Записи с меткой ‘носителей’

Полупроводниковые приборы. Диод – Цифровая техника

April 22, 2015

Лет двадцать тому назад началось бурное развитие полупроводниковой промышленности, и в результате к настоящему времени полупроводниковые приборы практически полностью вытеснили электронные лампы из всего того, что объединяется словом «электроника». Лампы «выжили» только в высоковольтных (ни один из существующих полупроводников не работает при напряжении более 2000 В) и мощных (максимальная мощность рассеивания — не путать с коммутируемой мощностью! — для полупроводников не превышает 1000 Вт) цепях. Кроме того, некоторые лампы используются в устройствах сверхвысококачественного звуковоспроизведения (усилители класса Hi-End). Единственный недостаток электронных ламп — необходимость разогревания катода, на что тратится довольно большая мощность, поэтому КПД маломощных ламповых устройств не превышает нескольких десятков процентов и приближается к 70…80% у мощных устройств. Для проводниковых же устройств никакого предварительного разогрева не требуется — в процессе работы они сами греются (шутка, но в ней есть доля правды), — поэтому КПД для большинства полупроводниковых устройств при правильно разработанной схеме доходит до 100%.

» Читать запись: Полупроводниковые приборы. Диод – Цифровая техника

Электрически  неактивные  примеси

May 21, 2013

К электрически неактивным примесям в германии и кремнии относятся изоэлектронные примеси, а также такие примеси, как водород, кислород, азот.

Для германия и кремния изоэлектронными примесями являются элементы из IVA подгруппы — Pb, Sn и C. Примеси подобного рода не изменяют концентрацию носителей заряда, однако могут влиять на времена жизни свободных носителей заряда и вносить вклад в излучательную рекомбинацию.

» Читать запись: Электрически  неактивные  примеси

Экспериментальное  определение коэффициентов  диффузии

May 11, 2013

Для изучения диффузии в твердых телах в настоящее время разработано большое число физических и физико-химических методов исследования. Эти методы основаны на измерении распределения концентрации диффундирующего вещества в исследуемом образце в зависимости от времени и температуры диффузионного отжига. При этом распределение концентрации определяется либо прямыми измерениями ее в различных частях исследуемого образца с помощью химических, спектроскопических, рентгеновских, электронографических, радиоактивных и других методов анализа, либо же косвенным образом — посредством изучения характера изменений некоторых физических свойств вещества, вызванных проникновением диффундирующей примеси.

» Читать запись: Экспериментальное  определение коэффициентов  диффузии

Ионная составляющая связи и подвижность носителей  заряда

May 10, 2013

Установление взаимосвязи между степенью ионности полупроводниковых соединений λ и подвижностями носителей заряда µ в них затруднительно, прежде всего, из-за сильной чувствительности µ к дефектам кристаллов. В то время как измерения Eg в образцах с широким диапазоном значений концентрации примесей и дефектов дают одно и то же значение, для измерения «решеточной» подвижности µ(см. ниже) необходимо иметь чистые и достаточно совершенные кристаллы. Поэтому далеко не во всех полупроводниках по измеренной при некоторой температуре подвижности можно говорить о надежном определении µL. С другой стороны, сама теория химических связей не дает возможности рассчитывать численные величины подвижности носителей заряда из значений кристаллохимических параметров, характеризующих тип химической связи, можно говорить лишь о тенденциях, знание которых полезно для прогнозирования свойств получаемых полупроводниковых материалов.

» Читать запись: Ионная составляющая связи и подвижность носителей  заряда

СВЧ-МЕТОДИКА БЕСКОНТАКТНОГО ИЗМЕРЕНИЯ ЭФФЕКТИВНОГО ВРЕМЕНИ ЖИЗНИ НЕРАВНОВЕСНЫХ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В ПЛАСТИНАХ КРЕМНИЯ

March 1, 2013

Карпович И. А., Адакимчик А. В., Козлова Е. И., Оджаев В. Б., Янковский О. Н. Белгосуниверситет пр. Независимости, 4, г. Минск, 220050, Беларусь e-mail: karpovich@bsu.by

Аннотация – Разработана методика бесконтактного измерения времени жизни неравновесных носителей заряда (ННЗ) в пластинах кремния, позволяющая создавать карты распределения эффективного времени жизни ННЗ по поверхности полупроводниковых пластин.

