Записи с меткой ‘неоднородности’

Методы выравнивания состава вдоль кристалла – основы материаловедения

May 5, 2013

Вопрос об однородности распределения примесей по длине и поперечному сечению выращиваемого монокристалла уже обсуждался в гл. 5 и гл. 6. Из рассмотренного материала можно сделать вывод, что существует несколько факторов, вызывающих появление неоднородностей состава в растущем кристалле. Неоднородности по причинам их возникновения можно разделить на две группы: сегрегационные и технологические.

» Читать запись: Методы выравнивания состава вдоль кристалла – основы материаловедения

Сверхдальний прием телевизионных передач

October 8, 2012

Известны случаи кратковременного приема телевизионных передач на расстояниях, в десятки раз превышающих дальность видимого горизонта. При­чины таких явлений — особые (аномальные) состояния атмосферы и ионосфе­ры, существенно отличающиеся от нормальных. При определенных сочетаниях параметров атмосферы и ионосферы в отдельные промежутки могут возникать условия, способствующие сверхдальнему приему телевизионных передач. При­ведем несколько примеров.

» Читать запись: Сверхдальний прием телевизионных передач

ИССЛЕДОВАНИЕ БЛИЖНЕПОЛЕВОГО ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ ОТКРЫТОГО КОНЦА КОАКСИАЛЬНОГО ВОЛНОВОДА

July 5, 2012

Лаунец В. Л., Олейник В. В. Радиофизический факультет, Киевский национальный университет имени Тараса Шевченко пр. Глушкова 2/5, Киев 03127, Украина тел. (38-044) 266 0551, E-mail: oliynyk@univ.kiev.ua

Аннотация Приведены экспериментальные результаты и их качественное объяснение, позволяющие сделать вывод о целесообразности оптимизации размеров выступающего внутреннего проводника коаксиального зонда ближнеполевого микроволнового микроскопа. Обнаружена и качественно объяснена не монотонная зависимость чувствительности микроскопа к неоднородности от расстояния между зондом и образцом для случая неоднородности типа диэлектрик на металле.

» Читать запись: ИССЛЕДОВАНИЕ БЛИЖНЕПОЛЕВОГО ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ ОТКРЫТОГО КОНЦА КОАКСИАЛЬНОГО ВОЛНОВОДА

ТВЕРДОТЕЛЬНАЯ ЭЛЕКТРОНИКА – ЧАСТЬ 2

November 19, 2011

Развитие техники микропроцессоров должно было происходить (и так оно фактически оказалось) по двум направлениям:

создание максимально простых, узко специализированных и дешевых микропроцессоров,

создание многофункциональных микропроцессоров, по своим возможностям приближающихся к ЭВМ.

» Читать запись: ТВЕРДОТЕЛЬНАЯ ЭЛЕКТРОНИКА – ЧАСТЬ 2

микросхемы мощности Устройство импульсов питания пример приемника провода витков генератора выходе напряжение напряжения нагрузки радоэлектроника работы сигнал сигнала сигналов управления сопротивление усилитель усилителя усиления устройства схема теория транзистора транзисторов частоты