Записи с меткой ‘насыщения’

Драйверы MOSFET и IGBT с расширенными функциональными возможностями

May 13, 2015

Для построения целого ряда приборов бытовой и промышленной техники необходимы драйверы, которые могут работать как с нижним, так и с верхним ключом стойки (полумостом). Поскольку напряжение питания транзисторного полумоста может составлять несколько сотен вольт, такое же напряжения должна выдерживать и конструкция самого драйвера.

» Читать запись: Драйверы MOSFET и IGBT с расширенными функциональными возможностями

ЗАЩИТНЫЕ ФУНКЦИИ ДРАЙВЕРА В ПОЛИГРАФИЧЕСКОМ ОБОРУДОВАНИИ

February 21, 2014

Кроме управления переключением силового модуля, второй по значимости функцией драйвера является защита от аварийных режимов. Драйвер должен осуществлять следующие защитные функции: защиту от сквозного тока; от падения напряжения источников питания (UVLO); от перегрузки по току и короткого замыкания; от перегрузок; от перегрева; от выхода из насыщения каждого силового ключа; от перенапряжения; фильтрацию коротких импульсов. Наиболее опасными и распространенными аварийными ситуациями, приводящими к токовым перегрузкам, являются: короткое замыкание нагрузки, пробой нагрузки на корпус и одновременное включение транзисторов полумоста из-за сбоя в схеме управления (рис. 6.7).

» Читать запись: ЗАЩИТНЫЕ ФУНКЦИИ ДРАЙВЕРА В ПОЛИГРАФИЧЕСКОМ ОБОРУДОВАНИИ

Отечественные драйвера управления IGBT транзисторами и транзисторными сборками

August 22, 2013

Одним из интересных и перспективных шагов на пути интегрирования силовой элементной базы можно считать появление отечественных драйверов управления IGBT транзисторами и транзисторными сборками. Технические характеристики поставляемыхдрайверов находятся на уровне (а в чем-то даже и превосходят) лучших зарубежных разработок аналогичного плана. О зарубежных драйверах мы будем говорить в этом разделе чуть ниже, а сейчас расскажем об отечественной продукции, и в частности, о модульных интегральных драйверах, серийно изготавливаемых ЗАО «Электрум АВ» [22] (г. Орел). Номенклатура драйверов, производимых этой фирмой, чрезвычайно широка: выпускаются драйверы управления одиночными силовыми ключами, драйверы управления полумостами, в бескорпурном исполнении (в виде печатной платы) и в защитных корпусах с размерами не более 60 x 46 x 12,5 мм, оснащенные широким набором сервисных функций, со встроенными DC/DC преобразователями и без них (с обеспечением их внешнего подключения). Фирмой также выпускаются драйверы IGBT с гальванической развязкой цепи управления и питания, с рабочим напряжением до 4500 В и рабочими токами силовых цепей ключевых приборовдо 2000 А, с частотами коммутациидо 100 кГц. В составе этихдрайверов можно встретить следующие сервисные узлы, выполняющие защитные функции:

» Читать запись: Отечественные драйвера управления IGBT транзисторами и транзисторными сборками

Перспективы в области создания новых модификаций транзисторов IGBT

July 21, 2013

А теперь мы поговорим о том, какие направления на сегодняшний момент являются «передним краем» области создания новых модификаций транзисторов IGBT. Поскольку рассматриваемый нами тип транзистора находит применение в направлениях электронной техники, где необходимо управлять большими токами при высоком напряжении, актуальной остается задача повышения максимально-допустимого напряжения «коллекор—эмиттер». Если работы в этом направлении пойдут успешно, то в ближайшем будущем IGBT смогут полностью вытеснить мощные высоковольтные тиристоры, которые традиционно применяются в электроэнергетическом оборудовании, где, как известно, напряжения измеряются десятками киловольт, а токи — десятками тысяч ампер.

» Читать запись: Перспективы в области создания новых модификаций транзисторов IGBT

Преобразователь напряжения с ШИ стабилизацией

October 4, 2012

На рис. 1 показана схема преобразователя с широтно-импульсной
стабилизацией, который может быть применен в портативных магнитофонах и
другой подобной аппаратуре, работающей от батарей. В частности,
преобразователь способен сохранять нормальную работоспособность
магнитофона “Весна-202” при уменьшении напряжения батареи до 3 В.
Принцип стабилизации, использованный в преобразователе напряжения,
описан в книге Александрова Ф. И. и др. “Импульсные преобразователи и
стабилизаторы” – Л.: Энергия, 1970.
» Читать запись: Преобразователь напряжения с ШИ стабилизацией

серия WE-PD3 – ЧАСТЬ 1

May 15, 2012

Тип

А (мм)

В (мм)

С (мм)

» Читать запись: серия WE-PD3 – ЧАСТЬ 1

Изменение крутизны полевого транзистора

January 16, 2012

Таким образом, как и в случае биполярного транзистора, коэффициент усиления напряжения равен

В разд. 6.3 мы видели, что крутизна биполярного транзистора является чрезвычайно устойчивым параметром, равным 40 /с мА/В при комнатной температуре, если /с выражен в миллиамперах. Если пренебречь эффектами второго порядка, такими как сопротивление базы, то это простое соотношение справедливо для всех типов биполярных транзисторов, не изменяясь от одного экземпляра к другому, в отличие от коэффициента усиления тока hfe. У полевого транзистора крутизна изменяется от одного типа транзистора к другому, находясь обычно между 0,5 и 5 мА/В (у современных транзисторов крутизна достигает величины 100 мА/В. — Примеч. перев.), кроме того, как сейчас будет показано, крутизна меняется при изменении тока стока.

» Читать запись: Изменение крутизны полевого транзистора

Формирование сигналов прямоугольной формы

January 4, 2012

Любой повторяющийся сигнал легко можно преобразовать в прямоугольный, возбуждая этим сигналом простой усилитель напряжения настолько сильно, что транзистор попеременно оказывается в состоянии отсечки или насыщения. На рис. 10.2 показана схема усилителя, который будет вести себя так. Если на его вход подается синусоидальный сигнал с эффективным значением по крайней мере 5 В, то выходной сигнал имеет прямоугольную форму и пригоден для использования в различных экспериментах с импульсами, приведенных в этой главе. В течение положительного полупериода входной сигнал удерживает транзистор в режиме насыщения, и

» Читать запись: Формирование сигналов прямоугольной формы

Транзистор IGBT в качестве ключа

November 30, 2011

Транзистор IGBT представляет собой кремниевый гибрид, составленный из мощного полевого МОП-транзистора на выводе затвора и "неблокируемого" трини- стора (silicon controlled rectifier, SCR) между выводами коллектора и эмиттера. Его внутренняя схема показана на рис. 3.39.

» Читать запись: Транзистор IGBT в качестве ключа

Проектирование ключа и секции драйвера

October 19, 2011

Основной целью секции ключа является преобразование входного постоянного напряжения в модулированное по ширине импульса переменное напряжение. В следующих каскадах для подъема или снижения импульса переменного тока может использоваться трансформатор, и, наконец, выходной каскад преобразует переменный ток в постоянный выходной ток. Для того чтобы выполнить преобразование постоянного тока в переменный, ключ функционирует только в состояниях насыщения и отсечки.

» Читать запись: Проектирование ключа и секции драйвера

микросхемы мощности Устройство импульсов питания пример приемника провода витков генератора выходе напряжение напряжения нагрузки радоэлектроника работы сигнал сигнала сигналов управления сопротивление усилитель усилителя усиления устройства схема теория транзистора транзисторов частоты