» Читать запись: СВЧ-МЕТОДИКА БЕСКОНТАКТНОГО ИЗМЕРЕНИЯ ЭФФЕКТИВНОГО ВРЕМЕНИ ЖИЗНИ НЕРАВНОВЕСНЫХ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В ПЛАСТИНАХ КРЕМНИЯ

Беспроводное соединение с музыкальным центром или вторая жизнь "кассетников"

October 4, 2012

Во времена популярности кассетных  носителей в магнитной записи  широко использовались не очень  дорогие импортные музыкальные  центры с одним или двумя кассетоприёмниками,
но в то время ещё без проигрывателя компакт-дисков Как правило, в таких
музыкальных центрах не предусматривалось входа для подключения внешнего
источника аудиосигналов. Широкое распространение носителей на компакт-дисках привело
к тому, что эти музыкальные центры стали использовать в большинстве случаев только
как радиоприёмники УКВ диапазона (87… 108 МГц). Однако можно организовать беспроводное
соединение такого музыкального центра с источниками аудио­сигналов —
персональным компьютером, USB-флеш-накопителем и другими цифровыми носителями.

» Читать запись: Беспроводное соединение с музыкальным центром или вторая жизнь "кассетников"

10-WATT TWO-CHANNEL SWITCH FOR 8-ММ BAND

June 19, 2012

VIII. M. Abolduyev, V. M. Vald-Perlov, V. V. Veitz,

A. M. Zubkov, V. M. Minnebaev SRI “Pulsar”

Okrugnoi pr., 27, Moscow 105187, Russia fax. 095-366-55-83, e-mail: roottcbpulsar.msk.su

Abstract Presented in this paper are the results of design and production of 10-W microwave power switch on the basis of GaAs p-i-n diodes. The switch operates within 33,5 34,5 GHz frequency band.

» Читать запись: 10-WATT TWO-CHANNEL SWITCH FOR 8-ММ BAND

Потери носителей в двойных гетероструктурах

October 26, 2011

В идеальном светодиоде барьерные слои не дают инжектированным носителям возможности покидать активную область. Это позволяет добиваться большой концентрации носителей в этой области, что ведет к повышению эффективности излучательной рекомбинации.

Энергия барьерных слоев обычно составляет ~ 102мэВ, что намного больше величины кТ. Тем не менее, некоторым носителям удается преодолеть этот потенциальный барьер и покинуть активную область. Концентрация таких носителей в барьерных слоях очень низка, поэтому квантовый выход излучения этих слоев тоже невысок.

» Читать запись: Потери носителей в двойных гетероструктурах

Время нарастания и спада оптического сигнала при большой емкости светодиодов

October 21, 2011

В диодах, используемых для освещения, область инжекции носителей тока в р-тг-переход может быть очень большой. Иногда она может перекрывать площадь всего кристалла светодиода. Такие диоды характеризуются большой емкостью. Обозначим емкость диода как С, а полное сопротивление цепи, состоящей из сопротивления диода и последовательного сопротивления управляющей схемы какR.Времена нарастания и спада сигнала диода равны и определяются постоянной времени ЕС.

» Читать запись: Время нарастания и спада оптического сигнала при большой емкости светодиодов

Зависимость рекомбинации от температуры и легирования

October 8, 2011

Зависимость вероятности рекомбинации от температуры представлена на рис. 3.2, который показывает параболическую зависимость Е(к) при низких и высоких температурах. При ее анализе можно выявить уменьшение числа носителей в интервале значений квазиимпульсаdkс увеличением температуры. Так как при излучательной рекомбинации выполняется закон сохранения квазиимпульса и вероятность рекомбинации электронов пропорциональна количеству свободных дырок с равным значением квазиимпульса, вероятность рекомбинации уменьшается с ростом температуры. Этот факт подтверждается соотношениями (3.24) и (3.25), которые показывают, что коэффициент бимолекулярной рекомбинации зависит от температуры обратно пропорционально Т3/2.

» Читать запись: Зависимость рекомбинации от температуры и легирования

микросхемы мощности Устройство импульсов питания пример приемника провода витков генератора выходе напряжение напряжения нагрузки радоэлектроника работы сигнал сигнала сигналов управления сопротивление усилитель усилителя усиления устройства схема теория транзистора транзисторов частоты