аналогичными цепями биполярных транзисторов.

» Читать запись: Требования к входным сигналам MOSFET и IGBT – Полупроводниковая силовая электроника

Мощные полевые транзисторы (MOSFET)

April 24, 2015

Существуют значительные различия между параметрами, конструкцией и технологией изготовления маломощных и мощных полевых транзисторов MOSFET (Metal—Oxide—Semiconductor Field-Effect Transistor) [15].

На рис. 2.10 представлен эскиз структуры маломощного МОП транзистора, а на рис. 2.11 — эскиз структуры мощного MOSFET транзистора.

» Читать запись: Мощные полевые транзисторы (MOSFET)

Схемы управления MOSFET и IGBT – Полупроводниковая силовая электроника

April 17, 2015

Разработчику энергосберегающей аппаратуры, который использует современную элементную базу силовой электроники, необходимо уметь правильно организовывать структуру управления мощными силовыми полупроводниковыми приборами. Ниже рассмотрим наиболее часто встречающиеся на практике случаи организации такого управления. В зависимости от конкретной ситуации можно использовать управление КМОП-логикой, эмитгерными повторителями, схемами управления с разделением цепей заряда и разряда входной емкости. Рассмотрим особенности организации управления с помощью КМОП-логики. На рис. 3.97 показан КМОП инвертор, образованный рМОП и пМОП транзисторами с индуцированным каналом.

» Читать запись: Схемы управления MOSFET и IGBT – Полупроводниковая силовая электроника

Общемировые тенденции развития силовой элементной базы (транзисторы)

August 25, 2013

В последнее время достаточно динамично улучшаются характеристики классических трехэлектродных MOSFET. Сегодня на отечественном рынке электронных компонентов можно встретить представителей так называемого пятого поколения транзисторов MOSFET, выпускаемых фирмой «International Rectifier». В маркировке этих транзисторов присутствует буква «N», например, IRFZ44N, но их достаточно легко спутать с более старой модификацией, такой буквы не имеющих — IRFZ44. Размер кристалла полупроводника у транзисторов пятого поколения в среднем меньше на 10…20 %, снижено также сопротивление канала в открытом состоянии (ЛЛ(оп)), уменьшена величина заряда затвора (Qg), в несколько раз снижен заряд обратного восстановления (Q^) паразитного диода.

» Читать запись: Общемировые тенденции развития силовой элементной базы (транзисторы)

Защита силовых схем статических преобразователей от перегрузок и токов

August 22, 2013

При разработке силовых схем статических преобразователей определенную проблему всегда представляет защита от перегрузок и токов

Рис. 2.1.17. Радиатор с параллельно включенными MOSFETB схеме трехфазного моста

» Читать запись: Защита силовых схем статических преобразователей от перегрузок и токов

IGBT транзисторы для силовых преобразователей

August 17, 2013

Ранее мы называли транзисторы MOSFET почти идеальными приборами для использования в изделиях силовой электроники. Сейчас настало время повторить одну существенную оговорку, также сделанную нами выше: справедливость слов об идеальности транзисторов MOSFET не ставится под сомнение, если рабочее напряжение силовых цепей преобразователей не превышает 250…300 (максимум — 400) В. При дальнейшем повышении рабочего напряжения приходится выбирать транзисторы с более высокой величиной напряжения «сток-исток», а это означает, что нам будет затруднительно найти в номенклатуре серийно выпускаемых приборов такой типономинал, который при высоких допустимых напряжениях «сток—исток» будет иметь низкое сопротивление канала в открытом состоянии, и, соответственно, высокий ток стока. Максимальная величина допустимого напряжения «сток—исток» большинства серийных транзисторов MOSFET сегодня составляет порядка 800 В, но сопротивление канала в открытом состоянии у них измеряется уже единицами Ом. Справедливости ради отметим, что иногда все-таки можно встретить приборы с допустимым напряжением «сток—исток» порядка 1000… 1200 В, но это — опять же «штучный товар», не находящий практического применения, а потому потихоньку исчезающий с рынка силовых полупроводников. Как же поступить разработчику в случае разработки высоковольтного мощного статического преобразователя? Опять возвращаться к биполярным транзисторам? Ни в коем случае!

» Читать запись: IGBT транзисторы для силовых преобразователей

Берем за основу MOSFET и IGBT

August 12, 2013

Без всякого преувеличения можно сказать, что появившиеся не слишком давно транзисторы типа MOSFET и IGBT, составляют сегодня основу силовой преобразовательной техники. Более того, без использования этих типов транзисторов немыслима разработка сколько-нибудь надежного статического преобразователя, отвечающего современным требованиям. Поэтому данную главу, посвященную основной элементной базе силовой электроники, мы начнем с рассказа именно об этих электронных элементах.

» Читать запись: Берем за основу MOSFET и IGBT

микросхемы мощности Устройство импульсов питания пример приемника провода витков генератора выходе напряжение напряжения нагрузки радоэлектроника работы сигнал сигнала сигналов управления сопротивление усилитель усилителя усиления устройства схема теория транзистора транзисторов частоты